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Micron accelera sull’HBM4: obiettivo 100.000 wafer al mese entro fine 2026
Secondo fonti di settore, Micron mira a circa 100.000 wafer HBM in ingresso al mese entro la fine del 2026, grazie a nuovi investimenti in apparecchiature e al ramp up dell’HBM4 a 12 layer. Micron ha avviato nel primo trimestre 2026 le spedizioni in volume dell’HBM4 da 36 GB e 12 die, progettata per la piattaforma N...
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Key takeaways
- Secondo fonti di settore, Micron mira a circa 100.000 wafer HBM in ingresso al mese entro la fine del 2026, grazie a nuovi investimenti in apparecchiature e al ramp up dell’HBM4 a 12 layer.
- Micron ha avviato nel primo trimestre 2026 le spedizioni in volume dell’HBM4 da 36 GB e 12 die, progettata per la piattaforma Nvidia Vera Rubin; le nuove strutture in Asia sosterranno soprattutto la crescita dal 2027...
- Il piano renderebbe Micron un fornitore alternativo più rilevante nel mercato della memoria per l’IA, ma SK hynix conserva la leadership e Samsung sta recuperando rapidamente terreno.
AI Prompt
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Micron non intende aspettare l’apertura di una nuova fabbrica per aumentare sensibilmente la disponibilità di memoria HBM (High Bandwidth Memory). La leva immediata è un’altra: dedicare più impianti e apparecchiature esistenti all’HBM, in particolare all’HBM4 a 12 layer, mentre gli investimenti in Taiwan, Singapore e Giappone costruiscono la base produttiva per gli anni successivi.
Secondo fonti industriali, l’azienda punta a circa 100.000 wafer HBM in ingresso al mese entro la fine del 2026, dopo aver aggiunto fino a 60.000 wafer mensili di capacità. Sarebbe più del doppio rispetto ai circa 40.000-50.000 wafer mensili stimati per il 2025. Il dato riguarda però la capacità in input di wafer, non il numero di stack HBM finiti: le consegne effettive dipenderanno quindi dalle rese, dall’impilamento dei die e dalla capacità di packaging. 7
La leva immediata: HBM4 a 12 layer
Il prodotto centrale della strategia è l’HBM4 Micron da 36 GB, composto da 12 die impilati. Micron ha dichiarato di averne avviato le spedizioni in volume nel primo trimestre dell’anno solare 2026 e di averlo progettato per la piattaforma Vera Rubin di Nvidia. L’azienda indica una banda superiore a 2,8 TB/s e un’efficienza energetica migliore di oltre il 20% rispetto al proprio HBM3E. 9
Non si tratta semplicemente di vendere più DRAM convenzionale. L’HBM richiede die DRAM di fascia avanzata, interconnessioni TSV (through-silicon via, collegamenti verticali nel silicio), impilamento, packaging avanzato e qualificazione sulla piattaforma dell’acceleratore. Aumentare l’avvio dei wafer serve soltanto se anche le fasi a valle riescono a crescere mantenendo rese adeguate.
Micron ha inoltre inviato ai clienti campioni di un HBM4 da 48 GB con 16 die impilati, segnalando una possibile crescita della capacità per singola posizione HBM. I campioni, tuttavia, non equivalgono a una disponibilità commerciale su larga scala: il prodotto già in spedizione in volume è quello da 36 GB e 12 die. 9
Cosa indica davvero il traguardo dei 100.000 wafer
L’obiettivo riportato riflette una forte riallocazione della capacità e investimenti in strumenti produttivi; non significa che ogni wafer aggiuntivo diventerà subito memoria qualificata e disponibile per i clienti. I punti critici dell’esecuzione sono tre:
- Resa dell’HBM4: più wafer avviati non si traducono automaticamente, uno a uno, in stack conformi alle specifiche.
- Capacità di packaging avanzato: per l’HBM occorre assemblare e testare in massa die impilati verticalmente.
- Qualificazione e assegnazione ai clienti: la memoria deve essere convalidata per una specifica piattaforma di accelerazione prima di poter essere impiegata commercialmente.
La capacità HBM di Micron per l’anno solare 2026 risulta esaurita, mentre una parte della capacità del 2027 sarebbe già coperta da contratti. Le informazioni pubbliche sono invece meno nette sulle affermazioni secondo cui l’intero 2027 sarebbe già prenotato o che vi siano ordini definitivi per il 2028: tali dichiarazioni vanno quindi considerate meno solide rispetto al tutto esaurito del 2026. 6
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Taiwan, Singapore e Giappone: il sostegno alla fase successiva
Il ramp-up HBM del 2026 è la storia di breve periodo. I progetti di espansione fisica affrontano una necessità differente: creare una base di fornitura più ampia e resiliente dopo l’attuale collo di bottiglia.
Taiwan: una via più rapida a nuova capacità DRAM
Nel marzo 2026 Micron ha completato l’acquisizione del sito P5 di Tongluo, nella contea taiwanese di Miaoli, da PSMC. Il sito offre all’azienda un’ulteriore sede produttiva a Taiwan; l’avvio dei wafer è atteso nel 2027. 54
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Per l’HBM, una maggiore capacità di produzione DRAM è strategica perché gli stack consumano volumi rilevanti di die DRAM avanzati. Tongluo va quindi interpretato soprattutto come un abilitatore della futura offerta, non come la spiegazione principale dell’obiettivo da 100.000 wafer mensili entro fine 2026.
Singapore: il packaging conta quanto i wafer
L’impianto di packaging avanzato HBM di Micron a Singapore comporta un investimento di circa 7 miliardi di dollari. L’avvio delle attività era previsto nel 2026, mentre un’espansione significativa della capacità complessiva di packaging avanzato è attesa nel 2027. 57
La tempistica è importante: il packaging è un passaggio vincolante per l’HBM e la struttura di Singapore può contribuire a trasformare l’output DRAM in prodotti di memoria impilati e qualificati.
Micron sta anche costruendo a Singapore una fabbrica avanzata di wafer separata, con un investimento pianificato di 24 miliardi di dollari in dieci anni e fino a 700.000 piedi quadrati di camera bianca. L’impianto, situato nel complesso NAND già esistente, dovrebbe iniziare a produrre wafer nella seconda metà del 2028. Rafforza la presenza manifatturiera di lungo periodo, ma non va conteggiato come capacità HBM di breve termine. 51
Giappone: capacità per memoria avanzata sull’orizzonte successivo
Micron ha avviato i lavori per un’espansione da 1.500 miliardi di yen, circa 9,3 miliardi di dollari, a Hiroshima. La struttura produrrà memoria avanzata, inclusi prodotti rilevanti per l’HBM; la consegna e l’installazione delle apparecchiature dovrebbero iniziare nella seconda metà del 2028. 25
Come la nuova fabbrica di wafer di Singapore, il progetto di Hiroshima è un investimento di capacità con effetti più lontani nel tempo, non un contributo diretto al ramp-up HBM4 del 2026.
Il confronto con SK hynix e Samsung
Micron sta evolvendo da partecipante più piccolo del mercato HBM a terzo fornitore potenzialmente più incisivo, soprattutto per gli acceleratori IA di nuova generazione. L’ambizione di capacità non basta però a renderla leader.
TrendForce indicava SK hynix come leader all’inizio del 2026, con Samsung in recupero grazie a HBM3E e HBM4 e Micron in fase di espansione aggressiva. 40 Dati più recenti sulle quote di ricavi nel secondo trimestre attribuiscono il 50% a SK hynix e il 33% a Samsung, evidenziando il netto recupero di quest’ultima.
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Le percentuali esatte variano secondo la fonte, il trimestre e il metodo di misurazione: ricavi, bit forniti e wafer in ingresso non sono grandezze intercambiabili. La lettura di fondo è più utile del singolo dato: SK hynix mantiene il vantaggio di scala e di presenza consolidata; Samsung sta ricostruendo rapidamente slancio nell’HBM4; Micron cerca una quota più ampia attraverso qualificazioni di prodotto credibili e un’accelerazione della capacità.
In sintesi
L’obiettivo riportato di 100.000 wafer HBM mensili si basa sull’accelerazione della produzione e del packaging già disponibili attorno all’HBM4 a 12 layer, non sull’entrata in funzione nel 2026 di nuovi progetti greenfield. Le spedizioni in volume dell’HBM4 per Nvidia Vera Rubin forniscono la base di prodotto e piattaforma; Taiwan, Singapore e Giappone dovrebbero rendere la crescita più durevole dal 2027 in avanti. 7
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Se Micron riuscirà a sostenere rese e throughput del packaging avanzato, il piano potrà ridurre il divario di scala e aumentarne il peso come fornitore alternativo di memoria per l’IA. Da solo, però, non risolve la scarsità di HBM né ribalta la leadership di SK hynix, soprattutto mentre Samsung amplia a sua volta la presenza nell’HBM4.
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en.etnews.comUS Micron to Double HBM Capacity, Closing Gap with Samsung ...
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