JawabanDipublikasikan24 sumber
Samsung dan SK hynix Ungkap Babak Baru HBM: Perang AI Kini Ditentukan oleh Kemasan Chip
Samsung mulai mengirim sampel HBM4E 12 layer kepada pelanggan global pada akhir Mei. Samsung mengarahkan HBM dari produk standar menuju cHBM yang dapat disesuaikan untuk akselerator tertentu, lalu zHBM yang menumpuk logika prosesor dan DRAM secara vertikal.
Diterbitkan olehDiedit dengan GPT-5.6 LunaGambar dibuat dengan GPT Image 1.5
Jawaban penelitian
Poin-poin penting
- Samsung mulai mengirim sampel HBM4E 12 layer kepada pelanggan global pada akhir Mei.
- Samsung mengarahkan HBM dari produk standar menuju cHBM yang dapat disesuaikan untuk akselerator tertentu, lalu zHBM yang menumpuk logika prosesor dan DRAM secara vertikal.
- SK hynix meneliti hybrid bonding untuk stack di atas 16 layer, tetapi menyatakan teknologi itu kemungkinan belum siap untuk HBM4E dan paling cepat diterapkan pada HBM5.
AI Perintah
openai.comCreate a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What did Samsung and SK hynix reveal at Hot Chips 2026 about their HBM roadmaps, including Samsung’s planned 16 Gbps-per-pin HBM4E reaching. Article summary: Samsung presented a roadmap centered on faster HBM4E, increasingly customized base dies, and ultimately processor-on-memory zHBM; SK hynix emphasized that advanced packaging, thermals, wafer warpage, and stack-height lim. Topic tags: general, general web, user generated, news. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts wi
Samsung dan SK hynix membawa dua jawaban berbeda untuk satu persoalan yang sama di Hot Chips 2026: bagaimana meningkatkan bandwidth memori AI tanpa membuat panas, ukuran package, dan kompleksitas manufaktur menjadi tidak terkendali.
Samsung menonjolkan kecepatan, base die yang dapat disesuaikan dengan kebutuhan pelanggan, serta visi jangka panjang untuk menempatkan memori langsung di atas prosesor. SK hynix lebih banyak membahas package itu sendiri—mulai dari pendinginan, warpage, interkoneksi, hingga batas fisik stack yang semakin tinggi. 2
3
Angka-angka yang diumumkan memang besar, tetapi perlu dibaca sebagai spesifikasi vendor, target roadmap, atau klaim desain—bukan hasil benchmark independen.
Target HBM4E Samsung: 3,6 TB/s saat ini, sekitar 4 TB/s pada 16 Gbps
Samsung mengatakan telah mulai mengirim sampel HBM4E 12-layer kepada pelanggan global utama pada akhir Mei. Sampel tersebut memiliki kecepatan pin stabil 14 Gbps, dengan performa yang dapat ditingkatkan hingga 16 Gbps. Untuk versi 12-layer, Samsung mencantumkan bandwidth 3,6 TB/s dan kapasitas 48 GB per stack. 17
18
Konfigurasi yang ditargetkan berjalan pada 16 Gbps per pin akan mendorong bandwidth per stack menjadi sekitar 4 TB/s. Samsung juga memaparkan varian 8-layer dan 16-layer, yang menunjukkan bahwa HBM4E dirancang untuk melayani lebih dari satu jenis akselerator dan konfigurasi kapasitas. 18
20
Perbedaan antara sampel yang sudah dikirim dan target kecepatan yang lebih tinggi ini penting. Angka 14 Gbps menggambarkan spesifikasi stabil pada sampel saat ini, sedangkan 16 Gbps merupakan tingkat performa maksimum yang ingin dicapai Samsung. Karena itu, angka bandwidth tersebut tidak otomatis dapat disamakan dengan hasil pengujian produksi yang telah tervalidasi.
Samsung menggeser HBM dari komponen standar menuju memori khusus
Roadmap Samsung tidak hanya berbicara tentang peningkatan kecepatan DRAM atau penambahan jumlah layer. Perusahaan itu menggambarkan peralihan menuju cHBM, atau custom HBM, yaitu pendekatan yang memungkinkan base die disesuaikan dengan akselerator milik pelanggan. Dengan cara ini, package memori memegang peran yang lebih aktif dalam sistem secara keseluruhan, bukan sekadar menjadi komponen standar. 1
14
Tujuan jangka panjangnya adalah zHBM, struktur tiga dimensi yang mengintegrasikan logika prosesor dan DRAM secara vertikal. Samsung menyebut pendekatan ini dapat menghilangkan sebagian jalur koneksi konvensional pada package 2.5D, termasuk interposer dan tautan SerDes, sehingga efisiensi serta bandwidth berpotensi meningkat secara signifikan. 1
14
Samsung menyatakan zHBM dapat menawarkan efisiensi daya sekitar 70% lebih baik dan bandwidth DRAM lebih dari dua kali lipat dibandingkan desain konvensional yang relevan. Namun, angka tersebut merupakan proyeksi atau klaim perusahaan mengenai arsitektur masa depan, bukan hasil pengukuran dari produk zHBM komersial. 1
3
Panas kini menjadi batas utama dalam desain HBM
Kecepatan I/O yang lebih tinggi dan stack yang lebih padat meningkatkan panas yang harus dikeluarkan dari package. Respons Samsung adalah Heat Path Block atau HPB, yang menciptakan jalur tambahan untuk membuang panas di sekitar area physical layer (PHY) berdaya tinggi. Samsung mengatakan HPB dapat menurunkan suhu puncak lebih dari 35% ketika mencakup lebih dari 50% area PHY. 10
14
Samsung juga menyatakan bahwa teknologi tersebut telah diterapkan dan diverifikasi pada HBM4E, serta akan diintegrasikan lebih luas pada HBM5. 4
7 Pesan strategisnya jelas: pendinginan bukan lagi sekadar fitur pendukung package memori. Teknologi ini mulai menjadi bagian dari arsitektur yang menentukan seberapa cepat antarmuka dapat beroperasi.
Bagi SK hynix, peningkatan HBM terutama adalah persoalan package
Presentasi SK hynix di Hot Chips meninjau generasi HBM berikutnya dari sisi manufaktur dan integrasi. Perusahaan tersebut membandingkan beberapa cara untuk menghubungkan stack HBM dengan akselerator, termasuk CoWoS-S berbasis silicon interposer besar, CoWoS-L dengan RDL interposer, serta EMIB milik Intel yang menggunakan bridge. Masing-masing pendekatan memiliki kompromi terkait routing, penempatan die, ukuran interposer atau substrat, dan warpage package ketika semakin banyak stack memori ditempatkan di samping akselerator. 11
12
Informasi packaging HBM milik SK hynix juga menunjukkan betapa ketatnya batas desain ini. Sebuah package HBM4 disebut memiliki tinggi Z 775 mikrometer, dengan ribuan TSV dan micro-bump pada base die. Ketika stack dibuat semakin tinggi, perancang harus mengelola die yang lebih tipis, jarak antarkomponen yang lebih sempit, tekanan mekanis, serta pembuangan panas dalam volume package yang terbatas. 11
12
Roadmap SK hynix memasukkan EMIB sebagai salah satu opsi integrasi 2.5D. Hal ini menunjukkan adanya minat teknis atau kompatibilitas dengan pendekatan packaging tersebut, tetapi tidak dengan sendirinya membuktikan adanya kemitraan komersial yang telah dikonfirmasi antara SK hynix dan Intel. 12
iHBM diarahkan untuk mengatasi titik panas lokal
SK hynix juga mengembangkan iHBM, sebuah pendekatan pendinginan yang menempatkan material dengan konduktivitas termal tinggi di dekat titik-titik panas lokal di dalam struktur HBM. Perusahaan itu mengklaim desain tersebut dapat mengurangi resistansi termal lebih dari 30%. 2
9
Perbedaan iHBM dan HPB cukup menarik. Keduanya berusaha mengatasi panas pada level die-to-die dan package, tetapi menekankan jalur fisik yang berbeda. Samsung menjelaskan struktur khusus untuk menyalurkan panas di sekitar area PHY, sedangkan SK hynix berfokus mengarahkan panas menjauh dari titik panas internal tertentu.
Laporan yang tersedia masih menggambarkan klaim vendor dan konsep pengembangan. Karena itu, persentase pengurangan panas dari kedua teknologi tersebut tidak boleh dianggap sebagai hasil pengujian yang dapat dibandingkan secara langsung.
Hybrid bonding menjadi jalan menuju stack di atas 16 layer—tetapi belum untuk HBM4E
Penambahan layer dengan metode konvensional pada akhirnya terbentur batas ketebalan. SK hynix mengatakan hybrid bonding sedang diteliti sebagai cara untuk melampaui stack 16-layer, dengan potensi menghasilkan struktur yang lebih tinggi, die yang lebih tebal, dan pitch yang lebih rapat. 1
3
Namun, perusahaan tersebut tidak memperkirakan hybrid bonding siap digunakan pada HBM4E. Sasaran paling awal kemungkinan adalah HBM5, dan waktu tersebut masih berupa ekspektasi pengembangan, bukan jadwal produk yang telah dikonfirmasi. 2
5
Hal ini menjadikan HBM5 berpotensi sebagai titik transisi. HBM4E masih dapat meningkatkan kecepatan dan kapasitas menggunakan metode stacking serta packaging yang ada, tetapi generasi berikutnya mungkin membutuhkan teknik bonding, termal, dan mekanis baru agar peningkatan skala tetap praktis.
Kesimpulan: bandwidth saja tidak akan menentukan generasi HBM berikutnya
Presentasi Samsung menunjukkan bahwa keunggulan kompetitif berikutnya dapat berasal dari kustomisasi dan integrasi prosesor-memori yang lebih erat. Sampel HBM4E menawarkan peningkatan kecepatan dalam waktu dekat, sedangkan cHBM dan zHBM mengarah pada package memori yang dirancang khusus untuk akselerator tertentu dan pada akhirnya terintegrasi langsung dengan komputasi. 1
18
Pesan SK hynix adalah bahwa peningkatan performa tersebut hanya mungkin dicapai setelah persoalan fisik yang kurang terlihat ikut diselesaikan: warpage package, resistansi termal, kepadatan routing, tinggi stack, dan yield manufaktur. iHBM serta riset hybrid bonding merupakan upaya untuk memperpanjang kemampuan teknologi memori bertumpuk tanpa mengabaikan batas-batas tersebut. 2
11
Bagi perancang akselerator AI, kesimpulan praktisnya semakin jelas: roadmap HBM kini berbicara tentang keseluruhan package, bukan hanya die DRAM. Samsung bertaruh pada kustomisasi dan integrasi 3D, sementara SK hynix mengandalkan rekayasa packaging dan disiplin manufaktur. Keduanya belum menghapus kompromi mendasar antara bandwidth yang lebih tinggi, panas yang lebih besar, dan kompleksitas integrasi yang semakin tinggi.
Studio Global AI
Lanjutkan penelitian Anda
Halaman ini berisi jawaban yang didukung sumber yang dapat Anda lanjutkan di dalam Studio Global.
Orang-orang juga bertanya
Apa jawaban singkat untuk "Samsung dan SK hynix Ungkap Babak Baru HBM: Perang AI Kini Ditentukan oleh Kemasan Chip"?
Samsung mulai mengirim sampel HBM4E 12 layer kepada pelanggan global pada akhir Mei.
Apa poin penting yang harus divalidasi terlebih dahulu?
Samsung mulai mengirim sampel HBM4E 12 layer kepada pelanggan global pada akhir Mei. Samsung mengarahkan HBM dari produk standar menuju cHBM yang dapat disesuaikan untuk akselerator tertentu, lalu zHBM yang menumpuk logika prosesor dan DRAM secara vertikal.
Apa yang harus saya lakukan selanjutnya dalam latihan?
SK hynix meneliti hybrid bonding untuk stack di atas 16 layer, tetapi menyatakan teknologi itu kemungkinan belum siap untuk HBM4E dan paling cepat diterapkan pada HBM5.