Samsung zHBM को लगभग 2029 में व्यावसायिक रूप से लाने का लक्ष्य रखता है; 2028 में शुरुआती लॉन्च संभव है, लेकिन सीधे AI एक्सेलरेटर के ऊपर रखी मेमोरी से गर्मी निकालना सबसे बड़ी चुनौती है। कंपनी HBM5 की तुलना में लगभग 8 गुना प्रदर्शन और 10 गुना से अधिक मेमोरी डेंसिटी का अनुमान दे रही है। ये रोडमैप लक्ष्य हैं, किसी शिपिं...
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शोध उत्तर

Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What are Samsung Electronics’ plans and technological challenges for commercializing its next-generation zHBM memory—unveiled as a concept a. Article summary: Samsung is positioning zHBM as a post-HBM5, true-3D AI-memory architecture, but it remains a concept rather than a qualified product. Its stated commercial target is around 2029, with an earlier 2028 introduction possibl. Topic tags: general, news, general web, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts w
Samsung का zHBM AI मेमोरी की दिशा में एक बड़ा वास्तुशिल्प बदलाव है। कंपनी पारंपरिक पैकेजिंग में HBM को प्रोसेसर के बगल में रखने के बजाय AI एक्सेलरेटर के ठीक ऊपर, Z-अक्ष पर वर्टिकल रूप से स्टैक करना चाहती है। इस कॉन्सेप्ट को Future of Memory and Storage 2026 में पेश किया गया था। 1
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इस डिजाइन से प्रोसेसर और मेमोरी के बीच डेटा के सफर की दूरी घट सकती है। नतीजतन, ज्यादा बैंडविड्थ, कम डेटा-मूवमेंट ऊर्जा और अधिक कॉम्पैक्ट AI पैकेज मिल सकता है। लेकिन zHBM अभी क्वालिफाइड कमर्शियल प्रोडक्ट नहीं है। Samsung का मौजूदा लक्ष्य लगभग 2029 है, जबकि 2028 में शुरुआत की संभावना भी बताई गई है। अब कंपनी को यह साबित करना होगा कि प्रदर्शन के संभावित फायदे बड़े पैमाने पर निर्माण और भरोसेमंद कूलिंग के साथ हासिल किए जा सकते हैं। 13
आज के सामान्य HBM सिस्टम को अक्सर 2.5D डिजाइन कहा जाता है। इसमें HBM स्टैक CPU, GPU या किसी अन्य एक्सेलरेटर के बगल में एक इंटरपोजर पर रखा जाता है। Samsung का zHBM इस व्यवस्था को बदलकर HBM को एक्सेलरेटर के ऊपर वर्टिकल रूप से रखने का प्रस्ताव देता है। 2
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इसका मुख्य उद्देश्य संचार दूरी घटाना है। प्रोसेसर और मेमोरी जितने करीब होंगे, उतनी ही ज्यादा बैंडविड्थ, कम ऊर्जा खपत और छोटे AI पैकेज की संभावना बनेगी। Samsung इसे बड़े पैमाने की AI ट्रेनिंग और इन्फरेंस की जरूरतों के लिए अगली पीढ़ी की 3D मेमोरी आर्किटेक्चर के रूप में पेश कर रहा है। 3
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प्रस्तावित स्टैक में वेफर-लेवल इंटीग्रेशन और हाइब्रिड कॉपर बॉन्डिंग का इस्तेमाल होना है। इसमें पारंपरिक सोल्डर माइक्रोबंप के बजाय कॉपर सतहों को सीधे जोड़ा जाता है। इस तकनीक का उद्देश्य लॉजिक और मेमोरी को बेहद घने इंटरकनेक्शन के साथ एक ही पैकेज में जोड़ना है। 10
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Samsung का कहना है कि zHBM पर आधारित अगली पीढ़ी का इंटरफेस HBM5 की तुलना में लगभग 8 गुना प्रदर्शन और 10 गुना से अधिक मेमोरी डेंसिटी दे सकता है। कंपनी से जुड़े अन्य आंकड़ों में ऊर्जा दक्षता में संभावित तीन गुना सुधार और थर्मल रेजिस्टेंस में आधे से ज्यादा कमी शामिल है। 3
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हालांकि, इन आंकड़ों को स्वतंत्र बेंचमार्क नहीं, बल्कि कंपनी के अनुमान के रूप में देखना चाहिए। Samsung ने zHBM को एक कॉन्सेप्ट के तौर पर पेश किया है और इसके व्यावसायिक स्पेसिफिकेशन, उत्पादन कार्यक्रम तथा अंतिम एक्सेलरेटर कॉन्फिगरेशन अभी तय नहीं हुए हैं। 4
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HBM5 से की गई तुलना भी महत्वपूर्ण है। यह भविष्य के रोडमैप लक्ष्य को दर्शाती है, न कि बाजार में उपलब्ध zHBM हार्डवेयर के साथ समान आधार पर किया गया परीक्षण। जब तक Samsung क्वालिफाइड चिप और सिस्टम-स्तरीय माप प्रकाशित नहीं करता, ये आंकड़े ग्राहकों को उपलब्ध वास्तविक प्रदर्शन से ज्यादा कंपनी की महत्वाकांक्षा का पैमाना बताते हैं।
zHBM का सबसे बड़ा लाभ—मेमोरी को AI एक्सेलरेटर के ठीक ऊपर रखना—उसकी सबसे कठिन इंजीनियरिंग समस्या भी बन जाता है। AI एक्सेलरेटर काफी गर्मी पैदा करते हैं। जब HBM को पैकेज के सबसे गर्म हिस्से के ऊपर रख दिया जाता है, तो गर्मी बाहर निकलने का सीधा रास्ता बाधित हो सकता है। Samsung के अमेरिकी सेमीकंडक्टर प्रमुख ने zHBM के व्यावसायीकरण में गर्मी को मुख्य बाधा बताया है। 13
Samsung ने हॉट स्पॉट से गर्मी हटाने के लिए ‘हीट-पाइप ब्लॉक’ जैसी व्यवस्था पर चर्चा की है। लेकिन किसी थर्मल मैकेनिज्म का प्रस्ताव देना और उसे उत्पादन-योग्य साबित करना दो अलग बातें हैं। कंपनी को यह दिखाना होगा कि मेमोरी, बॉन्डिंग इंटरफेस और एक्सेलरेटर लगातार चलने वाले AI सर्वर वर्कलोड में एक साथ भरोसेमंद तरीके से काम कर सकते हैं। 13
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थर्मल डिजाइन अकेली परीक्षा नहीं है। व्यावसायिक zHBM के लिए हाइब्रिड बॉन्डिंग की ऊंची यील्ड, बड़े डाइज के बीच बेहद सटीक अलाइनमेंट, लंबी अवधि की विश्वसनीयता, ग्राहक एक्सेलरेटर के साथ अनुकूलता और जटिल पैकेज को बड़े पैमाने पर बनाने वाली उत्पादन प्रक्रिया भी जरूरी होगी। यानी इस कॉन्सेप्ट को भौतिकी की समस्या और फैक्ट्री-स्तर की समस्या—दोनों हल करनी होंगी।
Samsung ने संकेत दिया है कि पहली पीढ़ी के zHBM प्रोडक्ट लगभग 2029 में आ सकते हैं और 2028 में शुरुआती परिचय संभव है। 13 यह अभी लक्ष्य है, निश्चित लॉन्च तारीख नहीं। ग्राहकों के इस्तेमाल से पहले आर्किटेक्चर तय करने, एक्सेलरेटर के साथ सह-विकास, थर्मल वैलिडेशन, विश्वसनीयता परीक्षण और बड़े पैमाने के उत्पादन की तैयारी पूरी करनी होगी।
इस समयसीमा के दौरान HBM, एडवांस्ड पैकेजिंग और AI चिप डिजाइन में भी बदलाव जारी रहेंगे। zHBM की उपयोगिता केवल इसकी अधिकतम मेमोरी स्पेसिफिकेशन से तय नहीं होगी। यह भी जरूरी होगा कि एक्सेलरेटर निर्माता इस अधिक गहराई से जुड़े 3D पैकेज के हिसाब से अपने डिजाइन तैयार करने को तैयार हों।
अलग से Samsung ने फैन-आउट पैनल-लेवल पैकेजिंग, यानी FO-PLP, के लिए 415×510 मिलीमीटर का फॉर्मेट बनाए रखने और 2028 में बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू करने की योजना बताई है। कंपनी इस पैकेजिंग क्षमता को बड़े AI और हाई-परफॉर्मेंस कंप्यूटिंग पैकेज के लिए इस्तेमाल करना चाहती है। 17
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यह योजना Samsung की व्यापक एडवांस्ड-पैकेजिंग रणनीति से जुड़ी है, लेकिन इसे zHBM लॉन्च की प्रतिबद्धता नहीं समझना चाहिए। 2028 में FO-PLP का बड़े पैमाने पर उत्पादन पैकेजिंग क्षमता और निर्माण अनुभव उपलब्ध करा सकता है; इससे अपने-आप यह साबित नहीं होता कि वर्टिकल HBM व्यावसायिक तैनाती के लिए तैयार है।
Samsung का लक्ष्य टेक्सस के Taylor में दूसरा एडवांस्ड फाउंड्री फैब तीन साल के भीतर चालू करना भी है। यह फैब मुख्य रूप से अमेरिकी ग्राहकों को सेवा देने के लिए होगा। 13
मेमोरी, लॉजिक, बॉन्डिंग, पैकेजिंग और एक्सेलरेटर डिजाइन को एक साथ मिलाकर आगे बढ़ाने के लिहाज से यह रणनीति महत्वपूर्ण हो सकती है। zHBM जैसे पैकेज के लिए इन सभी हिस्सों के बीच करीबी तालमेल जरूरी होगा। फिर भी अतिरिक्त फैब क्षमता मूल तकनीकी जोखिम खत्म नहीं करती। Samsung को पहले यह साबित करना होगा कि वर्टिकल स्टैकिंग वाला डिजाइन गर्मी, विश्वसनीयता, यील्ड और लागत की जरूरतें पूरी कर सकता है।
zHBM Samsung का अब तक का सबसे स्पष्ट दांव है कि AI मेमोरी में अगली बड़ी छलांग केवल अधिक पारंपरिक HBM स्टैक जोड़ने से नहीं, बल्कि पूरे पैकेज की ज्यामिति बदलने से आएगी। छोटे इंटरकनेक्शन, ज्यादा बैंडविड्थ, अधिक डेंसिटी और बेहतर ऊर्जा दक्षता इसका आकर्षक पक्ष हैं।
लेकिन निर्णायक सवाल यह है कि क्या Samsung एक शक्तिशाली AI एक्सेलरेटर से पैदा होने वाली गर्मी को उसके ऊपर रखे मेमोरी स्टैक के आर-पार या उसके आसपास प्रभावी ढंग से निकाल सकता है—और साथ ही हाइब्रिड-बॉन्डेड पैकेज को लगातार अच्छी यील्ड के साथ बना सकता है। जब तक यह साबित नहीं होता, लगभग 8 गुना प्रदर्शन का दावा और 2028–2029 की समयसीमा महत्वाकांक्षी रोडमैप लक्ष्य ही हैं, पक्का प्रोडक्ट लॉन्च नहीं।
Studio Global AI
इस पृष्ठ में एक स्रोत-समर्थित उत्तर शामिल है जिसे आप Studio Global के अंदर जारी रख सकते हैं।
Samsung zHBM को लगभग 2029 में व्यावसायिक रूप से लाने का लक्ष्य रखता है; 2028 में शुरुआती लॉन्च संभव है, लेकिन सीधे AI एक्सेलरेटर के ऊपर रखी मेमोरी से गर्मी निकालना सबसे बड़ी चुनौती है।
Samsung zHBM को लगभग 2029 में व्यावसायिक रूप से लाने का लक्ष्य रखता है; 2028 में शुरुआती लॉन्च संभव है, लेकिन सीधे AI एक्सेलरेटर के ऊपर रखी मेमोरी से गर्मी निकालना सबसे बड़ी चुनौती है। कंपनी HBM5 की तुलना में लगभग 8 गुना प्रदर्शन और 10 गुना से अधिक मेमोरी डेंसिटी का अनुमान दे रही है। ये रोडमैप लक्ष्य हैं, किसी शिपिंग प्रोडक्ट के स्वतंत्र बेंचमार्क नहीं।
Samsung 415×510 मिलीमीटर फैन आउट पैनल लेवल पैकेजिंग की बड़े पैमाने पर उत्पादन क्षमता 2028 तक शुरू करने और टेक्सस के Taylor में दूसरा एडवांस्ड फाउंड्री फैब तीन साल के भीतर चालू करने की योजना बना रहा है।
Samsung zHBM को लगभग 2029 में व्यावसायिक रूप से लाने का लक्ष्य रखता है; 2028 में शुरुआती लॉन्च संभव है, लेकिन सीधे AI एक्सेलरेटर के ऊपर रखी मेमोरी से गर्मी निकालना सबसे बड़ी चुनौती है। कंपनी HBM5 की तुलना में लगभग 8 गुना प्रदर्शन और 10 गुना से अधिक मेमोरी डेंसिटी का अनुमान दे रही है। ये रोडमैप लक्ष्य हैं, किसी शिपिं...
प्रकाशितकर्ताGPT-5.6 Luna से संपादितGPT Image 1.5 से चित्र बनाए गए
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Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What are Samsung Electronics’ plans and technological challenges for commercializing its next-generation zHBM memory—unveiled as a concept a. Article summary: Samsung is positioning zHBM as a post-HBM5, true-3D AI-memory architecture, but it remains a concept rather than a qualified product. Its stated commercial target is around 2029, with an earlier 2028 introduction possibl. Topic tags: general, news, general web, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts w
Samsung का zHBM AI मेमोरी की दिशा में एक बड़ा वास्तुशिल्प बदलाव है। कंपनी पारंपरिक पैकेजिंग में HBM को प्रोसेसर के बगल में रखने के बजाय AI एक्सेलरेटर के ठीक ऊपर, Z-अक्ष पर वर्टिकल रूप से स्टैक करना चाहती है। इस कॉन्सेप्ट को Future of Memory and Storage 2026 में पेश किया गया था। 1
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इस डिजाइन से प्रोसेसर और मेमोरी के बीच डेटा के सफर की दूरी घट सकती है। नतीजतन, ज्यादा बैंडविड्थ, कम डेटा-मूवमेंट ऊर्जा और अधिक कॉम्पैक्ट AI पैकेज मिल सकता है। लेकिन zHBM अभी क्वालिफाइड कमर्शियल प्रोडक्ट नहीं है। Samsung का मौजूदा लक्ष्य लगभग 2029 है, जबकि 2028 में शुरुआत की संभावना भी बताई गई है। अब कंपनी को यह साबित करना होगा कि प्रदर्शन के संभावित फायदे बड़े पैमाने पर निर्माण और भरोसेमंद कूलिंग के साथ हासिल किए जा सकते हैं। 13
आज के सामान्य HBM सिस्टम को अक्सर 2.5D डिजाइन कहा जाता है। इसमें HBM स्टैक CPU, GPU या किसी अन्य एक्सेलरेटर के बगल में एक इंटरपोजर पर रखा जाता है। Samsung का zHBM इस व्यवस्था को बदलकर HBM को एक्सेलरेटर के ऊपर वर्टिकल रूप से रखने का प्रस्ताव देता है। 2
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इसका मुख्य उद्देश्य संचार दूरी घटाना है। प्रोसेसर और मेमोरी जितने करीब होंगे, उतनी ही ज्यादा बैंडविड्थ, कम ऊर्जा खपत और छोटे AI पैकेज की संभावना बनेगी। Samsung इसे बड़े पैमाने की AI ट्रेनिंग और इन्फरेंस की जरूरतों के लिए अगली पीढ़ी की 3D मेमोरी आर्किटेक्चर के रूप में पेश कर रहा है। 3
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प्रस्तावित स्टैक में वेफर-लेवल इंटीग्रेशन और हाइब्रिड कॉपर बॉन्डिंग का इस्तेमाल होना है। इसमें पारंपरिक सोल्डर माइक्रोबंप के बजाय कॉपर सतहों को सीधे जोड़ा जाता है। इस तकनीक का उद्देश्य लॉजिक और मेमोरी को बेहद घने इंटरकनेक्शन के साथ एक ही पैकेज में जोड़ना है। 10
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Samsung का कहना है कि zHBM पर आधारित अगली पीढ़ी का इंटरफेस HBM5 की तुलना में लगभग 8 गुना प्रदर्शन और 10 गुना से अधिक मेमोरी डेंसिटी दे सकता है। कंपनी से जुड़े अन्य आंकड़ों में ऊर्जा दक्षता में संभावित तीन गुना सुधार और थर्मल रेजिस्टेंस में आधे से ज्यादा कमी शामिल है। 3
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हालांकि, इन आंकड़ों को स्वतंत्र बेंचमार्क नहीं, बल्कि कंपनी के अनुमान के रूप में देखना चाहिए। Samsung ने zHBM को एक कॉन्सेप्ट के तौर पर पेश किया है और इसके व्यावसायिक स्पेसिफिकेशन, उत्पादन कार्यक्रम तथा अंतिम एक्सेलरेटर कॉन्फिगरेशन अभी तय नहीं हुए हैं। 4
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HBM5 से की गई तुलना भी महत्वपूर्ण है। यह भविष्य के रोडमैप लक्ष्य को दर्शाती है, न कि बाजार में उपलब्ध zHBM हार्डवेयर के साथ समान आधार पर किया गया परीक्षण। जब तक Samsung क्वालिफाइड चिप और सिस्टम-स्तरीय माप प्रकाशित नहीं करता, ये आंकड़े ग्राहकों को उपलब्ध वास्तविक प्रदर्शन से ज्यादा कंपनी की महत्वाकांक्षा का पैमाना बताते हैं।
zHBM का सबसे बड़ा लाभ—मेमोरी को AI एक्सेलरेटर के ठीक ऊपर रखना—उसकी सबसे कठिन इंजीनियरिंग समस्या भी बन जाता है। AI एक्सेलरेटर काफी गर्मी पैदा करते हैं। जब HBM को पैकेज के सबसे गर्म हिस्से के ऊपर रख दिया जाता है, तो गर्मी बाहर निकलने का सीधा रास्ता बाधित हो सकता है। Samsung के अमेरिकी सेमीकंडक्टर प्रमुख ने zHBM के व्यावसायीकरण में गर्मी को मुख्य बाधा बताया है। 13
Samsung ने हॉट स्पॉट से गर्मी हटाने के लिए ‘हीट-पाइप ब्लॉक’ जैसी व्यवस्था पर चर्चा की है। लेकिन किसी थर्मल मैकेनिज्म का प्रस्ताव देना और उसे उत्पादन-योग्य साबित करना दो अलग बातें हैं। कंपनी को यह दिखाना होगा कि मेमोरी, बॉन्डिंग इंटरफेस और एक्सेलरेटर लगातार चलने वाले AI सर्वर वर्कलोड में एक साथ भरोसेमंद तरीके से काम कर सकते हैं। 13
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थर्मल डिजाइन अकेली परीक्षा नहीं है। व्यावसायिक zHBM के लिए हाइब्रिड बॉन्डिंग की ऊंची यील्ड, बड़े डाइज के बीच बेहद सटीक अलाइनमेंट, लंबी अवधि की विश्वसनीयता, ग्राहक एक्सेलरेटर के साथ अनुकूलता और जटिल पैकेज को बड़े पैमाने पर बनाने वाली उत्पादन प्रक्रिया भी जरूरी होगी। यानी इस कॉन्सेप्ट को भौतिकी की समस्या और फैक्ट्री-स्तर की समस्या—दोनों हल करनी होंगी।
Samsung ने संकेत दिया है कि पहली पीढ़ी के zHBM प्रोडक्ट लगभग 2029 में आ सकते हैं और 2028 में शुरुआती परिचय संभव है। 13 यह अभी लक्ष्य है, निश्चित लॉन्च तारीख नहीं। ग्राहकों के इस्तेमाल से पहले आर्किटेक्चर तय करने, एक्सेलरेटर के साथ सह-विकास, थर्मल वैलिडेशन, विश्वसनीयता परीक्षण और बड़े पैमाने के उत्पादन की तैयारी पूरी करनी होगी।
इस समयसीमा के दौरान HBM, एडवांस्ड पैकेजिंग और AI चिप डिजाइन में भी बदलाव जारी रहेंगे। zHBM की उपयोगिता केवल इसकी अधिकतम मेमोरी स्पेसिफिकेशन से तय नहीं होगी। यह भी जरूरी होगा कि एक्सेलरेटर निर्माता इस अधिक गहराई से जुड़े 3D पैकेज के हिसाब से अपने डिजाइन तैयार करने को तैयार हों।
अलग से Samsung ने फैन-आउट पैनल-लेवल पैकेजिंग, यानी FO-PLP, के लिए 415×510 मिलीमीटर का फॉर्मेट बनाए रखने और 2028 में बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू करने की योजना बताई है। कंपनी इस पैकेजिंग क्षमता को बड़े AI और हाई-परफॉर्मेंस कंप्यूटिंग पैकेज के लिए इस्तेमाल करना चाहती है। 17
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यह योजना Samsung की व्यापक एडवांस्ड-पैकेजिंग रणनीति से जुड़ी है, लेकिन इसे zHBM लॉन्च की प्रतिबद्धता नहीं समझना चाहिए। 2028 में FO-PLP का बड़े पैमाने पर उत्पादन पैकेजिंग क्षमता और निर्माण अनुभव उपलब्ध करा सकता है; इससे अपने-आप यह साबित नहीं होता कि वर्टिकल HBM व्यावसायिक तैनाती के लिए तैयार है।
Samsung का लक्ष्य टेक्सस के Taylor में दूसरा एडवांस्ड फाउंड्री फैब तीन साल के भीतर चालू करना भी है। यह फैब मुख्य रूप से अमेरिकी ग्राहकों को सेवा देने के लिए होगा। 13
मेमोरी, लॉजिक, बॉन्डिंग, पैकेजिंग और एक्सेलरेटर डिजाइन को एक साथ मिलाकर आगे बढ़ाने के लिहाज से यह रणनीति महत्वपूर्ण हो सकती है। zHBM जैसे पैकेज के लिए इन सभी हिस्सों के बीच करीबी तालमेल जरूरी होगा। फिर भी अतिरिक्त फैब क्षमता मूल तकनीकी जोखिम खत्म नहीं करती। Samsung को पहले यह साबित करना होगा कि वर्टिकल स्टैकिंग वाला डिजाइन गर्मी, विश्वसनीयता, यील्ड और लागत की जरूरतें पूरी कर सकता है।
zHBM Samsung का अब तक का सबसे स्पष्ट दांव है कि AI मेमोरी में अगली बड़ी छलांग केवल अधिक पारंपरिक HBM स्टैक जोड़ने से नहीं, बल्कि पूरे पैकेज की ज्यामिति बदलने से आएगी। छोटे इंटरकनेक्शन, ज्यादा बैंडविड्थ, अधिक डेंसिटी और बेहतर ऊर्जा दक्षता इसका आकर्षक पक्ष हैं।
लेकिन निर्णायक सवाल यह है कि क्या Samsung एक शक्तिशाली AI एक्सेलरेटर से पैदा होने वाली गर्मी को उसके ऊपर रखे मेमोरी स्टैक के आर-पार या उसके आसपास प्रभावी ढंग से निकाल सकता है—और साथ ही हाइब्रिड-बॉन्डेड पैकेज को लगातार अच्छी यील्ड के साथ बना सकता है। जब तक यह साबित नहीं होता, लगभग 8 गुना प्रदर्शन का दावा और 2028–2029 की समयसीमा महत्वाकांक्षी रोडमैप लक्ष्य ही हैं, पक्का प्रोडक्ट लॉन्च नहीं।
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इस पृष्ठ में एक स्रोत-समर्थित उत्तर शामिल है जिसे आप Studio Global के अंदर जारी रख सकते हैं।
Samsung zHBM को लगभग 2029 में व्यावसायिक रूप से लाने का लक्ष्य रखता है; 2028 में शुरुआती लॉन्च संभव है, लेकिन सीधे AI एक्सेलरेटर के ऊपर रखी मेमोरी से गर्मी निकालना सबसे बड़ी चुनौती है।
Samsung zHBM को लगभग 2029 में व्यावसायिक रूप से लाने का लक्ष्य रखता है; 2028 में शुरुआती लॉन्च संभव है, लेकिन सीधे AI एक्सेलरेटर के ऊपर रखी मेमोरी से गर्मी निकालना सबसे बड़ी चुनौती है। कंपनी HBM5 की तुलना में लगभग 8 गुना प्रदर्शन और 10 गुना से अधिक मेमोरी डेंसिटी का अनुमान दे रही है। ये रोडमैप लक्ष्य हैं, किसी शिपिंग प्रोडक्ट के स्वतंत्र बेंचमार्क नहीं।
Samsung 415×510 मिलीमीटर फैन आउट पैनल लेवल पैकेजिंग की बड़े पैमाने पर उत्पादन क्षमता 2028 तक शुरू करने और टेक्सस के Taylor में दूसरा एडवांस्ड फाउंड्री फैब तीन साल के भीतर चालू करने की योजना बना रहा है।