SK hynix accelera: campioni HBM4E a 12 strati per l'AI, duello con Samsung

La gara per alimentare la prossima generazione di acceleratori per l'intelligenza artificiale ha raggiunto un nuovo picco a giugno 2026. Mentre il mondo tecnologico guardava con attenzione, il 17 giugno SK hynix ha annunciato ufficialmente di aver spedito i campioni della sua attesissima memoria HBM4E a 12 strati ai principali clienti, entrando così nella cruciale fase di qualificazione .

La mossa arriva a circa tre settimane dalla dichiarazione di Samsung Electronics che, il 29 maggio, aveva rivendicato l'invio dei "primi campioni HBM4E dell'industria" . Questa tempistica serrata mette in luce una sfida senza esclusione di colpi tra i due giganti coreani dei semiconduttori, entrambi determinati a dominare il mercato delle memorie che daranno vita a piattaforme AI di prossima generazione come la Vera Rubin di Nvidia.

Le specifiche dell'HBM4E di SK hynix nel dettaglio

Il nuovo stack HBM4E a 12 strati di SK hynix non è una semplice evoluzione, ma un pacchetto di migliorie pensate per soddisfare le voraci esigenze di banda ed efficienza nell'addestramento e nell'inferenza dell'AI. Le specifiche principali, emerse dagli annunci ufficiali e dai report di settore, sono le seguenti :

• Prestazioni: Fino a 16 gigabit al secondo (Gbps) per pin.
• Capacità: 48 gigabyte (GB) per stack, ottenuti con 12 strati di die da 32 gigabit (Gb). Rispetto al singolo die HBM4, l'incremento di densità è del 33% .
• Efficienza Energetica: Un miglioramento superiore al 20% rispetto alla precedente generazione HBM4 .
• Tecnologia di Packaging: L'azienda ha applicato il suo processo proprietario Advanced MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill). Un vantaggio chiave è la riduzione del 17% della resistenza termica, che aumenta significativamente stabilità e performance in ambienti di calcolo ad alta densità .
• Larghezza di Banda: Sebbene il target dichiarato sia la classe dei ~4 TB/s per i chip AI di nuova generazione, durante la vetrina Computex era già stato evidenziato un balzo del 38% rispetto a HBM4 .

Il chip è realizzato con processo DRAM a 1c nanometri, un dettaglio riportato dalle analisi di settore, e molto probabilmente integra una base die prodotta da TSMC con processo a 3 nanometri .

Confronto serrato: SK hynix vs Samsung HBM4E

Con entrambi i produttori ora nella fase di campionatura, il mercato può fare un primo confronto basandosi sulle specifiche dichiarate. Se Samsung è stata la prima a muoversi, SK hynix rivendica un vantaggio tecnico su diversi parametri chiave, delineando una competizione agguerrita .

Caratteristica	SK hynix HBM4E	Samsung HBM4E
Data spedizione campioni	17–18 giugno 2026	29 maggio 2026 (prima nel settore)
Strati	12	12
Capacità	48 GB	48 GB
Velocità per Pin	16 Gbps (nativa)	14 Gbps stabile, scalabile a 16 Gbps
Miglioramento Efficienza	>20% rispetto a HBM4	16% rispetto a HBM4
Packaging	Advanced MR-MUF (resistenza termica -17%)	Gestione termica proprietaria (nessuna % indicata)
Larghezza di Banda	Fino a ~4.0 TB/s	Fino a 3.6 TB/s per stack

Un elemento di differenziazione cruciale è la velocità base per pin. Il chip di SK hynix opera nativamente a 16 Gbps, mentre la versione Samsung si attesta a 14 Gbps, pur essendo in grado di scalare fino a 16 Gbps . Allo stesso modo, il guadagno in efficienza energetica è maggiore per SK hynix (oltre il 20% contro il 16%). La riduzione misurabile del 17% della resistenza termica ottenuta con l'Advanced MR-MUF potrebbe rivelarsi un fattore decisivo per i grandi fornitori di servizi cloud e hyperscaler, che devono gestire server AI sempre più densi e caldi.

La battaglia più grande per il dominio della memoria AI

L'invio dei campioni HBM4E è solo l'ultimo atto di una lotta pluriennale per accaparrarsi gli ordini di Nvidia, l'azienda di chip AI di maggior valore al mondo.

• La roccaforte HBM4 di SK hynix: A fine gennaio 2026, diverse fonti riportavano che SK hynix si era assicurata circa il 70% degli ordini HBM4 di Nvidia per la piattaforma Vera Rubin, surclassando Samsung e Micron . Un vantaggio costruito sulla produzione in volumi anticipata e sugli alti rendimenti, in particolare grazie alla tecnologia MR-MUF .
• Nvidia certifica tutti e tre: Il 5 giugno 2026, il CEO di Nvidia, Jensen Huang, ha formalmente certificato SK hynix, Samsung e Micron come fornitori ufficiali di HBM4 per Vera Rubin . Questo annuncio ha dissipato le speculazioni su una possibile esclusione iniziale di Micron dalla catena di fornitura . Le stime degli analisti confermano comunque SK hynix come leader indiscusso con una quota volume del 60-70%, seguita da Samsung al 25-30% e da Micron per la parte restante .
• Una strategia di anticipo: SK hynix ha abituato il mercato a tempistiche aggressive. Già a marzo 2025, aveva sorpreso il settore spedendo i primi campioni al mondo di HBM4 a 12 strati, ben prima del previsto . Quel prodotto è ora in produzione di massa ed è la base su cui si innesta l'evoluzione HBM4E, presentata in anteprima al Computex 2026 e capace di un salto di densità del 33% e di banda del 38% .

Cosa succede adesso

Con i campioni già nei laboratori dei principali clienti (Nvidia, AMD e i grandi fornitori di servizi cloud), inizia ora la fase di test più severa . I clienti sottoporranno queste memorie a rigorose verifiche di integrità del segnale, comportamento termico e compatibilità con le proprie architetture. L'esito di questa fase determinerà gli ordini finali e l'avvio della produzione su larga scala per i sistemi AI attesi nel 2027.

La capacità di SK hynix di consegnare i campioni HBM4E in largo anticipo rispetto alla propria tabella di marcia (precedentemente fissata per la seconda metà del 2026) dimostra l'ambizione non solo di difendere, ma di dettare il passo all'intera industria . La sfida non è più solo su chi arriva primo, ma su quale tecnologia garantisce le migliori prestazioni per watt nel package più stabile, alimentando così il prossimo, decisivo, balzo in avanti dell'intelligenza artificiale.