La cinese ChangXin Memory Technologies (CXMT) sta rafforzando la propria posizione nelle memorie DRAM. Ha annunciato la produzione di massa della piattaforma G5 e presentato due prodotti LPDDR5X da 24 gigabit. Separatamente, secondo Reuters, prepara una linea di ricerca per valutare l’ingresso nelle NAND flash. La distinzione è decisiva: G5 è un annuncio di produzione; le NAND sono ancora un progetto riferito da fonti vicine ai piani dell’azienda.
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Che cosa offre G5, e che cosa non prova il +50%
Le DRAM sono la memoria di lavoro veloce usata dai processori di smartphone, PC, server e sistemi di intelligenza artificiale. Conservano i dati solo finché ricevono alimentazione. I nuovi prodotti LPDDR5X appartengono alla famiglia delle DRAM progettate per dispositivi mobili, dove contano capacità e consumi.
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CXMT dichiara che G5 permette di ricavare almeno il 50% di die lordi in più da ogni wafer rispetto alla precedente piattaforma G4, usando come unità di confronto una capacità equivalente di 8 gigabit. Un die è il singolo circuito ricavato dal disco di silicio, il wafer. Il riferimento agli 8 gigabit serve a confrontare la produzione potenziale: non significa che i nuovi LPDDR5X siano chip da 8 gigabit. Il conteggio lordo, inoltre, non sottrae i chip scartati per difetti o durante test e confezionamento.
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Anche l’effetto sui costi va letto con cautela. Se costo di lavorazione del wafer e resa produttiva restassero invariati, ottenere 1,5 volte i die equivalenti ridurrebbe il costo di lavorazione per die equivalente di circa un terzo, non del 50%. Nella pratica contano anche la resa e il costo del nuovo processo. Un’analisi precedente citata dal Korea Herald stimava per le DDR5 di CXMT un costo per bit superiore di oltre il 30% a quello dei tre leader del settore; l’annuncio di G5 non dimostra, da solo, che il divario sia stato colmato.
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CXMT indica inoltre un half-pitch di 11,95 nanometri nell’area attiva della matrice di memoria G5, ottenuto tramite patterning quadruplo autoallineato.
49 È la misura relativa a una struttura ripetuta della matrice, non la dimensione di ogni elemento del chip né una misura diretta delle prestazioni o del costo complessivo.
Quarta nelle DRAM, ma ancora distante dai leader
Secondo i dati TrendForce riportati a settembre, nel secondo trimestre 2026 CXMT era quarta per ricavi nel mercato DRAM, con il 9,5%. La precedevano Samsung con il 39,4%, SK hynix con il 24,9% e Micron con il 23,3%.
6 Una stima distinta di Counterpoint attribuiva a CXMT il 10%: le quote possono variare a seconda della società di ricerca.
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La crescita commerciale non equivale alla parità tecnologica. Una valutazione della Korea Semiconductor Industry Association collocava la Cina circa due anni dietro la Corea nelle DRAM e tre anni dietro nelle HBM, le memorie ad alta larghezza di banda impiegate con i processori per l’IA. Sono stime generali sul settore, non misurazioni specifiche di G5.
30 Le notizie su una produzione CXMT di HBM3E su piccola scala e su test con progettisti cinesi non provano ancora volumi competitivi né fissano una data certa per le generazioni successive.
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Nel frattempo, Samsung, SK hynix e Micron danno priorità alle HBM legate all’IA e alle memorie per server. Una crescita più contenuta dell’offerta di alcune DRAM convenzionali può lasciare spazio a fornitori più piccoli; le informazioni disponibili, però, non consentono di stabilire quanto questo fattore spieghi l’aumento della quota di CXMT.
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NAND a Pechino: per ora è ricerca
Le NAND flash svolgono un compito diverso dalle DRAM: conservano i dati anche senza alimentazione e sono usate, per esempio, negli SSD e nella memoria di archiviazione degli smartphone. Per CXMT entrarvi significherebbe sviluppare e qualificare una tecnologia produttiva distinta.
Il 18 settembre Reuters ha riferito, citando persone a conoscenza dei piani, che CXMT intende realizzare una linea di produzione per ricerca e sviluppo sulle NAND nel nuovo stabilimento di Pechino.
45 Se il progetto arrivasse al mercato, l’azienda si troverebbe accanto ai fornitori già affermati e alla specialista cinese delle NAND, Yangtze Memory Technologies (YMTC).
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45 Una linea di ricerca, però, non è una fabbrica commerciale: le notizie citate non stabiliscono una data di lancio, una capacità produttiva o impegni definitivi dei clienti.
Per misurare la scala dei concorrenti, TrendForce attribuiva nel secondo trimestre a Samsung il 29,3% del mercato NAND e a SK hynix il 18,2%.
6 Sono quote di un mercato che CXMT sta valutando di raggiungere, non vendite NAND già ottenute dall’azienda.
La prova da attendere è diversa per i due progetti. Per G5 sarà verificare se la maggiore densità si traduce in più chip vendibili e costi competitivi. Per le NAND, il primo traguardo sarà capire se la ricerca annunciata porterà a un prodotto qualificato per la vendita.
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