サムスン電子の幹部は、HBM(高帯域幅メモリー)が2027年にDRAM業界のウェハー生産能力の約3割を占めるとの見通しを示しました。現在の約2割から上昇する計算です。
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この予測が示すのは、AI向けメモリーの増産に伴う生産能力の配分変化です。HBMに多くの能力を振り向ければ、標準的なDRAMに使える余地が狭まり、供給を圧迫する可能性があります。
「約3割」は生産量ではなく、ウェハー能力の比率
数字が指すのは、DRAMチップメーカーが持つウェハー生産能力のうち、HBM向けに割り当てられる割合です。HBMがDRAM全体の出荷量やチップ数の約3割になるという意味ではありません。サムスン電子のキム・テウ副社長は、現在の約2割から2027年には約3割近くに上がるとの見方を示しました。
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これは業界の見通しであり、その比率に達することが確定したわけではありません。ただ、AI計算向けの需要が高まるなか、メーカーが生産資源をHBMにどれだけ振り向けるかを示す目安になります。
HBMの増産で標準DRAMが圧迫される理由
サムスンによると、HBMと標準DRAMは同じウェハー生産能力を使います。そのためHBM向けの割り当てが増えれば、標準DRAMに回せる能力が減り、供給が制約される可能性があります。
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ただし、HBMの生産拡大が、そのまま標準DRAMの生産量の一定の減少につながると決まったわけではありません。今回示されたのは生産能力の配分が変わる見通しと、その影響の可能性であり、具体的な供給不足の規模ではありません。
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AI計算でHBMが重視されるわけ
HBMはメモリーチップを垂直方向に積み重ねた構造です。プロセッサーが大量のデータに高速でアクセスできるため、AI計算を支える重要な部品となっています。
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業界報道で主要メーカーとして挙げられているのは、韓国のSK hynixとサムスン電子、米国のMicron Technologyです。
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