Infineonが「グリッドからコア」までを一手に担う

2026年5月28日から29日にかけ、この動きの決定打とも言える発表があった。ドイツの半導体大手Infineon Technologiesが、NVIDIAのMGX AIファクトリーエコシステムに正式に参画したのだ 。Infineonは単なる部品サプライヤーではない。ラックの800 VDC入力から、中間バスコンバータを経由し、GPUに供給される最終的なコア電圧に至るまで、「完全な800 VDC電力変換フロー」を一手に引き受けることを表明している 。

Infineonは、自社の持つ素材技術の全てを投入する構えだ。従来のシリコン（Si）に加え、より高効率なシリコンカーバイド（SiC）、そして次世代材料である窒化ガリウム（GaN）である。特に最先端の取り組みとして、GaN技術を約1MHz（メガヘルツ）の高周波でスイッチングさせることで、高効率を保ちながら極めてコンパクトなバスコンバータを実現している 。さらに、将来のサーバーマザーボードが800 VDCで直接動作するための「活線挿抜（ホットスワップ）」コントローラ技術の開発も進めており、これは保守性と安全性を飛躍的に高める重要なステップとなる 。

なぜ「54V」は限界を迎えたのか

800Vへの移行がもたらす効率性とインフラ面の利点は、あまりにも明白だ。従来の54Vバスは、ラックが数十キロワット程度だった時代の遺物である。GPUの電力密度がHopperからBlackwellの世代で3.4倍に跳ね上がった現在、54V用のブスバー（板状の導体）は物理的な限界に直面している 。

NVIDIAが詳細を明かした800 VDC移行のメリットは、第一に、電力系統全体で最大5%のエンドツーエンド効率改善。そして第二に、銅使用量の劇的な削減だ 。仮に1MWラックを旧来の54Vで作ろうとすると、内部の銅ブスバーだけで最大200kgも必要になる。ギガワット（GW）級のデータセンターなら、その量は実に20万kgにも達する計算だ。超高電圧にすることで電流を大幅に減らせる800 VDCシステムなら、この銅の必要量を根本から削減できる。また、配線も交流で必要だった4本から、3線式（正極、リターン、保護接地）へと簡素化される 。

このアーキテクチャは、変電所から各ラックへの電力供給経路も変える。施設の入り口で13.8kVの交流を一度だけ800 VDCに変換し、各ラックでの手間のかかる整流（AC/DC変換）ステージを排除。これにより信頼性を高め、スペースも節約できる 。NVIDIAの試算によれば、これらの変更により総所有コスト（TCO）を最大30%、保守コストを最大**70%**引き下げられるという 。また、このシステムはAIワークロードの特異な「電力変動」にも対応する。数千基のGPUが一斉に計算を始めるような瞬間、施設全体の消費電力がわずかミリ秒で30%から100%まで急変動する現象を、800 VDCアーキテクチャは制御するよう設計されている 。

Innoscienceが挑む「オールGaN」一本勝負

Infineonが材料の総力戦を仕掛ける一方で、Innoscience（イノサイエンス）は全く異なる戦略を打ち出した。同社が発表したのは、800 VDCの入力レールからGPUコア電圧に至るすべての変換段階を単一の素材で実行する「オール窒化ガリウム（GaN）電源ソリューション」だ 。

すべての変換段階にGaNを用いることで、同社はより高い電力密度と効率を実現し、炭素排出量を大幅に削減できるとしている。これは、GaNが高い電圧でも、シリコンで見られるような効率低下なしに高周波でスイッチングできる特性を持つからだ。800V入力側においても、InnoscienceのGaN技術は、競合するSiCベースの設計に比べてドライバ損失を低減できると報告されている 。

巨大エコシステムが一斉に動き出す

800 VDCへの移行は、1社で成し遂げられる規模ではない。NVIDIAはすでに、パートナー企業を3つの層に分け、広範な陣容を公開している 。

• シリコンプロバイダー: Analog Devices, Infineon, Innoscience, Monolithic Power Systems (MPS), Navitas, OnSemi, Renesas, ROHM, STMicroelectronics, Texas Instruments
• 電源システムコンポーネントメーカー: Delta, Flex Power, Lead Wealth, LiteOn, Megmeet
• データセンター電力システムインテグレーター: Eaton, Schneider Electric, Vertiv

これら各社のアクションが、ここ数ヶ月で急速に表面化している。

• Analog Devices (ADI) は2026年5月28日、MGXエコシステム内でNVIDIAと協業し、AIファクトリー導入に必要な保護、変換、インテリジェンス技術を提供すると発表した 。
• Eaton も同日、高密度AI施設向けの「グリッドからチップ」戦略の要となる、800 VDC参照アーキテクチャを発表。これはNVIDIAのKyberラックスケールシステムなどでの先行協業を基盤としたものだ 。
• LiteOn Technology は、GTC 2026において、NVIDIAのMGXモジュラー設計に基づく次世代800 VDC電源ラック、110kWパワーシェルフ、そして2.1MWのインロー型冷却水分配装置（CDU）を公開。すでに未来の工場の姿を具現化しつつある 。

これらパートナーの結集は、業界の明確な方向性を示している。AIファクトリーが数十キロワットからメガワット級へとスケールしていく中で、電力供給アーキテクチャは、バラバラに配置された低圧電源ユニットの集合体から、集中的に管理される高圧の「電力バックボーン」へと変貌を遂げなければならない。MGXエコシステムは、その中心に800 VDCを据え、今や業界全体の設計図となったのである。

Infineonが「グリッドからコア」までを一手に担う

2026年5月28日から29日にかけ、この動きの決定打とも言える発表があった。ドイツの半導体大手Infineon Technologiesが、NVIDIAのMGX AIファクトリーエコシステムに正式に参画したのだ 。Infineonは単なる部品サプライヤーではない。ラックの800 VDC入力から、中間バスコンバータを経由し、GPUに供給される最終的なコア電圧に至るまで、「完全な800 VDC電力変換フロー」を一手に引き受けることを表明している 。

Infineonは、自社の持つ素材技術の全てを投入する構えだ。従来のシリコン（Si）に加え、より高効率なシリコンカーバイド（SiC）、そして次世代材料である窒化ガリウム（GaN）である。特に最先端の取り組みとして、GaN技術を約1MHz（メガヘルツ）の高周波でスイッチングさせることで、高効率を保ちながら極めてコンパクトなバスコンバータを実現している 。さらに、将来のサーバーマザーボードが800 VDCで直接動作するための「活線挿抜（ホットスワップ）」コントローラ技術の開発も進めており、これは保守性と安全性を飛躍的に高める重要なステップとなる 。

なぜ「54V」は限界を迎えたのか

800Vへの移行がもたらす効率性とインフラ面の利点は、あまりにも明白だ。従来の54Vバスは、ラックが数十キロワット程度だった時代の遺物である。GPUの電力密度がHopperからBlackwellの世代で3.4倍に跳ね上がった現在、54V用のブスバー（板状の導体）は物理的な限界に直面している 。

NVIDIAが詳細を明かした800 VDC移行のメリットは、第一に、電力系統全体で最大5%のエンドツーエンド効率改善。そして第二に、銅使用量の劇的な削減だ 。仮に1MWラックを旧来の54Vで作ろうとすると、内部の銅ブスバーだけで最大200kgも必要になる。ギガワット（GW）級のデータセンターなら、その量は実に20万kgにも達する計算だ。超高電圧にすることで電流を大幅に減らせる800 VDCシステムなら、この銅の必要量を根本から削減できる。また、配線も交流で必要だった4本から、3線式（正極、リターン、保護接地）へと簡素化される 。

このアーキテクチャは、変電所から各ラックへの電力供給経路も変える。施設の入り口で13.8kVの交流を一度だけ800 VDCに変換し、各ラックでの手間のかかる整流（AC/DC変換）ステージを排除。これにより信頼性を高め、スペースも節約できる 。NVIDIAの試算によれば、これらの変更により総所有コスト（TCO）を最大30%、保守コストを最大**70%**引き下げられるという 。また、このシステムはAIワークロードの特異な「電力変動」にも対応する。数千基のGPUが一斉に計算を始めるような瞬間、施設全体の消費電力がわずかミリ秒で30%から100%まで急変動する現象を、800 VDCアーキテクチャは制御するよう設計されている 。

Innoscienceが挑む「オールGaN」一本勝負

Infineonが材料の総力戦を仕掛ける一方で、Innoscience（イノサイエンス）は全く異なる戦略を打ち出した。同社が発表したのは、800 VDCの入力レールからGPUコア電圧に至るすべての変換段階を単一の素材で実行する「オール窒化ガリウム（GaN）電源ソリューション」だ 。

すべての変換段階にGaNを用いることで、同社はより高い電力密度と効率を実現し、炭素排出量を大幅に削減できるとしている。これは、GaNが高い電圧でも、シリコンで見られるような効率低下なしに高周波でスイッチングできる特性を持つからだ。800V入力側においても、InnoscienceのGaN技術は、競合するSiCベースの設計に比べてドライバ損失を低減できると報告されている 。

巨大エコシステムが一斉に動き出す

800 VDCへの移行は、1社で成し遂げられる規模ではない。NVIDIAはすでに、パートナー企業を3つの層に分け、広範な陣容を公開している 。

• シリコンプロバイダー: Analog Devices, Infineon, Innoscience, Monolithic Power Systems (MPS), Navitas, OnSemi, Renesas, ROHM, STMicroelectronics, Texas Instruments
• 電源システムコンポーネントメーカー: Delta, Flex Power, Lead Wealth, LiteOn, Megmeet
• データセンター電力システムインテグレーター: Eaton, Schneider Electric, Vertiv

これら各社のアクションが、ここ数ヶ月で急速に表面化している。

• Analog Devices (ADI) は2026年5月28日、MGXエコシステム内でNVIDIAと協業し、AIファクトリー導入に必要な保護、変換、インテリジェンス技術を提供すると発表した 。
• Eaton も同日、高密度AI施設向けの「グリッドからチップ」戦略の要となる、800 VDC参照アーキテクチャを発表。これはNVIDIAのKyberラックスケールシステムなどでの先行協業を基盤としたものだ 。
• LiteOn Technology は、GTC 2026において、NVIDIAのMGXモジュラー設計に基づく次世代800 VDC電源ラック、110kWパワーシェルフ、そして2.1MWのインロー型冷却水分配装置（CDU）を公開。すでに未来の工場の姿を具現化しつつある 。

これらパートナーの結集は、業界の明確な方向性を示している。AIファクトリーが数十キロワットからメガワット級へとスケールしていく中で、電力供給アーキテクチャは、バラバラに配置された低圧電源ユニットの集合体から、集中的に管理される高圧の「電力バックボーン」へと変貌を遂げなければならない。MGXエコシステムは、その中心に800 VDCを据え、今や業界全体の設計図となったのである。