Startup Swiss Minysa Gaet Pendanaan €163K untuk Ciptakan Chip Driver GaN yang Bikin Sistem Daya Listrik Makin Kecil, Dingin, dan Murah

Elektronika daya berbasis silikon sudah mencapai batasnya. Driver berbasis silikon saat ini terlalu panas, terlalu besar, dan terlalu mahal untuk aplikasi berat seperti e-mobility, drone, satelit, dan pusat data . Gallium nitride (GaN) bisa memperbaiki semua itu — tetapi hanya jika cara mengemudikannya (drive) tepat.

Hadirlah Minysa, sebuah startup semikonduktor deep-tech asal Swiss yang didirikan oleh Salem Abid. Pada Juni 2026, Minysa berhasil mengamankan dana sebesar CHF 150.000 (≈€163.000) dari pendanaan Venture Kick Tahap III untuk mempercepat pengembangan ASICs driver gerbang (gate-driver) GaN dan modul dayanya . Perusahaan ini membangun 'bagian yang hilang' yang membuat GaN dapat diakses oleh para produsen elektronika daya mainstream.

GaN vs. Silikon: Apa yang Membuat GaN Jauh Lebih Baik

GaN adalah semikonduktor celah pita lebar (wide-bandgap/WBG). Sifat materialnya memberikan keunggulan fundamental dibandingkan silikon konvensional:

• Kecepatan switching lebih tinggi — Transistor GaN dapat beralih kira-kira 10× lebih cepat daripada MOSFET silikon .
• Suhu operasi lebih tinggi — Celah pita yang lebih lebar memungkinkan operasi yang andal pada suhu sambungan (junction) yang jauh lebih tinggi .
• Hambatan on-resistance lebih rendah per luas die — Ini mengurangi rugi-rugi konduksi .
• Ukuran fisik lebih kecil — Perangkat GaN kira-kira 10× lebih kecil dari padanan silikonnya, mengecilkan jejak sistem secara keseluruhan .
• Efisiensi lebih tinggi — Kombinasi rugi-rugi switching dan konduksi yang lebih rendah memungkinkan efisiensi inverter >99% pada beberapa implementasi .
• Kepadatan daya lebih tinggi — Switching yang lebih cepat dan pasif yang lebih kecil memungkinkan lebih banyak daya dikemas dalam volume yang lebih sedikit .

Literatur teknis yang dipublikasikan secara konsisten mendokumentasikan keunggulan ini. Sebuah perbandingan industri menggambarkan transistor GaN sebagai "10 kali lebih cepat dan 10 kali lebih kecil" dari rekan silikonnya . Sumber lain mencatat bahwa FET GaN memiliki muatan pemulihan balik (reverse-recovery charge) nol, yang menghasilkan rugi-rugi switching 4–5× lebih rendah daripada silikon .

Tiga Hambatan yang Diatasi Minysa

Meskipun GaN memiliki keunggulan yang jelas, adopsi secara luas terhambat oleh tiga kendala :

1. Kompleksitas desain — Mengendarai transistor GaN memerlukan sirkuit driver gerbang (gate-driver) khusus. Ini bukan pengganti langsung (drop-in) untuk silikon.
2. Biaya sistem tinggi — Kurangnya solusi terintegrasi yang siap pakai membuat biaya tingkat sistem tetap tinggi.
3. Kurangnya modul plug-and-play — Insinyur membutuhkan blok bangunan yang sudah tervalidasi dan mudah digunakan.

Pendekatan Minysa adalah memberikan ASICs driver gerbang GaN terintegrasi dan modul daya plug-and-play (termasuk solusi system-in-package) yang menangani integrasi driver yang sulit dan fungsi perlindungan pada chip. Seperti yang dinyatakan dalam profil Venture Kick sendiri, tujuan Minysa adalah membuat GaN "dapat diakses oleh produsen elektronika daya mainstream" .

Pasar Sasaran: Mulai dari Luar Angkasa, Skalakan ke Pasar >$5 Miliar

Fokus awal Minysa adalah sektor elektronika daya luar angkasa Eropa, di mana toleransi radiasi, efisiensi, dan miniaturisasi menjadi sangat kritis . Perusahaan telah resmi bergabung dengan ESA Business Incubation Centre Switzerland (ESA BIC Switzerland), mendapatkan akses ke ekosistem luar angkasa dan mitra strategis .

Pasar yang dapat dijangkau (addressable markets) yang lebih luas, dengan total nilai > $5 Miliar, meliputi :

• Kendaraan listrik (EV)
• Drone
• Dirgantara (Aerospace)
• IoT Industri
• Robotika
• Pusat data

Traksi Pelanggan dan Konteks ESA

Sumber publik mengonfirmasi bahwa Minysa sedang mengerjakan IC GaN yang toleran terhadap radiasi untuk luar angkasa dan telah bekerja sama dengan pelanggan di sektor luar angkasa dan industri . Ambisi perusahaan, sebagaimana dinyatakan dalam materi mereka sendiri, adalah "membangun, dari Swiss, teknologi semikonduktor yang berdaulat untuk industri luar angkasa Eropa" .

Penting untuk dicatat bahwa nama empat pelanggan spesifik industri luar angkasa dan dua program yang didanai ESA yang dirujuk dalam beberapa pertanyaan tidak tercantum secara eksplisit dalam pelaporan publik yang tersedia saat ini (Tech.eu, Venture Kick, punkt4, Moneycab) . Pekerjaan pengembangan ESA sebelumnya tentang integrasi GaN monolitik — seperti program GANIC4S dengan mitra seperti Thales Alenia Space dan IMEC — ada dalam ekosistem GaN Eropa yang lebih luas, tetapi program-program tersebut mendahului traksi komersial Minysa saat ini dan berbeda dari peta jalan produknya sendiri .

Intinya

Minysa sedang memecahkan masalah teknik paling sulit dalam elektronika daya GaN: driver gerbang (gate driver). Dengan mengintegrasikan perlindungan, penginderaan, dan pemantauan ke dalam satu chip, perusahaan ini menghilangkan hambatan desain yang selama ini menghalangi GaN untuk menjadi mainstream. Dengan dana segar €163K dari Venture Kick dan jalur yang jelas dari luar angkasa ke e-mobility, Minysa memposisikan dirinya sebagai fasilitator kunci generasi berikutnya dari sistem daya — lebih kecil, lebih dingin, dan secara radikal lebih efisien.