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AI मेमोरी की अगली बड़ी जंग सिर्फ बैंडविड्थ की नहीं, पैकेजिंग की है
Samsung के 12 लेयर HBM4E सैंपल मई के अंत से प्रमुख ग्राहकों को भेजे जा रहे हैं। मौजूदा सैंपल 14 Gbps प्रति पिन, 3.6 TB/s बैंडविड्थ और 48 GB प्रति स्टैक देते हैं; 16 Gbps लक्ष्य लगभग 4 TB/s तक पहुंच सकता है। Samsung का दीर्घकालिक रोडमैप मानक HBM से कस्टम cHBM और फिर प्रोसेसर के साथ सीधे स्टैक किए गए zHBM की ओर बढ़ता...
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शोध उत्तर
मुख्य निष्कर्ष
- Samsung के 12 लेयर HBM4E सैंपल मई के अंत से प्रमुख ग्राहकों को भेजे जा रहे हैं। मौजूदा सैंपल 14 Gbps प्रति पिन, 3.6 TB/s बैंडविड्थ और 48 GB प्रति स्टैक देते हैं; 16 Gbps लक्ष्य लगभग 4 TB/s तक पहुंच सकता है।
- Samsung का दीर्घकालिक रोडमैप मानक HBM से कस्टम cHBM और फिर प्रोसेसर के साथ सीधे स्टैक किए गए zHBM की ओर बढ़ता है।
- SK hynix का फोकस पैकेजिंग इंजीनियरिंग पर है—कूलिंग, वॉरपेज, इंटरकनेक्ट, स्टैक की ऊंचाई और मैन्युफैक्चरिंग सीमाओं पर।
- SK hynix 16 लेयर से आगे जाने के लिए हाइब्रिड बॉन्डिंग पर शोध कर रहा है, लेकिन इसके HBM4E में तैयार होने की उम्मीद नहीं है; HBM5 सबसे शुरुआती संभावित लक्ष्य है।
AI संकेत
openai.comCreate a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What did Samsung and SK hynix reveal at Hot Chips 2026 about their HBM roadmaps, including Samsung’s planned 16 Gbps-per-pin HBM4E reaching. Article summary: Samsung presented a roadmap centered on faster HBM4E, increasingly customized base dies, and ultimately processor-on-memory zHBM; SK hynix emphasized that advanced packaging, thermals, wafer warpage, and stack-height lim. Topic tags: general, general web, user generated, news. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts wi
Samsung और SK hynix ने Hot Chips 2026 में AI मेमोरी की अगली पीढ़ी के लिए दो अलग-अलग रास्ते दिखाए। सवाल दोनों के सामने एक ही है: अधिक बैंडविड्थ कैसे दी जाए, बिना गर्मी, पैकेज के आकार और निर्माण की जटिलता को नियंत्रण से बाहर किए।
Samsung ने तेज़ इंटरफेस, ग्राहक-विशिष्ट बेस डाई और भविष्य में प्रोसेसर के साथ सीधे जुड़ी मेमोरी पर ज़ोर दिया। SK hynix ने पैकेजिंग की व्यावहारिक चुनौतियों—कूलिंग, वॉरपेज, इंटरकनेक्ट और लंबे स्टैक की भौतिक सीमाओं—को अधिक प्रमुखता दी। 2
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इन कंपनियों द्वारा बताए गए आंकड़ों को स्वतंत्र बेंचमार्क नहीं, बल्कि वेंडर स्पेसिफिकेशन, रोडमैप लक्ष्य या डिजाइन संबंधी दावों के रूप में पढ़ना चाहिए।
Samsung का निकट-term HBM4E लक्ष्य: अभी 3.6 TB/s, आगे लगभग 4 TB/s
Samsung ने बताया कि उसने मई के अंत में 12-लेयर HBM4E के सैंपल प्रमुख वैश्विक ग्राहकों को भेजना शुरू कर दिया था। इन सैंपल की स्थिर पिन स्पीड 14 Gbps है, जिसे 16 Gbps तक बढ़ाया जा सकता है। 12-लेयर संस्करण में प्रति स्टैक 3.6 TB/s बैंडविड्थ और 48 GB क्षमता दी गई है। 17
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कंपनी के 16 Gbps प्रति पिन वाले नियोजित कॉन्फिगरेशन से प्रति स्टैक बैंडविड्थ लगभग 4 TB/s तक पहुंच सकती है। Samsung ने 8-लेयर और 16-लेयर संस्करणों की भी रूपरेखा पेश की है। इससे संकेत मिलता है कि HBM4E को अलग-अलग AI एक्सेलरेटर और क्षमता जरूरतों के लिए इस्तेमाल करने की योजना है। 18
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यहां मौजूदा सैंपल और भविष्य के लक्ष्य के बीच अंतर महत्वपूर्ण है। 14 Gbps वर्तमान स्थिर सैंपल स्पेसिफिकेशन है, जबकि 16 Gbps Samsung का स्केलेबल ऊपरी प्रदर्शन लक्ष्य है। इसलिए इन आंकड़ों को किसी प्रमाणित प्रोडक्शन बेंचमार्क का पर्याय नहीं मानना चाहिए।
Samsung मानक HBM से कस्टम मेमोरी की ओर बढ़ रहा है
Samsung का रोडमैप केवल DRAM की गति बढ़ाने या मेमोरी में और लेयर जोड़ने तक सीमित नहीं है। कंपनी ने cHBM, यानी कस्टम HBM, की दिशा बताई है। इसमें बेस डाई को किसी ग्राहक के खास AI एक्सेलरेटर के अनुरूप बनाया जा सकता है। इससे मेमोरी पैकेज पूरे सिस्टम की डिजाइन में अधिक सक्रिय भूमिका निभाता है, बजाय इसके कि वह केवल एक मानकीकृत घटक रहे। 1
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लंबी अवधि का लक्ष्य zHBM है—एक 3D संरचना जिसमें प्रोसेसर लॉजिक और DRAM को लंबवत रूप से जोड़ा जाता है। Samsung के अनुसार, इससे पारंपरिक 2.5D कनेक्शन पथ के कुछ हिस्सों, जैसे इंटरपोज़र और SerDes लिंक, को हटाया जा सकता है। कंपनी का दावा है कि इससे दक्षता और बैंडविड्थ में बड़ा सुधार संभव है। 1
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Samsung ने zHBM के लिए लगभग 70% बेहतर पावर एफिशिएंसी और संबंधित पारंपरिक डिजाइन की तुलना में DRAM बैंडविड्थ दोगुने से अधिक होने का अनुमान बताया है। ये भविष्य की वास्तुकला से जुड़े अनुमान या कंपनी के दावे हैं, किसी बाजार में उपलब्ध zHBM उत्पाद से लिए गए स्वतंत्र माप नहीं। 1
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गर्मी अब HBM डिजाइन की मुख्य सीमा बन रही है
I/O गति बढ़ने और मेमोरी स्टैक अधिक घने होने से पैकेज के भीतर पैदा होने वाली गर्मी भी बढ़ती है। इस समस्या के लिए Samsung ने Heat Path Block, या HPB, पेश किया है। यह हाई-पावर PHY क्षेत्रों के आसपास अतिरिक्त गर्मी-निकासी पथ बनाता है। Samsung ने कहा कि जब HPB, PHY क्षेत्र के 50% से अधिक हिस्से को कवर करता है, तो पीक तापमान 35% से अधिक घट सकता है। 10
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कंपनी के अनुसार, HPB को HBM4E में लागू और सत्यापित किया जा चुका है तथा HBM5 में इसका व्यापक एकीकरण किया जाएगा। 4
7 इसका रणनीतिक महत्व है: कूलिंग अब मेमोरी पैकेज की सहायक सुविधा भर नहीं रही। यह उस वास्तुकला का हिस्सा बन रही है, जो तय करती है कि इंटरफेस कितनी तेजी से काम कर सकता है।
SK hynix के लिए HBM स्केलिंग मूलतः पैकेजिंग की समस्या है
SK hynix ने Hot Chips में अगली HBM पीढ़ियों को मैन्युफैक्चरिंग और सिस्टम इंटीग्रेशन के नजरिए से समझाया। कंपनी ने HBM स्टैक को AI एक्सेलरेटर से जोड़ने के कई तरीकों की तुलना की, जिनमें बड़े सिलिकॉन-इंटरपोज़र वाला CoWoS-S, RDL-इंटरपोज़र वाला CoWoS-L और Intel का ब्रिज-आधारित EMIB शामिल हैं।
हर विकल्प में रूटिंग, डाई की स्थिति, इंटरपोज़र या सब्सट्रेट का आकार और पैकेज वॉरपेज के बीच अलग-अलग समझौते होते हैं। जैसे-जैसे एक्सेलरेटर के बगल में HBM स्टैक की संख्या बढ़ती है, ये चुनौतियां और कठिन हो जाती हैं। 11
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SK hynix की पैकेजिंग जानकारी बताती है कि डिजाइन कितनी सीमित जगह में किया जा रहा है। HBM4 पैकेज के लिए 775 माइक्रोमीटर की Z-height बताई गई है, साथ ही इसमें हजारों TSV और बेस-डाई माइक्रो-बंप शामिल हैं। स्टैक ऊंचा होने पर इंजीनियरों को पतली डाई, कम गैप, यांत्रिक तनाव और गर्मी निकालने की समस्या एक साथ संभालनी पड़ती है। 11
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SK hynix के रोडमैप में EMIB को 2.5D इंटीग्रेशन के एक संभावित रास्ते के रूप में शामिल किया गया है। इससे Intel की पैकेजिंग तकनीक में तकनीकी रुचि या अनुकूलता का संकेत मिलता है, लेकिन अकेले इससे SK hynix और Intel के बीच किसी पक्की व्यावसायिक साझेदारी की पुष्टि नहीं होती। 12
iHBM स्थानीय हॉटस्पॉट को ठंडा करने की कोशिश है
SK hynix iHBM नामक कूलिंग तकनीक पर भी काम कर रहा है। इसमें HBM संरचना के भीतर उन स्थानीय हॉटस्पॉट के पास उच्च ताप-चालकता वाली सामग्री रखी जाती है, जहां गर्मी अधिक पैदा होती है। कंपनी ने दावा किया है कि इससे थर्मल रेजिस्टेंस 30% से अधिक घट सकता है। 2
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Samsung के HPB और SK hynix के iHBM की तुलना एक अहम बात दिखाती है। दोनों कंपनियां डाई-टू-डाई और पैकेज स्तर पर गर्मी की समस्या हल करना चाहती हैं, लेकिन उनके भौतिक रास्ते अलग हैं। Samsung PHY क्षेत्रों के आसपास समर्पित हीट-ट्रांसफर संरचनाओं की बात करता है, जबकि SK hynix खास आंतरिक हॉटस्पॉट से गर्मी दूर करने पर ध्यान देता है। उपलब्ध रिपोर्टों में दिए गए प्रतिशत वेंडर दावे और विकास अवधारणाएं हैं, इसलिए इन्हें सीधे तुलनीय परीक्षण परिणाम नहीं माना जाना चाहिए।
16-लेयर से आगे का रास्ता हाइब्रिड बॉन्डिंग है—लेकिन HBM4E में नहीं
पारंपरिक तरीके से और लेयर जोड़ने पर एक समय पैकेज की मोटाई सीमा आड़े आती है। SK hynix ने कहा कि 16-लेयर से आगे जाने के लिए हाइब्रिड बॉन्डिंग पर शोध किया जा रहा है। इससे भविष्य में अधिक ऊंचे स्टैक, अपेक्षाकृत मोटी डाई और अधिक सघन पिच संभव हो सकती है। 1
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हालांकि, कंपनी को उम्मीद नहीं है कि हाइब्रिड बॉन्डिंग HBM4E के लिए तैयार हो जाएगी। सबसे शुरुआती संभावित लक्ष्य HBM5 है, और यह भी पक्की उत्पाद समय-सारिणी नहीं, बल्कि विकास से जुड़ा अनुमान है। 2
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इस वजह से HBM5 एक संभावित बदलाव का बिंदु बन सकता है। HBM4E मौजूदा स्टैकिंग और पैकेजिंग तरीकों से गति और क्षमता बढ़ा सकता है, लेकिन इसके बाद की पीढ़ियों को स्केलिंग जारी रखने के लिए नई बॉन्डिंग, थर्मल और मैकेनिकल तकनीकों की जरूरत पड़ सकती है।
असली निष्कर्ष: अगली HBM पीढ़ी का फैसला सिर्फ बैंडविड्थ नहीं करेगी
Samsung की प्रस्तुति का संकेत है कि अगला प्रतिस्पर्धी लाभ कस्टमाइजेशन और प्रोसेसर-मेमोरी के अधिक घनिष्ठ एकीकरण से आएगा। उसके HBM4E सैंपल निकट अवधि में गति बढ़ाने का कदम हैं, जबकि cHBM और zHBM ऐसे मेमोरी पैकेज की ओर इशारा करते हैं जिन्हें खास AI एक्सेलरेटर के हिसाब से बनाया जाएगा और अंततः कंप्यूट के साथ सीधे जोड़ा जा सकेगा। 1
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SK hynix का संदेश है कि ये प्रदर्शन लाभ हासिल करने से पहले कम दिखाई देने वाली भौतिक समस्याओं का समाधान जरूरी है—पैकेज वॉरपेज, थर्मल रेजिस्टेंस, रूटिंग की घनत्व, स्टैक की ऊंचाई और मैन्युफैक्चरिंग यील्ड। iHBM और हाइब्रिड बॉन्डिंग पर उसका काम इन सीमाओं को नजरअंदाज किए बिना स्टैक्ड मेमोरी को आगे बढ़ाने की कोशिश है। 2
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AI एक्सेलरेटर डिजाइन करने वालों के लिए व्यावहारिक निष्कर्ष साफ है: HBM रोडमैप अब केवल DRAM डाई की कहानी नहीं रहा। पूरा पैकेज—मेमोरी, इंटरपोज़र, कूलिंग, इंटरकनेक्ट और प्रोसेसर के साथ उसका एकीकरण—ही प्रदर्शन तय करेगा। Samsung कस्टमाइजेशन और 3D इंटीग्रेशन पर दांव लगा रहा है, जबकि SK hynix पैकेजिंग इंजीनियरिंग और निर्माण अनुशासन पर। दोनों रास्तों के सामने वही मूल समझौता है: अधिक बैंडविड्थ के साथ अधिक गर्मी और अधिक इंटीग्रेशन जटिलता।
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लोग पूछते भी हैं
"AI मेमोरी की अगली बड़ी जंग सिर्फ बैंडविड्थ की नहीं, पैकेजिंग की है" का संक्षिप्त उत्तर क्या है?
Samsung के 12 लेयर HBM4E सैंपल मई के अंत से प्रमुख ग्राहकों को भेजे जा रहे हैं। मौजूदा सैंपल 14 Gbps प्रति पिन, 3.6 TB/s बैंडविड्थ और 48 GB प्रति स्टैक देते हैं; 16 Gbps लक्ष्य लगभग 4 TB/s तक पहुंच सकता है।
सबसे पहले सत्यापित करने योग्य मुख्य बिंदु क्या हैं?
Samsung के 12 लेयर HBM4E सैंपल मई के अंत से प्रमुख ग्राहकों को भेजे जा रहे हैं। मौजूदा सैंपल 14 Gbps प्रति पिन, 3.6 TB/s बैंडविड्थ और 48 GB प्रति स्टैक देते हैं; 16 Gbps लक्ष्य लगभग 4 TB/s तक पहुंच सकता है। Samsung का दीर्घकालिक रोडमैप मानक HBM से कस्टम cHBM और फिर प्रोसेसर के साथ सीधे स्टैक किए गए zHBM की ओर बढ़ता है।
मुझे अभ्यास में आगे क्या करना चाहिए?
SK hynix का फोकस पैकेजिंग इंजीनियरिंग पर है—कूलिंग, वॉरपेज, इंटरकनेक्ट, स्टैक की ऊंचाई और मैन्युफैक्चरिंग सीमाओं पर।