סמסונג חושפת את שבב ה-HBM5 בתערוכת קומפיוטקס 2026

• תושבת בסיס 2 ננומטר מייצור עצמי: סמסונג מתכננת לייצר את תושבת הבסיס של השבב בתהליך ה-2 ננומטר של חטיבת ה-Foundry שלה – קפיצת מדרגה אגרסיבית עבור מוצר זיכרון, וראשונה מסוגה עבור סדרת ה-HBM של החברה .
• Heat Path Block) HPB): עיצוב תרמי היוצר נתיבי פיזור חום נוספים בין המשטחים הפיזיים של שכבות השבב. טכנולוגיה זו מורידה באופן ישיר את ההתנגדות התרמית ומשפרת את יציבות הפעולה. סמסונג אישרה כי HPB כבר יושם ואומת באמצעות הדור הקודם, HBM4E .
• תצורות ערימה: ה-HBM5 מוכן בתצורות של 12, 16 ו-20 שכבות של זיכרון DRAM, כדי לענות על דרישות הקיבולת הגדלות של מאיצי AI .

בנוגע ללוחות הזמנים, סמסונג כבר שלחה דגימות של HBM4E בתצורת 12 שכבות בחודש מאי 2026, כאשר ייצור המוני של HBM5 צפוי כאמור בסביבות 2028 . סונג הוסיף כי מועד ההטמעה הסופי של טכנולוגיית HPB עשוי להיות מוקדם יותר, בהתאם לדרישות הלקוחות ותנאי השוק .

הזירה התחרותית: סמסונג מול SK Hynix

תערוכת קומפיוטקס 2026 חשפה את האסטרטגיות המנוגדות של שתי ספקיות זיכרונות ה-HBM הדומיננטיות בעולם:

המהלך של סמסונג: אסטרטגיה של "פער-על טכנולוגי" – זינוק קדימה לצומת ייצור מתקדם והצגת HPB במטרה למצב את עצמה כספקית המתקדמת ביותר . חשיפת ה-HBM5 מגיעה לאחר שאבן דרך קודמת של סמסונג הייתה להיות הראשונה לייצר באופן המוני את זיכרון ה-HBM4 .

המענה של SK Hynix: הדגשת הדומיננטיות המוכחת בשוק והיקף האספקה. לפי Counterpoint Research, SK Hynix החזיקה בנתח של 58% משוק ה-HBM העולמי ברבעון הראשון של 2026, לעומת 21% בלבד לסמסונג . באותו אירוע, יו"ר SK, צ'יי טא-וון, הבטיח להכפיל את כושר ייצור הפרוסות (Wafers) בתוך חמש שנים, תוך ציון מחסור צפוי בזיכרונות עד לשנת 2030 .

עמדתה של Nvidia: המנכ"ל ג'נסן הואנג שיבח בפומבי את הצלחתה של SK Hynix בקומפיוטקס, אך נמנע מלהזכיר את סמסונג כלל . השתיקה הדגישה את אחיזת החנק הנוכחית של SK Hynix כספקית ה-HBM העיקרית למעבדים הגרפיים של Nvidia המיועדים ל-AI. עם זאת, Nvidia ידועה כמי שמנהלת אסטרטגיית ספק כפול כדי לשמור על כוח מיקוח, מה שמותיר את סמסונג בתמונה עבור דורות עתידיים של מאיצים .

מדוע הקירור הפך לזירת הקרב המכריעה

המעבר לערימות HBM בנות 16 ו-20 שכבות הפך את פיזור החום לצוואר בקבוק מרכזי בביצועי מאיצי ה-AI . שכבות שבבי ה-DRAM מוערמות אנכית ומשולבות בצפיפות עם שבבים לוגיים, כך שחום הכלוא בין השכבות פוגע באיכות האות, מגביר את צריכת ההספק ומקצר את חיי הרכיב.

טכנולוגיית HPB של סמסונג תוקפת בעיה זו ברמה הארכיטקטונית. במקום להסתמך אך ורק על פתרונות קירור חיצוניים, HPB יוצרת נתיבים ייעודיים להעברת חום דרך השכבה הפיזית (PHY) של השבב עצמו, ומוציאה אנרגיה תרמית אל מחוץ לערימה ביעילות רבה יותר . סמסונג מסרה כי העיצוב אומת על גבי HBM4E מבחינת שלמות מבנית, יציבות מעטפת וביצועים תרמיים .

גם SK Hynix נמצאת במרוץ להשגת טכנולוגיות קירור מהדור הבא עבור HBM, אך ההימור הפומבי של סמסונג על HPB מסמן שהיא מאמינה שחדשנות תרמית – ולא רק גובה הערימה – יכולה לגבור על יתרון שרשרת האספקה של יריבתה . עם תחזיות לכך ששוק ה-HBM יישאר בתפוסה מלאה עד סוף 2026, ומפת הדרכים של מאיצי ה-AI דורשת זיכרון מהיר מאי פעם, מי שתנצח במרוץ התרמי, עשויה לזכות במקום במאיצי הדור הבא של Nvidia, דוגמת ה-Rubin ומעבר לו.