ASML Siapkan Masker 12 Inci agar High-NA EUV Bisa Mencetak Chip AI Raksasa

ASML mengumumkan inisiatif industri bersama TSMC untuk memindahkan litografi High-NA EUV dari photomask 6 inci yang dipakai saat ini ke format 12 inci. Inisiatif tersebut terbuka bagi pengguna High-NA dan pemasok lain. Sasarannya: mempertahankan kemampuan High-NA dalam mencetak pola yang lebih halus, sekaligus memungkinkan pembuatan die—bidang silikon tempat rangkaian chip dibuat—berukuran sangat besar seperti prosesor AI dan pusat data rancangan Nvidia serta perusahaan lain. 1013

Mengapa High-NA EUV masih dibatasi ukuran chip

EUV konvensional ASML memakai sistem optik dengan numerical aperture (NA) 0,33 dan memiliki bidang eksposur penuh yang sesuai untuk chip berukuran besar. High-NA menaikkan NA menjadi 0,55, sehingga resolusinya lebih baik. Namun, optik anamorfik pada platform High-NA membuat bidang eksposur menjadi separuh dari pendahulunya, NXE, ketika masih menggunakan format masker 6 inci. Artinya, fitur sirkuit bisa lebih rapat, tetapi luas chip yang dapat dicetak dalam sekali eksposur menjadi lebih kecil. 14

ASML menyebut platform EXE berbasis High-NA mampu mencapai critical dimension 8 nm. Teknologi ini ditujukan bagi generasi chip berikutnya yang membutuhkan fitur lebih kecil, termasuk chip AI. 145

Untuk chip sangat besar, keterbatasan bidang ini dapat memaksa penggunaan beberapa eksposur yang kemudian disambungkan (stitching). Masker 12 inci dimaksudkan untuk mengurangi hambatan tersebut, sehingga desain besar memerlukan lebih sedikit proses stitching. Menurut ASML, TSMC, dan Samsung, langkah itu berpotensi menaikkan produktivitas pabrik, menurunkan biaya pembuatan chip, serta membantu produsen memanfaatkan keunggulan High-NA secara lebih penuh. 10913

Siapa yang sudah memakai atau mengevaluasi High-NA?

• Intel merupakan pihak yang paling maju. Setelah memulai eksperimen pada 2024, Intel mulai memakai mesin High-NA untuk sebagian produksi prosesor Panther Lake pada 2026. 1712
• Intel dan SK Hynix disebut sebagai calon pengguna High-NA, sementara Intel dan produsen chip lain telah menguji peralatannya. 45
• TSMC menjadi rekan resmi ASML dalam inisiatif masker 12 inci. Transisi High-NA diharapkan dimulai dengan masker 6 inci yang sudah ada, sebelum beralih ke format besar. 1011
• Samsung memperluas kerja sama High-NA dengan ASML, merencanakan pemakaian teknologi tersebut untuk manufaktur DRAM masa depan, dan bergabung dalam inisiatif masker 12 inci. 9

Informasi yang tersedia belum menetapkan tanggal produksi komersial yang pasti dan spesifik untuk TSMC, Samsung, maupun SK Hynix, selain partisipasi, evaluasi, atau rencana adopsi mereka. Klaim bahwa ketiganya pasti berproduksi massal pada 2027–2028 belum cukup didukung oleh bukti yang disediakan. 4935

Jadwal masker besar dan dampak produktivitas

ASML dan TSMC menargetkan pilot line photomask 12 inci pada 2031. Kesiapan penuh sistem litografi untuk produksi node canggih ditargetkan pada 2033. 1011

Laporan yang tersedia memperkirakan pendekatan masker besar dapat meningkatkan produktivitas sekitar 40%. Pengumuman resmi ASML sendiri mendukung arah manfaatnya—produktivitas lebih tinggi dan biaya lebih rendah—tetapi tidak mencantumkan angka persentase itu dalam kutipan yang tersedia. 810

Angka ini berbeda dari peningkatan pada mesin EUV generasi saat ini. Sistem NXE:3800E milik ASML memiliki throughput 220 wafer per jam, atau 37% lebih tinggi daripada NXE:3600D. Peningkatan tersebut tidak sama dengan proyeksi produktivitas dari penggunaan masker 12 inci pada High-NA. 1