Samsung Pamer Roadmap Memori AI: zHBM, V-NAND 400+ Lapis, dan Kontrak Jangka Panjang

Berbeda dari NAND konvensional, desain ini memproduksi sel memori dan sirkuit periferal secara terpisah, lalu menyatukannya secara vertikal menggunakan teknologi wafer bonding . Samsung mengklaim pendekatan tersebut meningkatkan kepadatan memori sekitar 58% dibandingkan generasi V9, sekaligus berpotensi memperbaiki kinerja baca, tulis, dan I/O serta menekan konsumsi daya .

Pengumuman ini juga memiliki nilai simbolis: Samsung pertama kali memperkenalkan teknologi V-NAND di ajang yang sama pada 2013, atau 13 tahun sebelum FMS 2026 .

zHBM: HBM langsung di atas akselerator AI

Teknologi paling futuristis yang dipamerkan Samsung adalah zHBM. Pada rancangan ini, chip HBM ditempatkan secara vertikal langsung di atas die akselerator AI, bukan di sampingnya pada silicon interposer seperti yang digunakan dalam generasi HBM saat ini .

Dengan bantuan teknologi wafer bonding, struktur tersebut dirancang untuk memperpendek jarak perpindahan data antara memori dan prosesor. Samsung mengklaim zHBM berpotensi menawarkan:

• performa sekitar 8 kali HBM5;
• kepadatan memori lebih dari 10 kali HBM5;
• efisiensi energi hingga 3 kali lebih baik; dan
• pengurangan hambatan termal lebih dari setengahnya .

Namun, angka-angka tersebut masih merupakan klaim untuk arsitektur konsep. zHBM yang dipamerkan berupa model fisik atau mock-up, bukan produk yang sudah dipasarkan. Samsung juga belum memberikan jadwal komersialisasi . Jika kelak terealisasi, desain ini berpotensi menghilangkan kebutuhan akan silicon interposer yang selama ini menjadi fondasi setiap generasi HBM .

zNAND-O menyasar AI di perangkat tepi

Samsung turut memperkenalkan zNAND-O, konsep NAND 3D yang menggabungkan V-NAND dengan through-silicon via (TSV). Arsitektur ini memungkinkan empat atau delapan chip NAND ditumpuk dalam satu paket .

Samsung merancangnya untuk beban kerja edge AI, yaitu pemrosesan kecerdasan buatan yang dilakukan lebih dekat dengan perangkat atau sumber data, bukan sepenuhnya di pusat data. Fokusnya adalah meningkatkan efisiensi ruang, kinerja I/O, dan latensi .

Seperti zHBM, zNAND-O masih berstatus model konsep dan belum memiliki tanggal komersialisasi yang diumumkan .

HBM4E, HBM5, dan pemrosesan di dalam memori

Di stan pamerannya, Samsung juga menampilkan sampel HBM4E serta model konsep HBM5 . Perusahaan menyatakan telah memulai produksi massal HBM4 pada Februari 2026 menggunakan teknologi 1c DRAM dan chip 4 nm. Pada Mei 2026, Samsung juga menyatakan menjadi perusahaan pertama yang mengirimkan sampel HBM4E kepada pelanggan global .

Produksi massal HBM4E ditargetkan dimulai pada 2027 dengan proses Hybrid Bonding generasi keempat .

Selain itu, Samsung mendemonstrasikan LPDDR5X-PIM, yang disebut sebagai memori LPDDR pertama di industri dengan kemampuan processing-in-memory atau PIM . Teknologi ini menjalankan sebagian operasi data langsung di dalam memori, sehingga mengurangi perpindahan data antara memori dan CPU atau GPU. Untuk beban kerja inferensi AI yang sesuai, pendekatan tersebut dapat meningkatkan efisiensi sekaligus mengurangi konsumsi daya .

Samsung juga memamerkan platform SSD perusahaan generasi berikutnya, yakni PM1763 dan BM1773, yang ditujukan untuk infrastruktur AI .

Samsung kembali memimpin pasar DRAM

Roadmap teknologi tersebut hadir ketika posisi Samsung di pasar DRAM global kembali menguat. Menurut Counterpoint Research, Samsung menguasai 39% pasar DRAM global berdasarkan pendapatan pada kuartal II 2026. Angka itu menempatkannya di atas SK hynix yang meraih 26%, sementara Micron berada di 25% .

Perubahan peringkat ini didorong oleh permintaan kuat terhadap DRAM komoditas dan meningkatnya produksi HBM Samsung. Di sisi lain, harga HBM yang relatif stagnan turut menekan pangsa SK hynix . Meski pendapatan SK hynix tumbuh 214% secara tahunan, pangsa pasarnya turun dari 39% pada kuartal II 2025 menjadi 26% pada kuartal II 2026 .

Dengan hasil tersebut, Samsung merebut kembali posisi nomor satu setelah SK hynix sempat memimpin pada kuartal-kuartal sebelumnya .

Model bisnis baru: 60–70% kapasitas dikunci lewat LTA

Pada panggilan hasil keuangan kuartal II pada 30 Juli, Samsung mengumumkan perubahan besar dalam strategi penjualan memorinya. Perusahaan berencana menempatkan sekitar 60–70% total kapasitas produksi memori di bawah long-term supply agreements (LTA) atau perjanjian pasokan jangka panjang .

Struktur yang dijelaskan Samsung menggunakan model “rolling lima tahun”: kontrak memiliki masa dasar lima tahun, kemudian dapat diperpanjang satu tahun melalui negosiasi tahunan . Perjanjian ini juga mencakup uang muka. Samsung menyatakan telah menerima sekitar seperempat dari total pembayaran di muka yang ditargetkan .

Menurut laporan mengenai ketentuan kontrak tersebut, penurunan harga per kuartal dibatasi maksimal 5%, sementara fleksibilitas kenaikan harga pada dasarnya tidak dibatasi . Struktur itu dinilai menguntungkan pemasok karena memberi kepastian permintaan sekaligus membatasi tekanan penurunan harga.

Samsung mengatakan telah menyelesaikan LTA dengan lima pelanggan pusat data global dan sedang berada dalam tahap akhir pembicaraan dengan lima pelanggan lainnya . Sejumlah laporan mengaitkan lima pelanggan pertama dengan AWS, Microsoft, Google, Meta, dan Oracle, meski rincian kontrak tidak seluruhnya dipublikasikan . Sebagai perbandingan, Micron menargetkan sekitar 50% penjualannya melalui Strategic Customer Agreements .

Persaingan industri bergerak menuju memori bertingkat

Samsung bukan satu-satunya perusahaan yang membawa gagasan baru ke FMS 2026. SK hynix dan Sandisk memperkenalkan spesifikasi standar pertama High Bandwidth Flash (HBF), lapisan memori yang dirancang untuk menjembatani kesenjangan performa antara HBM dan SSD .

Spesifikasi HBF mencakup kapasitas hingga 512 GB dalam konfigurasi tumpukan 8 atau 16 die NAND, dengan bandwidth sekitar 0,4 TB/detik hingga 3,0 TB/detik. Teknologi ini menggunakan antarmuka Universal Chiplet Interconnect Express (UCIe), dengan Google dan Tenstorrent turut berpartisipasi dalam konsorsiumnya .

Kioxia memamerkan SSD NVMe GP1 Series PCIe 6.0 yang dioptimalkan untuk akses langsung GPU. Perusahaan itu juga mempresentasikan penyimpanan flash untuk infrastruktur AI bersama Nvidia, serta menampilkan SSD perusahaan CM10 dan NX1 yang mendukung pendinginan cair langsung .

Micron telah memproduksi massal SSD perusahaan 9650 PCIe 6.0 sejak Februari 2026 dan menyebutnya sebagai drive PCIe 6.0 komersial pertama . Sementara itu, SK hynix menampilkan NAND 4D generasi ke-10 dengan 375 lapis dan mengklaim peningkatan efisiensi daya 2,5 kali lipat .

Apa arti roadmap ini bagi industri AI?

Pesan utama Samsung di FMS 2026 bukan sekadar peningkatan jumlah lapisan atau kecepatan memori. Perusahaan sedang mendorong perubahan arsitektur: memori ditempatkan lebih dekat dengan komputasi, ditumpuk lebih tinggi, dan dioptimalkan untuk berbagai tingkatan kebutuhan AI.

zHBM dan zNAND-O masih berupa konsep, sehingga klaim performanya belum dapat disamakan dengan spesifikasi produk komersial. Namun, keduanya menunjukkan arah persaingan yang semakin jelas—HBM untuk bandwidth ekstrem, HBF sebagai lapisan antara HBM dan SSD, serta SSD PCIe 6.0 untuk kapasitas dan akses data berskala besar.

Di sisi bisnis, LTA memberi Samsung visibilitas permintaan yang lebih kuat dengan mengunci sebagian besar kapasitasnya untuk pelanggan AI. Jika target 60–70% tersebut tercapai, persaingan memori tidak hanya akan ditentukan oleh siapa yang memiliki teknologi tercepat, tetapi juga siapa yang mampu mengamankan kapasitas produksi dan hubungan jangka panjang dengan operator pusat data terbesar.