Samsung का FMS 2026 मेमोरी रोडमैप: 400+ लेयर V-NAND, zHBM और AI ग्राहकों के लिए लंबी अवधि के करार

Samsung के अनुसार, इस डिजाइन से पिछली V9 पीढ़ी की तुलना में मेमोरी डेंसिटी लगभग 58% बढ़ती है । कंपनी ने रीड, राइट और I/O प्रदर्शन में सुधार तथा बिजली खपत में कमी का भी दावा किया है । यह Samsung के V-NAND इतिहास में एक महत्वपूर्ण पड़ाव है—कंपनी ने पहली बार V-NAND तकनीक की घोषणा इसी सम्मेलन में 2013 में की थी, यानी लगभग 13 साल पहले ।

zHBM: AI चिप के ऊपर वर्टिकल मेमोरी

Samsung की सबसे ज्यादा चर्चा वाली घोषणा zHBM रही। मौजूदा HBM पैकेजिंग में मेमोरी आम तौर पर AI एक्सेलरेटर के साथ, सिलिकॉन इंटरपोजर पर रखी जाती है। zHBM कॉन्सेप्ट में HBM को AI एक्सेलरेटर के सीधे ऊपर वर्टिकल रूप से स्टैक करने की कल्पना की गई है । इसे उन्नत वेफर-बॉन्डिंग तकनीक से संभव बनाने का लक्ष्य है ।

Samsung का दावा है कि साकार होने पर zHBM:

• HBM5 की तुलना में लगभग 8 गुना प्रदर्शन दे सकता है;
• 10 गुना से अधिक मेमोरी डेंसिटी हासिल कर सकता है;
• ऊर्जा दक्षता में 3 गुना सुधार कर सकता है;
• थर्मल रेजिस्टेंस को आधे से भी कम कर सकता है ।

हालांकि, इन आंकड़ों को फिलहाल Samsung के कॉन्सेप्ट-स्तर के दावों के रूप में देखना चाहिए। zHBM को सम्मेलन में एक भौतिक मॉक-अप के रूप में दिखाया गया था, यह शिपिंग प्रोडक्ट नहीं है और कंपनी ने इसके व्यावसायीकरण की कोई समयसीमा नहीं बताई । यदि यह वास्तुकला वास्तविक उत्पाद में बदलती है, तो यह अब तक की HBM पीढ़ियों में इस्तेमाल होते आए सिलिकॉन इंटरपोजर की भूमिका को चुनौती दे सकती है ।

zNAND-O: एज AI के लिए 3D NAND कॉन्सेप्ट

Samsung ने zNAND-O भी प्रदर्शित किया। इसमें V-NAND को TSV यानी Through-Silicon Via तकनीक के साथ मिलाकर एक पैकेज में 4 या 8 NAND चिप वर्टिकल रूप से स्टैक की जाती हैं ।

इसका लक्ष्य एज AI वर्कलोड है—ऐसे AI कार्य जो क्लाउड डेटा सेंटर के बजाय डिवाइस या स्थानीय सिस्टम पर चलते हैं। Samsung के अनुसार, zNAND-O जगह के बेहतर इस्तेमाल, तेज I/O और कम लेटेंसी में मदद कर सकता है । zHBM की तरह zNAND-O भी अभी कॉन्सेप्ट मॉडल है और इसके बाजार में आने की तारीख घोषित नहीं की गई है ।

HBM4E सैंपल और HBM5 मॉडल

बूथ पर Samsung ने HBM4E सैंपल और HBM5 कॉन्सेप्ट मॉडल भी दिखाए । कंपनी के अनुसार, उसने फरवरी 2026 में 1c DRAM और 4nm चिप तकनीक पर आधारित HBM4 का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू किया था। मई 2026 में Samsung ने वैश्विक ग्राहकों को HBM4E सैंपल देने वाली पहली कंपनी बनने की बात कही ।

HBM4E का बड़े पैमाने पर उत्पादन 2027 के लिए लक्षित है और इसमें Samsung की चौथी पीढ़ी की Hybrid Bonding प्रक्रिया इस्तेमाल की जानी है ।

LPDDR5X-PIM: मेमोरी के अंदर ही कुछ प्रोसेसिंग

Samsung ने LPDDR5X-PIM (Processing-in-Memory) भी प्रदर्शित किया। कंपनी इसे ऑन-चिप PIM क्षमता वाली पहली LPDDR मेमोरी बताती है ।

इस डिजाइन में कुछ डेटा ऑपरेशन मेमोरी के भीतर ही किए जाते हैं। इससे CPU या GPU और मेमोरी के बीच डेटा आने-जाने की जरूरत घट सकती है। खासकर AI inference जैसे वर्कलोड में इससे दक्षता बढ़ाने और बिजली खपत घटाने में मदद मिल सकती है ।

इसके अलावा Samsung ने AI इंफ्रास्ट्रक्चर के लिए PM1763 और BM1773 अगली पीढ़ी के एंटरप्राइज SSD प्लेटफॉर्म भी दिखाए ।

बाजार का संदर्भ: Samsung फिर DRAM में नंबर 1

Counterpoint Research के अनुसार, Q2 2026 में Samsung की वैश्विक DRAM राजस्व हिस्सेदारी 39% रही। SK hynix 26% के साथ दूसरे और Micron 25% के साथ उसके करीब रहा ।

Samsung की वापसी में सामान्य या commodity DRAM की मजबूत मांग और HBM उत्पादन में विस्तार का योगदान रहा। दूसरी ओर, SK hynix को HBM कीमतों के स्थिर रहने का दबाव झेलना पड़ा । SK hynix का राजस्व साल-दर-साल 214% बढ़ा, फिर भी उसकी बाजार हिस्सेदारी Q2 2025 के 39% से घटकर Q2 2026 में 26% रह गई । इस तरह Samsung ने पिछले कुछ तिमाहियों में SK hynix से खोया हुआ DRAM नेतृत्व फिर हासिल कर लिया ।

AI ग्राहकों के साथ लंबी अवधि के करारों पर जोर

30 जुलाई 2026 की Q2 आय-विषयक कॉन्फ्रेंस कॉल में Samsung ने अपने कारोबार मॉडल में एक बड़ा बदलाव बताया। कंपनी अपनी कुल मेमोरी उत्पादन क्षमता का 60–70% हिस्सा लंबी अवधि के आपूर्ति करारों यानी LTAs (Long-Term Agreements) के तहत रखने की योजना बना रही है ।

इन करारों की प्रमुख बातें इस प्रकार हैं:

• “5-year rolling” ढांचा: शुरुआत में पांच साल की अवधि, जिसे हर साल बातचीत के जरिए एक साल आगे बढ़ाया जा सकता है ।
• अग्रिम भुगतान: अनुबंधों में upfront deposit शामिल हैं। Samsung ने बताया कि उसे कुल अग्रिम भुगतान का लगभग एक-चौथाई पहले ही मिल चुका है ।
• कीमतों पर सीमा: तिमाही कीमतों में कमी अधिकतम 5% तक सीमित है, जबकि कीमत बढ़ने की गुंजाइश लगभग असीमित रखी गई है ।
• ग्राहक आधार: Samsung ने पांच बड़े वैश्विक डेटा सेंटर ग्राहकों के साथ LTA पूरे करने की बात कही है और पांच अन्य ग्राहकों के साथ बातचीत अंतिम चरण में है । मीडिया रिपोर्टों में पहले समूह में AWS, Microsoft, Google, Meta और Oracle के नाम बताए गए हैं ।

Bank of America Merrill Lynch के सर्वेक्षण के अनुसार, इन शर्तों से आपूर्तिकर्ता को स्पष्ट लाभ मिलता है: कीमतों में गिरावट सीमित है, लेकिन बढ़ोतरी की गुंजाइश पर वैसी सीमा नहीं है । तुलना के लिए, Micron ने अपने Strategic Customer Agreements के तहत लगभग 50% बिक्री को कवर करने का लक्ष्य बताया है ।

FMS 2026 में प्रतिस्पर्धियों की दिशा

Samsung अकेली कंपनी नहीं थी जिसने AI मेमोरी और स्टोरेज में बड़ी घोषणाएं कीं। सम्मेलन में उद्योग की व्यापक दिशा भी साफ दिखाई दी:

• SK hynix और Sandisk ने मिलकर High Bandwidth Flash (HBF) का पहला मानक पेश किया। इसे HBM और SSD के बीच एक नई स्टोरेज परत के रूप में देखा जा रहा है। HBF के विनिर्देश 8-high और 16-high NAND डाई स्टैक में 512GB तक क्षमता तथा लगभग 0.4TB/s से 3.0TB/s तक बैंडविड्थ को कवर करते हैं। इसमें UCIe इंटरफेस का इस्तेमाल किया जाता है । Google और Tenstorrent भी HBF कंसोर्टियम में शामिल हैं ।
• Kioxia ने GPU direct access के लिए अनुकूलित GP1 Series PCIe 6.0 NVMe SSD दिखाए। कंपनी ने Nvidia के साथ AI इंफ्रास्ट्रक्चर फ्लैश स्टोरेज पर संयुक्त प्रस्तुति भी दी। Kioxia के CM10 और NX1 Series SSD प्रत्यक्ष लिक्विड कूलिंग को सपोर्ट करते हैं ।
• Micron का 9650 PCIe 6.0 एंटरप्राइज SSD फरवरी 2026 से बड़े पैमाने पर उत्पादन में है और इसे पहला व्यावसायिक PCIe 6.0 ड्राइव बताया गया है ।
• SK hynix ने अपने बूथ पर 375-लेयर वाला दसवीं पीढ़ी का V10 4D NAND भी प्रदर्शित किया और पावर एफिशिएंसी में 2.5 गुना सुधार का दावा किया ।

इसका मतलब क्या है?

FMS 2026 में Samsung का संदेश केवल नए चिप मॉडल पेश करने तक सीमित नहीं था। zHBM और zNAND-O यह संकेत देते हैं कि अगली पीढ़ी की AI मेमोरी में चिप्स को केवल साथ-साथ रखने के बजाय वर्टिकल रूप से जोड़ने पर जोर बढ़ेगा। V10 BV-NAND दिखाता है कि NAND में भी 400 से अधिक लेयर और वेफर-बॉन्डिंग जैसी तकनीकें मुख्य प्रतिस्पर्धा का हिस्सा बन रही हैं।

साथ ही, 60–70% क्षमता को LTAs में रखने की योजना AI कंपनियों के साथ संबंधों को स्पॉट-मार्केट खरीदारी से हटाकर कई वर्षों के आपूर्ति समझौतों की ओर ले जाती है। व्यापक उद्योग में HBM, HBF और SSD जैसे अलग-अलग मेमोरी स्तरों को जोड़ने तथा PCIe 6.0 इंटरफेस अपनाने की दौड़ तेज हो रही है। इससे AI डेटा सेंटरों के लिए मेमोरी और स्टोरेज की प्रतिस्पर्धा आने वाले वर्षों में और तीखी होने के संकेत मिलते हैं।