Panther Lake מבפנים: מה באמת מוכיח תהליך 18A של אינטל?

הפירוק של מעבד Core Ultra 7 365 בידי SemiAnalysis מספק הצצה נדירה לתהליך 18A של אינטל בתוך מוצר מסחרי. אריח המחשוב משתמש בטרנזיסטורי RibbonFET, שבהם השער מקיף את התעלה, וב־PowerVia — שיטת אספקת חשמל דרך גב השבב. אבל הממצא אינו אומר שכל Panther Lake מיוצר ב־18A, וגם לא מוכיח שאינטל השיגה יתרון תהליכי על פני TSMC או סמסונג. 12

מה רואים בתוך 18A?

בתמונות החתך נראים טרנזיסטורי RibbonFET עם ארבע יריעות סיליקון אופקיות מוערמות. השער מקיף כל אחת מהן, במקום לעבור לצד תעלה יחידה. ב־PowerVia, החשמל עובר דרך רשת מתכת ייעודית בצדו האחורי של השבב ומגיע לרכיבים דרך מעברי סיליקון זעירים. כך מתפנה חלק מחיווט הצד הקדמי, שהיה משמש אחרת גם לאספקת חשמל. 34

אלה בחירות תכנון ושילוב משמעותיות, אך הן אינן מבטיחות שיפור ביצועים ללא מחיר. לפי הפירוק, השילוב כרוך בין השאר בפשרות של קיבול חשמלי, התנגדות תרמית ומורכבות ייצור. חתך פיזי יכול להראות איך נבנה השבב, אך לבדו אינו מוכיח יתרון בביצועים או בטמפרטורה לעומת מוצרים מתחרים. 4

לא כל Panther Lake מיוצר ב־18A

Panther Lake מורכב משלושה אריחים פעילים שמחוברים באמצעות Foveros-S ומונחים על אריח בסיס פסיבי. אריח המחשוב מיוצר ב־Intel 18A. אריח הגרפיקה משתנה לפי התצורה: אפשרות GT1 הקטנה יותר מיוצרת ב־Intel 3, ואילו אפשרות GT2 הגדולה יותר מיוצרת ב־TSMC N3E. אריח הקלט/פלט מיוצר ב־TSMC N6. 12

ההבחנה הזו חשובה: Panther Lake מדגים את 18A באריח המחשוב, לא בכל רכיבי המארז. אריח המחשוב כולל את ליבות המעבד, יחידת NPU, מנועי מדיה ומטמון בצד הזיכרון; הגרפיקה והקלט/פלט נמצאים באריחים נפרדים. 34

צפיפות הלוגיקה: דומה ל־N3E, לא מובילה בכל המדדים

במדידות של SemiAnalysis, צפיפות הלוגיקה באריח המחשוב של Panther Lake בתהליך 18A הייתה דומה לזו שנמדדה באריח הגרפיקה המיוצר ב־TSMC N3E. באותה השוואה, 18A לא הוביל בתוצאות צפיפות השיא שדווחו עבור TSMC N3P, TSMC N2 או Samsung SF2. חשוב לזכור שמדובר במדידות של אזורי לוגיקה מסוימים — לא בדירוג כולל של כל מאפייני התהליכים או כל המוצרים שנבנו בהם. 2

RibbonFET של אינטל מול MBCFET של סמסונג

RibbonFET של אינטל ו־MBCFET של סמסונג הם שניהם טרנזיסטורים מסוג Gate-All-Around, המבוססים על יריעות ננומטריות. הפירוק מתאר את המבנה של אינטל — ארבע יריעות מוערמות ושילוב עם אספקת חשמל מאחור — ומשווה אותו ל־SF2 של סמסונג, שמשאיר את אספקת החשמל בצד הקדמי ומשתמש בחומרי מגע וחיווט אחרים. 34

ההבדלים האלה מראים שהחברות בחרו בדרכי שילוב שונות, אך הם אינם קובעים לבדם איזה מעבד קריר יותר או מהיר יותר. הדיון בהתנגדות התרמית מתאר פשרה הנדסית בתהליך, ולא השוואת טמפרטורות ישירה בין מוצרים מוגמרים של אינטל וסמסונג. 4

מה נתוני הייצור מלמדים — ומה נשאר פתוח

אינטל ו־ASML מדווחות כי עובדו יותר ממיליון פרוסות סיליקון באמצעות High-NA EUV, טכנולוגיית ליתוגרפיה מתקדמת. המספר כולל הסמכה ובדיקות של הציוד, מחקר ופיתוח וייצור. High-NA משמש בשכבות נבחרות בחלק ממעבדי Panther Lake. זהו סימן לניסיון שנצבר עם הציוד — לא ספירה של מיליון פרוסות Panther Lake מוגמרות, ולא של פרוסות שעובדו כולן באמצעות High-NA. 19

דיווח נפרד מציין תפוקה של 175 פרוסות לשעה במצב עבודה אחד במערכת EXE:5200B, וכ־125 פרוסות לשעה כאשר נדרשת תפירת חשיפות. הנתונים ממחישים את הפשרה בתפוקה כשנדרשת תפירה; הם אינם מדד בפני עצמם לעלות הייצור הכוללת של אינטל או להיקף התפוקה שלה. 22

הערכת אנליסט הציבה את התשואה של 18A סביב 80%, אך לא פורסם כיצד חושב הנתון, ואינטל לא פרסמה נתון תשואה מוחלט משלה. לכן אי אפשר להסיק ממנו מהי התשואה בכלל הייצור של 18A, או אם עלויות הייצור משתוות לאלה של המתחרות. 24

גם Wildcat Lake מציג בחירות תכנון אחרות: לפי הדיווחים, אריח המחשוב שלו קטן ב־38% מזה של Panther Lake, והוא משתמש במארז רב־שבבי אורגני במקום ב־Foveros. הדבר מרחיב את מגוון המוצרים המשתמשים בטכנולוגיות קשורות, אבל לא גודל האריח ולא הפירוק של Panther Lake מוכיחים שאינטל עקפה תהליכים מתחרים בצפיפות, בכלכלת ייצור או בייצור גרפיקה מתקדמת. 5

השורה התחתונה

Panther Lake הוא הוכחה מוחשית לכך שאינטל שילבה RibbonFET ו־PowerVia במעבד מסחרי, ושילבה אריח מחשוב בתהליך 18A עם אריחים שיוצרו בתהליכים אחרים. גם ההסתייגות ברורה: במדידות הפירוק, צפיפות הלוגיקה של 18A הייתה דומה לזו של N3E — ולא גבוהה מזו של כל תהליך מתחרה. הניסיון עם High-NA והערכות התשואה מצביעים על התקדמות, אך הנתונים הזמינים אינם עונים על שאלות חשובות בנוגע להיקף התשואה, לתפוקה ולתחרותיות. 2192224