EMIB-T של Intel: הדרך לשבבי AI עצומים בהספק של 15–25 קילוואט

בכנס ECTC 2026 דיווחה Intel כי אימתה את EMIB-T במרווח בליטות של 36/35 מיקרון על חבילה בגודל פי 2 ממגבלת ה-reticle. בהשוואה למרווח של 45 מיקרון ב-Granite Rapids, מדובר בעלייה של 65% בצפיפות הבליטות . לפי התוכניות, EMIB-T צפויה להיכנס לפריסת ייצור במפעלי Intel במהלך 2026 .

הבעיה שפחות רואים: איך ממלאים חבילה ענקית?

הגדלת החבילה אינה מסתכמת בחיבור של עוד שבבים. לאחר הרכבת הרכיבים יש למלא את החללים שמתחתיהם וביניהם בחומר encapsulation — תהליך המכונה underfill. בחבילות גדולות במיוחד, חלוקה לא אחידה של החומר עלולה ליצור בועות, סדקים או היפרדות בין שכבות.

כדי להתמודד עם האתגר הזה מפתחת Intel טכנולוגיית Distributed Mold Underfill, או DMU. במקום להזרים את החומר מנקודה אחת, המערכת מפזרת אותו בין אזורי הזרקה מרובים. הגישה אמורה להפחית את הסיכון לסדקים, להיפרדות ולחללים בחבילות שגדולות בהרבה מחבילת reticle יחידה .

הפתרון נדרש משום שמפת הדרכים של Intel מכוונת לחבילות שגודלן יהיה יותר מפי 12 ממגבלת ה-reticle עד 2028. החברה אף מציגה יכולת קונספטואלית עתידית לחבילות בגודל של עד פי 24 — יעד שאינו שקול עדיין למוצר מסחרי בייצור המוני .

מה כבר קיים ומה מתוכנן?

מפת הדרכים של Intel כוללת כמה שלבים:

• ייצור נוכחי: חבילות בגודל של עד פי 8 ממגבלת ה-reticle נשלחות מ-Rio Rancho .
• אימות ב-ECTC 2026: חבילה בגודל פי 2 עם EMIB-T ומרווח בליטות של 36/35 מיקרון .
• 2026: תחילת פריסת EMIB-T לייצור במפעלים .
• 2028: חבילות בגודל של יותר מפי 12, עם שטח כולל של יותר מ-10,000 מ״מ רבוע .
• יעד עתידי: עד פי 24 עבור שבבי AI בקנה מידה קיצוני .

במקביל, Intel הציגה ב-NEPCON Japan 2026 מצע זכוכית מסוג 10-2-10 thick-core. החברה שואפת לקדם ייצור המוני של מצעי זכוכית לאריזת שבבי AI ב-Rio Rancho .

15–25 קילוואט בתוך חבילה אחת

חבילה גדולה יותר מביאה איתה גם צריכת חשמל וחום גדולים יותר. Intel מתארת תרחישים שבהם חבילות עתידיות יפעלו בהספק של 15–25 קילוואט — רמה שמחייבת פתרונות משולבים לאספקת חשמל, לקירור ולייצוב תנודות קצרות טווח.

המערכת שעליה עובדת Intel כוללת כמה שכבות:

• אספקת חשמל דרך TSV: המעברים האנכיים של EMIB-T אמורים לאפשר הזרמת זרם גבוהה יותר דרך חיבורי הגשר ולתמוך בדרישות של זיכרון HBM4/4e .
• פיזור חום מבוזר: במקום להסתמך על פתרון תרמי יחיד, Intel הדגימה ארכיטקטורה שמפזרת את הוצאת החום על פני אזורים רבים יותר בחבילה .
• קירור מיקרו-נוזלי: בכנס ECTC 2026 הציגה החברה התקדמות בשילוב תעלות קירור זעירות ישירות בתוך מצע החבילה, כדי להתמודד עם צפיפות החום של שבבים מרובי-קילוואט .
• אגירת אנרגיה על גבי המצע: שילוב קבלים במצע נועד לסייע באספקת חשמל יציבה יותר ולמתן קפיצות עומס רגעיות בחבילות בהספק של 15–25 קילוואט .

ביחד, הטכנולוגיות הללו מנסות להפוך חבילה אחת למערכת שמסוגלת לצרוך ולפזר הספק שבעבר היה מזוהה עם מערכות שרת שלמות.

שותפים שמנסים להפוך את הטכנולוגיה לזמינה יותר

Intel אינה מפתחת את כל שרשרת האספקה לבדה. במסגרת שיתוף פעולה שהוכרז בסוף יולי 2026, Tessolve מסייעת בתכנון חבילות המבוססות על EMIB. החברה מציעה ללקוחות Intel Foundry שירותי תכנון, סימולציה ואריזה מקצה לקצה עבור מערכות הטרוגניות המבוססות על chiplets .

במישור של מצעי הזכוכית, Intel חתמה ב-24 ביולי 2026 על מזכר הבנות עם Lens Technology, יצרנית זכוכית מדויקת מסין. הצדדים בוחנים טכנולוגיית Through-Glass Via, או TGV — חיבורים מוליכים העוברים דרך מצע זכוכית . לפי הדיווחים, Lens מקימה לצורך זה מתקן בשטח של 30,000 מ״ר .

עם זאת, חשוב להדגיש כי מדובר בשיתוף פעולה לא מחייב שמתמקד בפיתוח תהליכים ובאימותם, ולא בחוזה ייצור מחייב או בהתחייבות להיקפי ייצור .

Intel מרחיבה גם את סביבת כלי התכנון שלה: Cadence, Synopsys ו-Siemens EDA מפתחות תהליכי עבודה עבור תכנוני EMIB-T במסגרת תוכניות השותפים של Intel Foundry .

Intel מול TSMC, סמסונג ו-AMD

ההשוואה הבולטת ביותר היא מול TSMC, יצרנית השבבים והאריזות המובילה מבחינת היקפי ייצור. פלטפורמת CoWoS של TSMC משמשת בין היתר מאיצי AI של NVIDIA ו-AMD. ב-ECTC 2025 הדגימה TSMC קירור נוזלי ישיר לסיליקון במסגרת CoWoS, עם התנגדות תרמית של 0.055°C/W בהספק של יותר מ-2.6 קילוואט, על גבי אינטרפוזר בגודל 3,300 מ״מ רבוע .

TSMC מפתחת גם מצעי זכוכית, אך הציבה יעד ייצור במחצית השנייה של העשור — לוח זמנים מאוחר יותר מהיעד של Intel לדחיפת פתרונות זכוכית כבר בשנים 2026–2027 . במקביל, דיווח CNBC מאפריל 2026 כי NVIDIA רוכשת קיבולת CoWoS ומבצעת בחינה של Intel כספקית אריזה משנית, על רקע מגבלות קיבולת אצל TSMC .

Samsung מציעה את פלטפורמות I-Cube לאריזת 2.5D ואת X-Cube לאריזת 3D. היא מקדמת גם חיבורי נחושת היברידיים (HCB) לערימה תלת-ממדית ומפתחת מצעי זכוכית, אך פרסמה פחות פרטים על חבילות בקנה מידה גדול במיוחד מעבר לטווח של פי 4–6.

AMD, לעומתה, היא בעיקר משתמשת בטכנולוגיות האריזה של TSMC עבור סדרות מאיצי ה-AI שלה, ובהן MI300 ו-MI400. היא משתמשת בארכיטקטורת Infinity Architecture לחיבורי chiplets, אך אינה מפעילה מפעלי אריזה משלה — ולכן אינה מתחרה ישירה ב-Intel בתחום טכנולוגיית האריזה.

היתרון של Intel הוא שאפתנות בקנה המידה ושילוב הדוק בין תכנון, ייצור ואריזה. היתרון של TSMC הוא ניסיון מוכח בייצור המוני, בסיס לקוחות רחב וביצועים תרמיים שכבר הודגמו בתנאים מסחריים יותר.

לכן EMIB-T אינה רק עוד שדרוג לחיבור בין שבבים. היא מייצגת הימור על כך שהדור הבא של מערכות AI ידרוש חבילות גדולות בהרבה מהפתרונות הנפוצים כיום — ושמי שיצליח לפתור את בעיות החשמל, החום והאמינות יוכל להשפיע על כל שרשרת האספקה של המחשוב עתיר הביצועים.