China semakin mampu menawarkan jenis chip memori yang juga dibuat pesaingnya di Korea Selatan. Namun, memiliki produk dari generasi yang sama belum berarti mampu membuatnya dalam jumlah besar dengan hasil yang konsisten. Perbedaan itu paling penting untuk high-bandwidth memory (HBM), memori berkecepatan tinggi yang dibuat dengan menumpuk beberapa keping DRAM.
5
1
Seberapa jauh jaraknya?
Menurut perkiraan Korea Semiconductor Industry Association, China tertinggal sekitar tiga tahun dalam HBM, dua tahun dalam DRAM, dan satu tahun dalam NAND flash dibandingkan Korea Selatan. Ini perkiraan kesenjangan teknologi secara umum, bukan ukuran bahwa volume produksi, tingkat keberhasilan produksi, atau biayanya sudah setara. Perbandingan NAND terutama menyangkut YMTC, sedangkan DRAM dan HBM menyangkut CXMT.
5
2
Apa arti peluncuran DRAM CXMT?
CXMT telah bergerak dari DDR5 ke LPDDR5X yang diproduksi massal dan menyatakan LPDDR6 juga telah masuk produksi massal. Perusahaan itu turut mengumumkan produksi massal platform DRAM G5, termasuk produk LPDDR5X berkapasitas 24 gigabit. Ini menunjukkan bahwa kesenjangan jenis produk yang tersedia menyempit. Namun, CXMT belum mengungkap berapa persen chip G5 yang lolos produksi maupun berapa output bulanannya. Karena itu, pengumuman tersebut belum membuktikan kemampuan manufakturnya setara dengan Samsung Electronics atau SK hynix.
20
34
27
26
Mengapa HBM lebih sulit dibuat?
Berbeda dari satu keping DRAM, HBM mengharuskan beberapa keping bekerja bersama dalam satu tumpukan. Jalur penghubung vertikal yang disebut through-silicon vias (TSV) harus dibuat dengan andal. Setelah itu, keping-kepingnya mesti ditumpuk, disejajarkan, dan direkatkan. Setiap tahap menambah peluang cacat pada produk akhir.
1
19
Tingkat keberhasilan produksi—atau yield, yakni proporsi produk yang lolos—pada uji coba awal HBM3 CXMT dilaporkan sekitar 25%. Sebuah laporan Korea Selatan menyebut sekitar 80% sebagai patokan untuk produksi massal. Keduanya bukan angka hasil produksi yang diumumkan CXMT, dan angka 80% bukan ambang yang berlaku untuk semua produk HBM. Secara terpisah, SemiAnalysis memodelkan tingkat keberhasilan keseluruhan sekitar 25% berdasarkan asumsi proses tahap awal dan akhir versinya sendiri. Berbagai laporan juga tidak seragam dalam menyebut produk uji coba itu sebagai HBM3 atau HBM3E.
1
33
7
Bisakah keahlian YMTC membantu?
Sebuah laporan menyebut rencana menerapkan keahlian hybrid bonding tembaga-ke-tembaga XStacking milik YMTC pada keping DRAM CXMT dari proses G4. Pendekatan itu menyasar salah satu tantangan penting dalam menumpuk keping. Namun, adanya rencana belum membuktikan teknologi tersebut sudah berhasil dialihkan, lolos kualifikasi, atau meningkatkan jumlah HBM jadi yang lolos pengujian. Teknik perekatan itu sendiri juga tidak menyelesaikan persoalan pembuatan TSV maupun semua sumber cacat lain dalam satu tumpukan.
10
1
Tolok ukur berikutnya adalah tingkat keberhasilan yang dapat diulang pada HBM bertumpuk utuh, telah diuji, dan diproduksi dalam volume komersial. Kemajuan LPDDR menunjukkan CXMT makin maju dalam DRAM. Laporan hasil uji coba HBM menunjukkan mengapa mengejar generasi produk belum sama dengan mampu membuatnya secara kompetitif.
27
1
33