Cosa cambia nella distribuzione dell'energia

Nel 14A standard, la rete principale di alimentazione viene instradata dal retro del wafer. Il 14A2, stando alle indiscrezioni, combinerebbe invece:

• alimentazione posteriore, mantenendo PowerDirect come elemento centrale;
• alimentazione anteriore, destinata a una parte dei livelli metallici per gestire il carico elettrico complessivo .

Questa configurazione a doppio lato dovrebbe consentire di spingere ulteriormente la miniaturizzazione dei collegamenti. Il parametro più significativo è il passo del livello metallico M0:

La riduzione sarebbe resa possibile anche da miglioramenti legati al double patterning, una tecnica di esposizione che permette di imprimere schemi più fitti sui livelli del chip .

Il 14A di base promette già fino a circa il 30% in più di densità del chip rispetto a Intel 18A . Per il 14A2, però, Intel non ha comunicato nei materiali disponibili una percentuale precisa: è quindi corretto parlare di un potenziale incremento ulteriore, non di un risultato già confermato .

Perché Intel sta valutando questa strada

La pressione competitiva arriva soprattutto da TSMC A14 e dagli sforzi di Samsung sul nodo SF1.4 . In una fase in cui i nomi commerciali dei nodi non corrispondono necessariamente a una singola dimensione fisica del transistor, la densità complessiva e l'efficienza del processo diventano parametri decisivi.

Il doppio lato di alimentazione potrebbe offrire a Intel un vantaggio in termini di densità rispetto al 14A originale. La soluzione, tuttavia, non è priva di difficoltà. Un passo M0 di circa 21 nm può aumentare sensibilmente la resistenza elettrica e richiedere nuove strutture composite per distribuire la corrente. Anche i collegamenti nTSV esistenti potrebbero non essere sufficienti a sostenere carichi elettrici così elevati .

In altre parole, la doppia alimentazione non è soltanto un modo per aggiungere potenza: è un tentativo di risolvere il compromesso tra collegamenti più piccoli, distribuzione stabile dell'energia e resa produttiva.

La roadmap aggiornata di Intel 14A

Le indicazioni più recenti del CEO Lip-Bu Tan fissano i principali passaggi del progetto nel modo seguente:

Tan ha descritto il PDK 0.9 come il punto di controllo più importante, definendolo il “Santo Graal” del processo 14A perché dovrebbe essere determinante per coinvolgere i clienti .

Rispetto alle precedenti indicazioni, che collocavano la produzione di rischio nel 2027, la nuova pianificazione rappresenta uno slittamento di circa un anno .

Intel contro TSMC e Samsung: chi arriverà prima?

TSMC prevede di avviare la produzione del processo A14 nel 2028, secondo Bloomberg e altre ricostruzioni della roadmap . La prima versione di A14 non dovrebbe includere l'alimentazione posteriore; una variante con linee di alimentazione sul retro, indicata come A14P, è invece prevista per il 2029 .

Sul piano della produzione in grandi volumi, quindi, il target Intel del 2029 appare indietro di circa un anno rispetto al 2028 indicato per TSMC. Tan ha comunque sostenuto che la tempistica del 14A è allineata in modo ravvicinato a quella dell'A14, con entrambi i nodi collocati nella stessa classe tecnologica da 1,4 nm .

Per Samsung, le fonti disponibili la citano come concorrente nella corsa a 1,4 nm, ma non forniscono una data oggi confermata per la produzione di rischio o per la produzione di massa del processo SF1.4 .

Dopo il 14A arrivano 10A e 7A

La strategia di Intel non si ferma al prossimo nodo. Lip-Bu Tan ha confermato l'avvio dello sviluppo di due generazioni successive :

• 10A, processo in classe 1 nm;
• 7A, processo in classe inferiore a 1 nm.

L'annuncio è arrivato durante la 54ª conferenza annuale Global Technology, Media and Communications di J.P. Morgan, a Boston . Le date di produzione di questi due nodi non sono state definite nelle fonti disponibili, ma il loro sviluppo mostra che Intel sta già costruendo una roadmap pluriennale nell'era degli angstrom.

Il punto chiave

Il 14A di base unisce transistor gate-all-around RibbonFET 2 e alimentazione posteriore PowerDirect, con un miglioramento dichiarato fino al 30% della densità rispetto al 18A . Il possibile 14A2 spingerebbe oltre questo progetto con alimentazione su entrambi i lati e un passo M0 di circa 21 nm .

La sfida, però, non è soltanto tecnica. Intel dovrà rispettare il passaggio del PDK 0.9 a ottobre 2026, ottenere impegni concreti dai clienti tra la seconda metà del 2026 e la prima metà del 2027 e arrivare alla produzione di rischio nel 2028. Se il calendario sarà confermato, la produzione ad alto volume partirebbe nel 2029, mentre TSMC punta all'A14 già nel 2028 .

Cosa cambia nella distribuzione dell'energia

Nel 14A standard, la rete principale di alimentazione viene instradata dal retro del wafer. Il 14A2, stando alle indiscrezioni, combinerebbe invece:

• alimentazione posteriore, mantenendo PowerDirect come elemento centrale;
• alimentazione anteriore, destinata a una parte dei livelli metallici per gestire il carico elettrico complessivo .

Questa configurazione a doppio lato dovrebbe consentire di spingere ulteriormente la miniaturizzazione dei collegamenti. Il parametro più significativo è il passo del livello metallico M0:

La riduzione sarebbe resa possibile anche da miglioramenti legati al double patterning, una tecnica di esposizione che permette di imprimere schemi più fitti sui livelli del chip .

Il 14A di base promette già fino a circa il 30% in più di densità del chip rispetto a Intel 18A . Per il 14A2, però, Intel non ha comunicato nei materiali disponibili una percentuale precisa: è quindi corretto parlare di un potenziale incremento ulteriore, non di un risultato già confermato .

Perché Intel sta valutando questa strada

La pressione competitiva arriva soprattutto da TSMC A14 e dagli sforzi di Samsung sul nodo SF1.4 . In una fase in cui i nomi commerciali dei nodi non corrispondono necessariamente a una singola dimensione fisica del transistor, la densità complessiva e l'efficienza del processo diventano parametri decisivi.

Il doppio lato di alimentazione potrebbe offrire a Intel un vantaggio in termini di densità rispetto al 14A originale. La soluzione, tuttavia, non è priva di difficoltà. Un passo M0 di circa 21 nm può aumentare sensibilmente la resistenza elettrica e richiedere nuove strutture composite per distribuire la corrente. Anche i collegamenti nTSV esistenti potrebbero non essere sufficienti a sostenere carichi elettrici così elevati .

In altre parole, la doppia alimentazione non è soltanto un modo per aggiungere potenza: è un tentativo di risolvere il compromesso tra collegamenti più piccoli, distribuzione stabile dell'energia e resa produttiva.

La roadmap aggiornata di Intel 14A

Le indicazioni più recenti del CEO Lip-Bu Tan fissano i principali passaggi del progetto nel modo seguente:

Tan ha descritto il PDK 0.9 come il punto di controllo più importante, definendolo il “Santo Graal” del processo 14A perché dovrebbe essere determinante per coinvolgere i clienti .

Rispetto alle precedenti indicazioni, che collocavano la produzione di rischio nel 2027, la nuova pianificazione rappresenta uno slittamento di circa un anno .

Intel contro TSMC e Samsung: chi arriverà prima?

TSMC prevede di avviare la produzione del processo A14 nel 2028, secondo Bloomberg e altre ricostruzioni della roadmap . La prima versione di A14 non dovrebbe includere l'alimentazione posteriore; una variante con linee di alimentazione sul retro, indicata come A14P, è invece prevista per il 2029 .

Sul piano della produzione in grandi volumi, quindi, il target Intel del 2029 appare indietro di circa un anno rispetto al 2028 indicato per TSMC. Tan ha comunque sostenuto che la tempistica del 14A è allineata in modo ravvicinato a quella dell'A14, con entrambi i nodi collocati nella stessa classe tecnologica da 1,4 nm .

Per Samsung, le fonti disponibili la citano come concorrente nella corsa a 1,4 nm, ma non forniscono una data oggi confermata per la produzione di rischio o per la produzione di massa del processo SF1.4 .

Dopo il 14A arrivano 10A e 7A

La strategia di Intel non si ferma al prossimo nodo. Lip-Bu Tan ha confermato l'avvio dello sviluppo di due generazioni successive :

• 10A, processo in classe 1 nm;
• 7A, processo in classe inferiore a 1 nm.

L'annuncio è arrivato durante la 54ª conferenza annuale Global Technology, Media and Communications di J.P. Morgan, a Boston . Le date di produzione di questi due nodi non sono state definite nelle fonti disponibili, ma il loro sviluppo mostra che Intel sta già costruendo una roadmap pluriennale nell'era degli angstrom.

Il punto chiave

Il 14A di base unisce transistor gate-all-around RibbonFET 2 e alimentazione posteriore PowerDirect, con un miglioramento dichiarato fino al 30% della densità rispetto al 18A . Il possibile 14A2 spingerebbe oltre questo progetto con alimentazione su entrambi i lati e un passo M0 di circa 21 nm .

La sfida, però, non è soltanto tecnica. Intel dovrà rispettare il passaggio del PDK 0.9 a ottobre 2026, ottenere impegni concreti dai clienti tra la seconda metà del 2026 e la prima metà del 2027 e arrivare alla produzione di rischio nel 2028. Se il calendario sarà confermato, la produzione ad alto volume partirebbe nel 2029, mentre TSMC punta all'A14 già nel 2028 .