चीन की चिप निर्माता चांगशिन मेमोरी टेक्नोलॉजीज (CXMT) के बारे में दो खबरों को अलग-अलग समझना ज़रूरी है। कंपनी का पाँचवीं पीढ़ी का G5 DRAM प्लेटफॉर्म बड़े पैमाने पर उत्पादन में है; NAND फ्लैश के लिए बीजिंग में शोध लाइन स्थापित करने की योजना, फिलहाल, रिपोर्ट की गई संभावित अगली पहल है।
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G5 से क्या बदला है?
DRAM वह तेज़, अस्थायी मेमोरी है जिसमें फोन, कंप्यूटर, सर्वर और AI सिस्टम का प्रोसेसर इस्तेमाल के दौरान डेटा रखता है। बिजली बंद होने पर उसमें रखा डेटा नहीं बचता। CXMT ने G5 उत्पादन की घोषणा के साथ 24-गीगाबिट के दो LPDDR5X उत्पाद पेश किए हैं। LPDDR5X कम बिजली खपत वाली DRAM है, जिसका इस्तेमाल मोबाइल उपकरणों में होता है।
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CXMT के मुताबिक, G5 पर एक वेफर—यानी चिप बनाने वाली सिलिकॉन की गोल प्लेट—से G4 के मुकाबले कम से कम 50% अधिक सकल डाई बन सकती हैं। तुलना 8-गीगाबिट के बराबर क्षमता के आधार पर की गई है। इसका अर्थ यह नहीं कि नए LPDDR5X उत्पाद 8-गीगाबिट के हैं। ‘सकल’ गिनती में ऐसी डाई भी शामिल होती हैं जो खराबी या जाँच के कारण बिक्री योग्य चिप नहीं बन पातीं।
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इसलिए 50% अधिक डाई का मतलब लागत में 50% कटौती भी नहीं है। यदि वेफर की प्रसंस्करण लागत और उत्पादन में सफल चिपों का अनुपात समान रहे, तो 1.5 गुना अधिक बराबर-क्षमता वाली डाई से प्रति डाई प्रसंस्करण लागत गणितीय रूप से लगभग एक-तिहाई घटेगी। वास्तविक नतीजा नई प्रक्रिया की लागत और सफल उत्पादन पर निर्भर करेगा। द कोरिया हेराल्ड में उद्धृत पहले के विश्लेषण के अनुसार, CXMT की DDR5 प्रति-बिट लागत तीन प्रमुख आपूर्तिकर्ताओं से 30% से अधिक थी; G5 की घोषणा अपने-आप यह अंतर खत्म होने का प्रमाण नहीं है।
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CXMT ने G5 की मेमोरी संरचना में 11.95 नैनोमीटर ‘एक्टिव-एरिया हाफ-पिच’ भी बताई है, जिसे सेल्फ-अलाइन्ड क्वाड्रुपल पैटर्निंग से हासिल किया गया। यह बार-बार दोहराई जाने वाली एक खास संरचना की माप है, पूरी चिप के हर हिस्से की नहीं। इससे अकेले चिप की समग्र गति या उत्पादन लागत तय नहीं की जा सकती।
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बाजार में CXMT कहाँ खड़ी है?
TrendForce के अनुसार, 2026 की दूसरी तिमाही में DRAM राजस्व में CXMT 9.5% हिस्सेदारी के साथ चौथे स्थान पर थी। सैमसंग की हिस्सेदारी 39.4%, SK hynix की 24.9% और माइक्रोन की 23.3% थी। अलग शोध संस्था Counterpoint का CXMT के लिए अनुमान 10% था—बाजार हिस्सेदारी के आँकड़े संस्था के अनुसार बदल सकते हैं।
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बढ़ती हिस्सेदारी के बावजूद तकनीकी अंतर बना हुआ है। कोरिया सेमीकंडक्टर इंडस्ट्री एसोसिएशन के आकलन में चीन DRAM में कोरिया से लगभग दो साल और हाई-बैंडविड्थ मेमोरी (HBM) में लगभग तीन साल पीछे है। ये पूरे उद्योग के व्यापक अनुमान हैं, केवल G5 की माप नहीं।
30 CXMT के HBM3E का छोटे पैमाने पर उत्पादन और चीनी चिप डिजाइनरों के साथ परीक्षण रिपोर्ट हुए हैं, लेकिन उनसे बड़े पैमाने पर प्रतिस्पर्धी उत्पादन या अगली पीढ़ियों की पक्की समयसीमा साबित नहीं होती।
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सैमसंग, SK hynix और माइक्रोन AI प्रोसेसरों में इस्तेमाल होने वाली HBM तथा सर्वर मेमोरी को प्राथमिकता दे रहे हैं। इससे कुछ सामान्य DRAM उत्पादों की आपूर्ति में वृद्धि सीमित रह सकती है और छोटे आपूर्तिकर्ताओं को अवसर मिल सकता है। हालांकि, उपलब्ध जानकारी यह नहीं बताती कि CXMT की हिस्सेदारी बढ़ने में इस बदलाव का कितना योगदान है।
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NAND: इरादा और तैयार उत्पाद में फर्क
NAND फ्लैश, DRAM से अलग, बिजली बंद होने पर भी डेटा सुरक्षित रखती है। इसका उपयोग फोन की स्टोरेज और सॉलिड-स्टेट ड्राइव (SSD) में होता है। इसलिए NAND में उतरने के लिए CXMT को अलग निर्माण तकनीक विकसित करनी होगी और उसके उत्पाद को व्यावसायिक उपयोग के लिए योग्य साबित करना होगा।
18 सितंबर को Reuters ने योजनाओं से परिचित लोगों के हवाले से बताया कि CXMT अपने नए बीजिंग संयंत्र में NAND की शोध एवं विकास उत्पादन लाइन स्थापित करने की योजना बना रही है।
45 सफल होने पर उसे स्थापित वैश्विक आपूर्तिकर्ताओं के साथ चीन की NAND विशेषज्ञ कंपनी यांग्त्से मेमोरी टेक्नोलॉजीज (YMTC) वाले बाजार में उतरना होगा।
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45 मगर शोध लाइन व्यावसायिक पैमाने का कारखाना नहीं होती। रिपोर्ट से उत्पाद लॉन्च की तारीख, उत्पादन क्षमता या पक्की ग्राहक प्रतिबद्धताएँ स्थापित नहीं होतीं।
इस बाजार के मौजूदा आकार का संकेत TrendForce के दूसरी तिमाही के आँकड़े देते हैं: NAND में सैमसंग की हिस्सेदारी 29.3% और SK hynix की 18.2% थी। ये मौजूदा कंपनियों के आँकड़े हैं, CXMT की NAND बिक्री के नहीं।
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नज़र किस पर रखनी चाहिए? G5 के लिए अगली कसौटी यह है कि अधिक संभावित डाई से कितनी बिक्री योग्य चिपें बनती हैं और किस लागत पर। NAND के लिए उससे भी पहला सवाल है: क्या बीजिंग की प्रस्तावित शोध पहल किसी व्यावसायिक उत्पाद तक पहुँचती है?
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