סמסונג מציגה את מפת הדרכים החדשה לזיכרונות AI

בניגוד למבנה NAND מסורתי, השיטה מפרידה בין ייצור תאי הזיכרון לבין ייצור המעגלים ההיקפיים, ולאחר מכן מחברת אותם אנכית באמצעות טכנולוגיית Wafer Bonding . לדברי סמסונג, התוצאה היא צפיפות זיכרון הגבוהה בכ-58% מזו של דור V9 הקודם , לצד שיפור במהירויות הקריאה, הכתיבה וה-I/O וירידה בצריכת החשמל .

מדובר גם באבן דרך סמלית עבור החברה: סמסונג חשפה את טכנולוגיית V-NAND הראשונה שלה באותו כנס, 13 שנים קודם לכן, ב-2013 . עם זאת, V10 BV-NAND הוצג כאבטיפוס ולא כמוצר מסחרי זמין.

zHBM: הזיכרון עובר לצד העליון של המאיץ

ההכרזה המסקרנת ביותר של סמסונג הייתה zHBM — ארכיטקטורת קונספט שבה שבבי HBM מוערמים אנכית ישירות מעל מאיץ ה-AI, במקום להיות ממוקמים לצדו על גבי מצע סיליקון מסוג Interposer .

הגישה נשענת על טכנולוגיית חיבור פרוסות מתקדמת, ומבקשת לקצר את המרחק שבו הנתונים נעים בין הזיכרון לבין יחידת החישוב . לפי הערכות סמסונג, מערכת המבוססת על zHBM עשויה להציע:

• ביצועים הגבוהים בערך פי 8 מ-HBM5;
• צפיפות זיכרון הגבוהה ביותר מפי 10 מזו של HBM5;
• יעילות אנרגטית גבוהה פי 3;
• ירידה של יותר ממחצית בהתנגדות התרמית .

חשוב להדגיש: zHBM הוצג כדגם פיזי להמחשה, ולא כמוצר שמיועד למשלוח ללקוחות. סמסונג לא מסרה לוח זמנים למסחור . אם הארכיטקטורה תבשיל, היא עשויה לבטל את הצורך ב-Interposer הסיליקוני ששימש בסיס לכל דורות ה-HBM עד כה .

zNAND-O: NAND תלת-ממדי עבור Edge AI

סמסונג הציגה גם את zNAND-O, קונספט שמחבר את טכנולוגיית V-NAND עם TSV — מוליכים העוברים דרך שבב הסיליקון — כדי לערום ארבעה או שמונה שבבי NAND בתוך מארז יחיד .

הארכיטקטורה מיועדת בעיקר לעומסי עבודה של Edge AI, כלומר עיבוד בינה מלאכותית במכשירים ובמערכות מקומיות, הרחק ממרכזי הנתונים. סמסונג מדגישה שיפור בניצול המקום, בביצועי הקלט-פלט ובזמן ההשהיה . גם במקרה הזה מדובר בדגם קונספט, ללא תאריך מסחור שהוכרז .

HBM4E, HBM5 ו-PIM: לא רק קונספטים

בדוכן החברה הוצגו גם דוגמאות HBM4E — השלב הבא במפת הדרכים של סמסונג לזיכרון ברוחב פס גבוה — וכן דגמי קונספט של HBM5 .

סמסונג החלה בייצור המוני של HBM4 בפברואר 2026, באמצעות טכנולוגיית 1c DRAM ותהליך שבבים של 4 ננומטר. במאי 2026 היא הודיעה כי הייתה הראשונה לספק דוגמאות HBM4E ללקוחות ברחבי העולם . ייצור המוני של HBM4E מתוכנן ל-2027, תוך שימוש בתהליך Hybrid Bonding מהדור הרביעי .

חידוש נוסף היה LPDDR5X-PIM — זיכרון LPDDR עם יכולת Processing-in-Memory. במקום להעביר כל פיסת נתונים הלוך ושוב בין הזיכרון לבין המעבד או המעבד הגרפי, הארכיטקטורה מבצעת חלק מהפעולות בתוך הזיכרון עצמו. בעומסי עבודה מתאימים, במיוחד בהסקת AI, הדבר עשוי לצמצם תעבורת נתונים, לשפר יעילות ולהפחית צריכת חשמל .

סמסונג הציגה בנוסף את פלטפורמות ה-SSD הארגוניות PM1763 ו-BM1773, המיועדות לתשתיות AI .

סמסונג חוזרת להוביל את שוק ה-DRAM

ההכרזות הטכנולוגיות הגיעו בזמן שסמסונג מציגה גם שיפור במעמדה המסחרי. לפי Counterpoint Research, החברה החזיקה ב-39% מהכנסות שוק ה-DRAM העולמי ברבעון השני של 2026, לפני SK hynix עם 26% ו-Micron עם 25% .

המעבר לצמרת נתמך בביקוש חזק ל-DRAM לשימושים כלליים ובהתרחבות עסקי ה-HBM של סמסונג. במקביל, SK hynix התמודדה עם קיפאון במחירי HBM . אף שהכנסות SK hynix זינקו ב-214% לעומת השנה הקודמת, נתח השוק שלה ירד מ-39% ברבעון השני של 2025 ל-26% ברבעון המקביל ב-2026 . בכך חזרה סמסונג למקום הראשון לאחר ש-SK hynix הובילה בחלק מהרבעונים הקודמים .

העסקה שמאחורי השבבים: 60%–70% מהייצור בחוזים ארוכי טווח

במקביל להצגת המוצרים, סמסונג הכריזה על שינוי אסטרטגי במודל העסקי. בשיחת התוצאות לרבעון השני, שנערכה ב-30 ביולי, הודיעה החברה כי היא מתכננת להקצות 60%–70% מכלל כושר ייצור הזיכרון שלה להסכמי אספקה ארוכי טווח — LTAs .

מבנה ההסכמים כולל בדרך כלל:

• תקופת בסיס של חמש שנים, עם הארכה שנתית במשא ומתן מתגלגל — מה שמכונה 5-year rolling ;
• מקדמות או פיקדונות שנועדו לחזק את מחויבות הלקוח; סמסונג מסרה שכבר קיבלה בערך רבע מסך המקדמות ;
• תקרת ירידת מחירים של עד 5% ברבעון, בעוד שהגמישות לעליית מחירים נותרת למעשה בלתי מוגבלת .

סמסונג מסרה כי כבר חתמה על הסכמים עם חמישה לקוחות גלובליים גדולים בתחום מרכזי הנתונים, ונמצאת בשלבים מתקדמים של משא ומתן עם חמישה לקוחות נוספים . דיווחים זיהו את חמשת הלקוחות הראשונים כ-AWS, מיקרוסופט, Google Cloud, Meta ו-Oracle, אך שמות הלקוחות לא נמסרו רשמית על ידי סמסונג .

לשם השוואה, Micron מכוונת לכך שכ-50% ממכירותיה יהיו מכוסות בהסכמי Strategic Customer Agreements . סקר של Bank of America Merrill Lynch מצא כי תנאי ההסכמים של סמסונג נוטים בבירור לטובת הספק: ירידות המחירים מוגבלות, בעוד שפוטנציאל העלייה אינו מוגבל באותה צורה .

המשמעות העסקית ברורה: לקוחות הענן מקבלים ודאות רבה יותר לגבי אספקת זיכרונות בעידן של מחסור, וסמסונג מקבלת ראות טובה יותר לגבי הביקוש וההכנסות. מנגד, הקצאה של רוב כושר הייצור לחוזים ארוכי טווח עלולה לצמצם את הגמישות של החברה כאשר תנאי השוק משתנים.

גם המתחרות מנסות לבנות שכבת זיכרון חדשה ל-AI

סמסונג לא הייתה החברה היחידה שהציגה בכנס כיוון חדש לתשתיות AI:

• SK hynix ו-Sandisk הציגו יחד את המפרט הראשון של High Bandwidth Flash (HBF) — שכבת אחסון שנועדה לגשר על הפער בין HBM מהיר ויקר לבין SSD. המפרט תומך בנפחים של עד 512 גיגה-בייט, ברוחב פס של כ-0.4 עד 3.0 טרה-בייט לשנייה ובממשק UCIe, שנועד לחבר את הזיכרון למעבדים ולמאיצים . Google ו-Tenstorrent משתתפות בקונסורציום .
• Kioxia הציגה כונני SSD מסדרת GP1 עם PCIe 6.0 ו-NVMe, שעברו אופטימיזציה לגישה ישירה של מעבדי GPU. החברה הציגה גם את סדרות CM10 ו-NX1, שתומכות בקירור נוזלי ישיר, והופיעה יחד עם Nvidia בדיונים על אחסון לתשתיות AI .
• Micron כבר מייצרת בייצור המוני את כונן ה-SSD הארגוני 9650 עם PCIe 6.0 מאז פברואר 2026 — לפי הדיווחים, הכונן המסחרי הראשון מסוגו .
• SK hynix הציגה גם NAND מדגם V10 עם 375 שכבות, שלטענתה מציע שיפור של פי 2.5 ביעילות האנרגטית .

השורה התחתונה

המסר של סמסונג ב-FMS 2026 לא הסתכם בעוד דור מהיר יותר של זיכרון. החברה ניסתה להגדיר מחדש את המבנה הפיזי של מערכות הזיכרון — מ-NAND עם יותר מ-400 שכבות ועד zHBM שמערים את הזיכרון מעל מאיץ ה-AI — ובמקביל לבסס מודל עסקי שמקבע חלק גדול מכושר הייצור עבור לקוחות ענן לאורך שנים.

הכיוון של התעשייה הולך ומתבהר: תשתיות AI יישענו על היררכיה של שכבות — HBM, HBF ו-SSD — ועל ממשקים מהירים יותר כמו PCIe 6.0 ו-UCIe. zHBM ו-zNAND-O עדיין רחוקים ממוצר מסחרי, אך הם מסמנים עד כמה יצרניות הזיכרון מוכנות לשנות את הארכיטקטורה כדי לעמוד בדרישות של עידן הבינה המלאכותית.