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ASML e TSMC preparano High-NA EUV per i grandi chip dei data center
ASML e TSMC guidano un’iniziativa aperta ad altri produttori e fornitori per passare, con High NA EUV, dalle fotomaschere da 6 a quelle da 12 pollici. High NA migliora la risoluzione, ma con le maschere attuali riduce l’area esponibile in un singolo passaggio: un limite per i chip AI e da data center più grandi.
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Key takeaways
- ASML e TSMC guidano un’iniziativa aperta ad altri produttori e fornitori per passare, con High NA EUV, dalle fotomaschere da 6 a quelle da 12 pollici.
- High NA migliora la risoluzione, ma con le maschere attuali riduce l’area esponibile in un singolo passaggio: un limite per i chip AI e da data center più grandi.
- La linea pilota per le maschere da 12 pollici è prevista entro il 2031; la piena prontezza dei sistemi per nodi avanzati è fissata al 2033.
AI Prompt
openai.comCreate a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What did ASML announce about working with major chipmakers to adapt its latest High NA extreme ultraviolet (EUV) lithography tools for produ. Article summary: ASML announced a joint industry initiative with TSMC—open to other High NA adopters and suppliers—to transition High NA EUV lithography from today’s 6 inch photomasks to 12 inch masks.. Topic tags: general web, ai, workflow, productivity, code. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts with fake numbers, clickbait thumb
ASML ha annunciato con TSMC un’iniziativa industriale congiunta, aperta agli altri utilizzatori di High-NA e ai fornitori della filiera, per trasferire la litografia EUV High-NA dalle attuali fotomaschere da 6 pollici a maschere da 12 pollici. Lo scopo è mantenere la maggiore precisione di High-NA, rendendola al tempo stesso adatta ai die molto estesi richiesti dai processori AI e per data center, inclusi quelli progettati da aziende come Nvidia. 13
Perché le maschere più grandi contano
La litografia EUV è la tecnologia con cui si proiettano sui wafer i circuiti dei chip. I sistemi EUV convenzionali impiegano ottiche con apertura numerica (NA) di 0,33 e un campo di esposizione completo, adatto anche a chip di grandi dimensioni. High-NA porta l’apertura numerica a 0,55: aumenta quindi la capacità di definire dettagli più fini, ma le sue ottiche anamorfotiche dimezzano il campo di esposizione rispetto alla piattaforma NXE quando si usano le attuali maschere da 6 pollici. 14
In pratica, High-NA offre più precisione ma una minore area di chip realizzabile con una singola esposizione. Per i die più grandi può essere necessario dividere il disegno in più esposizioni e poi ricomporlo, una procedura nota come stitching. È proprio questo il collo di bottiglia che ASML e TSMC intendono ridurre con le maschere da 12 pollici.
ASML indica per la piattaforma EXE High-NA una dimensione critica di 8 nm; la tecnologia è destinata alle future generazioni di semiconduttori con caratteristiche ancora più minute. 14
5 Il formato più grande dovrebbe consentire di esporre più contenuto a ogni passaggio, ridurre il ricorso allo stitching e sfruttare meglio i vantaggi della nuova ottica. Secondo ASML e TSMC, ciò può accrescere la produttività delle fabbriche, abbassare i costi di produzione e rendere High-NA più pratica per la produzione su larga scala.
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Chi sta già usando o valutando High-NA
- Intel è l’azienda più avanti nell’adozione: dopo test avviati nel 2024, nel 2026 ha iniziato a usare sistemi High-NA per una parte della produzione dei processori Panther Lake.
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- Intel e SK hynix sono stati indicati come futuri adottanti della tecnologia, mentre Intel e altri produttori di chip hanno già svolto test sulle macchine.
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- TSMC è co-leader formale dell’iniziativa sulle maschere da 12 pollici. Il suo percorso prevede prima l’uso di High-NA con le maschere esistenti da 6 pollici, quindi il passaggio al formato maggiore.
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- Samsung ha annunciato un ampliamento della collaborazione con ASML, l’intenzione di adottare High-NA per future produzioni di DRAM e la partecipazione all’iniziativa sulle maschere da 12 pollici.
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Le fonti disponibili non consentono però di stabilire date di produzione certe e specifiche per TSMC, Samsung o SK hynix oltre alle rispettive dichiarazioni di partecipazione, valutazione o adozione pianificata. Le indicazioni che attribuiscono a tutte e tre un avvio produttivo nel 2027-2028 non risultano sufficientemente dimostrate dal materiale fornito. 4
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Le scadenze: linea pilota nel 2031, prontezza nel 2033
ASML e TSMC puntano a realizzare una linea pilota per fotomaschere da 12 pollici entro il 2031. L’obiettivo è arrivare alla piena prontezza del sistema litografico per la produzione di nodi avanzati entro il 2033. 13
La copertura disponibile stima che il nuovo approccio con maschere grandi possa portare a un aumento della produttività di circa il 40%. L’annuncio ufficiale di ASML conferma la direzione del beneficio — maggiore produttività e minori costi — ma nell’estratto disponibile non quantifica il miglioramento. 8
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Va distinto questo dato dalle prestazioni delle macchine EUV di generazione attuale: il sistema ASML NXE:3800E raggiunge 220 wafer all’ora, il 37% in più rispetto all’NXE:3600D. Non è lo stesso indicatore del guadagno previsto dalla combinazione tra High-NA e maschere da 12 pollici. 1
Per il settore, la sfida non è quindi soltanto incidere circuiti più piccoli. È farlo anche su chip molto grandi, senza perdere efficienza produttiva: un passaggio cruciale mentre acceleratori AI e processori per data center continuano a spingere verso die sempre più estesi.
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ASML e TSMC guidano un’iniziativa aperta ad altri produttori e fornitori per passare, con High NA EUV, dalle fotomaschere da 6 a quelle da 12 pollici. High NA migliora la risoluzione, ma con le maschere attuali riduce l’area esponibile in un singolo passaggio: un limite per i chip AI e da data center più grandi.
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La linea pilota per le maschere da 12 pollici è prevista entro il 2031; la piena prontezza dei sistemi per nodi avanzati è fissata al 2033.