AnswersPublished24 sources
סמסונג ו-SK hynix מסמנות שינוי כיוון: מרוץ ה-HBM עובר מהזיכרון לאריזה
סמסונג החלה בסוף מאי לשלוח ללקוחות מרכזיים דוגמאות של HBM4E בעל 12 שכבות, במהירות יציבה של 14Gbps לפין, רוחב פס של 3.6TB/s וקיבולת של 48GB לכל מארז; יעד של 16Gbps עשוי להעלות את רוחב הפס לכ 4TB/s, אך מדובר ביעד מפרטי... הכיוון ארוך הטווח של סמסונג הוא מעבר ל cHBM מותאם לקוח ול zHBM, שבו לוגיקת המעבד והזיכרון נערמים...
פורסם על ידינערך באמצעות GPT-5.6 Lunaהתמונות נוצרו באמצעות GPT Image 1.5
Research answer
Key takeaways
- סמסונג החלה בסוף מאי לשלוח ללקוחות מרכזיים דוגמאות של HBM4E בעל 12 שכבות, במהירות יציבה של 14Gbps לפין, רוחב פס של 3.6TB/s וקיבולת של 48GB לכל מארז; יעד של 16Gbps עשוי להעלות את רוחב הפס לכ 4TB/s, אך מדובר ביעד מפרטי...
- הכיוון ארוך הטווח של סמסונג הוא מעבר ל cHBM מותאם לקוח ול zHBM, שבו לוגיקת המעבד והזיכרון נערמים יחד; SK hynix מתמקדת יותר בקירור, עיוות המארז, חיבורי הגומלין וגובה הערימה.
- SK hynix חוקרת hybrid bonding כדי לעבור לערימות של יותר מ 16 שכבות, אך אינה צופה שהטכנולוגיה תהיה מוכנה ל HBM4E; HBM5 הוא היעד המוקדם ביותר שהוזכר.
AI Prompt
openai.comCreate a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What did Samsung and SK hynix reveal at Hot Chips 2026 about their HBM roadmaps, including Samsung’s planned 16 Gbps-per-pin HBM4E reaching. Article summary: Samsung presented a roadmap centered on faster HBM4E, increasingly customized base dies, and ultimately processor-on-memory zHBM; SK hynix emphasized that advanced packaging, thermals, wafer warpage, and stack-height lim. Topic tags: general, general web, user generated, news. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts wi
בכנס Hot Chips 2026 הציגו Samsung ו-SK hynix שתי תשובות שונות לאותה בעיה: כיצד לספק למאיצי AI יותר רוחב פס, בלי שהחום, גודל המארז ומורכבות הייצור יכריעו את התכנון. סמסונג הדגישה מהירות, התאמה אישית של שבב הבסיס ועתיד שבו הזיכרון יושב ישירות על המעבד. SK hynix התמקדה בעיקר במארז עצמו — בקירור, בעיוותים מכניים, בחיבורי הגומלין ובמגבלות הפיזיות של ערימות גבוהות יותר. 2
3
חשוב לסייג את המספרים: נתוני הביצועים המוצגים כאן הם מפרטי יצרן, יעדי roadmap או טענות תכנוניות של החברות — לא תוצאות benchmark שנמדדו ואומתו באופן עצמאי.
היעד הקרוב של סמסונג: 3.6TB/s כיום, וכ-4TB/s במהירות של 16Gbps
סמסונג הודיעה כי החלה בסוף מאי לשלוח ללקוחות גלובליים מרכזיים דוגמאות של HBM4E בעל 12 שכבות. לדברי החברה, הדוגמאות פועלות במהירות יציבה של 14Gbps לפין, עם אפשרות להתרחב עד 16Gbps. גרסת 12 השכבות מציעה רוחב פס של 3.6TB/s וקיבולת של 48GB לכל ערימת זיכרון. 17
18
בתצורה המתוכננת של 16Gbps לפין, רוחב הפס לכל ערימה צפוי להגיע לכ-4TB/s. סמסונג הציגה גם גרסאות בעלות 8 ו-16 שכבות, מה שמרמז ש-HBM4E מיועד ליותר מתצורה אחת של מאיצים וקיבולת. 18
20
ההבדל בין דוגמאות שכבר נשלחות לבין יעד מהירות עתידי אינו סמנטי בלבד. 14Gbps הוא נתון הפעולה היציב של הדוגמאות הנוכחיות, ואילו 16Gbps הוא רמת הביצועים שאליה סמסונג שואפת להתרחב. לכן אין להתייחס אוטומטית לכל המספרים כאל ביצועי מוצר מסחרי שנבדקו בתנאי ייצור מלאים.
מסמסונג HBM סטנדרטי ל-HBM מותאם אישית
מפת הדרכים של סמסונג אינה מסתכמת בהאצת ה-DRAM או בהוספת שכבות. החברה מתארת מעבר הדרגתי ל-cHBM — קיצור של custom HBM — שבו ניתן להתאים את שבב הבסיס למאיץ של לקוח מסוים. כך הופך מארז הזיכרון לרכיב פעיל יותר במערכת, במקום להישאר רכיב סטנדרטי שמחובר אליה. 1
14
היעד הרחוק יותר הוא zHBM: מבנה תלת-ממדי שמשלב אנכית את לוגיקת המעבד עם שבבי ה-DRAM. לפי ההיגיון שהציגה סמסונג, גישה כזו עשויה להסיר חלק מנתיב החיבור המקובל באריזת 2.5D — ובהם האינטרפוזר וקישורי SerDes — ולשפר משמעותית את היעילות ואת רוחב הפס. 1
14
סמסונג תיארה את zHBM כארכיטקטורה שעשויה לספק יעילות אנרגטית טובה בכ-70% ויותר מפי שניים מרוחב הפס של ה-DRAM, בהשוואה לתכנון המקובל הרלוונטי. אלה תחזיות או טענות של החברה לגבי ארכיטקטורה עתידית, ולא מדידות של מוצר zHBM מסחרי זמין. 1
3
החום הופך למגבלה מרכזית בתכנון HBM
מהירות I/O גבוהה יותר וערימות צפופות יותר מגדילות את כמות החום שיש לפנות מהמארז. בתגובה, סמסונג הציגה את Heat Path Block, או HPB — מבנה שמייצר נתיבי פינוי חום נוספים סביב אזורים בעלי הספק גבוה בשכבת ה-PHY, כלומר השכבה הפיזית שמטפלת באותות ובחיבורי הזיכרון.
סמסונג מסרה כי כאשר ה-HPB מכסה יותר מ-50% משטח ה-PHY, הוא עשוי להפחית את טמפרטורת השיא ביותר מ-35%. 10
14
החברה הוסיפה כי הטכנולוגיה כבר יושמה ואומתה ב-HBM4E, וכי היא מתכננת לשלב אותה באופן רחב יותר ב-HBM5. 4
7 המשמעות האסטרטגית ברורה: קירור אינו עוד תכונת עזר של מארז הזיכרון. הוא הופך לחלק מהארכיטקטורה שקובעת באיזו מהירות הממשק יכול לפעול.
SK hynix: הבעיה אינה רק הזיכרון, אלא המארז כולו
המצגת של SK hynix ב-Hot Chips ניגשה לדורות ה-HBM הבאים מנקודת מבט של ייצור ואינטגרציה. החברה השוותה בין כמה דרכים לחבר ערימות HBM למאיצים, ובהן CoWoS-S המבוססת על אינטרפוזר סיליקון גדול, CoWoS-L עם אינטרפוזר RDL, ו-EMIB של Intel, המשתמשת בגשרי חיבור. לכל גישה יש פשרות הנוגעות לניתוב, למיקום השבבים, לגודל האינטרפוזר או המצע ולעיוות המארז, במיוחד כאשר מוסיפים ערימות זיכרון לצד המאיץ. 11
12
הנתונים שמסרה SK hynix על אריזת HBM ממחישים עד כמה התכנון צפוף. מארז HBM4 מתואר בגובה של 775 מיקרומטר בציר ה-Z, וכולל אלפי TSVs — מוליכים העוברים דרך הסיליקון — וכן אלפי חיבורי micro-bump לשבב הבסיס. ככל שהערימות נעשות גבוהות יותר, על המתכננים להתמודד עם שבבים דקים יותר, מרווחים צרים יותר, לחץ מכני ופינוי חום, וכל זאת בתוך מעטפת מארז מוגבלת. 11
12
מפת הדרכים של SK hynix כוללת גם את EMIB כאחת מאפשרויות האינטגרציה ב-2.5D. עצם הופעתה של הטכנולוגיה מעידה על עניין טכני או על תאימות אפשרית לגישת האריזה של Intel; היא אינה מוכיחה כשלעצמה קיומה של שותפות מסחרית מאושרת בין SK hynix ל-Intel. 12
iHBM: טיפול במוקדי חום מקומיים
SK hynix מפתחת גם את iHBM, גישת קירור שממקמת חומר בעל מוליכות תרמית גבוהה סמוך למוקדי חום מקומיים בתוך מבנה ה-HBM. החברה טענה כי התכנון עשוי להפחית את ההתנגדות התרמית ביותר מ-30%. 2
9
ההשוואה ל-HPB של סמסונג מעניינת. שתי החברות מנסות לפתור את בעיית החום ברמת השבב-לשבב והמארז, אך כל אחת מדגישה נתיב פיזי אחר: סמסונג מתארת מבנים ייעודיים להעברת חום סביב אזורי ה-PHY, ואילו SK hynix מתמקדת בהולכת חום ממוקדת הרחק ממוקדים פנימיים מסוימים.
הדיווחים הקיימים מתארים טענות של היצרניות ורעיונות הנמצאים בפיתוח. לכן אין לראות בירידה של 35% אצל סמסונג ובירידה של 30% אצל SK hynix תוצאות ניסוי ישירות וברות-השוואה.
Hybrid bonding הוא הדרך לעבור לערימות גבוהות יותר — אך לא ב-HBM4E
הוספת שכבות בשיטות הקונבנציונליות נתקלת בסופו של דבר בתקרת גובה ועובי. SK hynix מסרה כי היא חוקרת hybrid bonding, שיטת חיבור ישירה יותר, כדי לעבור לערימות של יותר מ-16 שכבות. היא עשויה לאפשר מבנים גבוהים יותר עם שבבים עבים יותר ומרווחים צפופים יותר. 1
3
עם זאת, החברה אינה מצפה שהטכנולוגיה תהיה מוכנה ל-HBM4E. היעד המוקדם ביותר שנקב בו הוא HBM5, וגם מועד זה הוא ציפייה לפיתוח ולא לוח זמנים מאושר למוצר. 2
5
במובן הזה, HBM5 עשוי להיות נקודת מעבר. HBM4E יכולה להגדיל מהירות וקיבולת באמצעות שיטות הערימה והאריזה הקיימות, אך הדורות הבאים עשויים להזדקק לטכניקות חדשות של bonding, קירור וניהול עומסים מכניים כדי להמשיך ולהתרחב.
השורה התחתונה: רוחב הפס לבדו לא יקבע את הדור הבא
המצגת של סמסונג מצביעה על כך שהיתרון התחרותי הבא עשוי להגיע מהתאמה אישית ומחיבור הדוק יותר בין המעבד לזיכרון. דוגמאות HBM4E מספקות קפיצת מהירות בטווח הקרוב, בעוד cHBM ו-zHBM מצביעות על מארזי זיכרון שתוכננו סביב מאיצים ספציפיים — ובסופו של דבר משולבים ישירות עם יחידת החישוב. 1
18
המסר של SK hynix הוא שהישגים כאלה תלויים קודם בפתרון בעיות פיזיות פחות בולטות: עיוות המארז, התנגדות תרמית, צפיפות הניתוב, גובה הערימה ותפוקת הייצור. iHBM והמחקר בתחום ה-hybrid bonding הם ניסיונות להאריך את חיי טכנולוגיית הזיכרון המוערם בלי להתעלם מהמגבלות האלה. 2
11
עבור מתכנני מאיצי AI, המסקנה המעשית היא ש-Mפתחות HBM עוסקות יותר ויותר במארז השלם — לא רק בשבב ה-DRAM. סמסונג מהמרת על התאמה אישית ועל אינטגרציה תלת-ממדית; SK hynix מהמרת על הנדסת מארז ועל משמעת ייצור. אף אחת מהגישות עדיין לא ביטלה את הפשרה הבסיסית בין יותר רוחב פס, יותר חום ויותר מורכבות אינטגרציה.
Studio Global AI
Continue your research
This page includes a source-backed answer you can continue inside Studio Global.
People also ask
What is the short answer to "סמסונג ו-SK hynix מסמנות שינוי כיוון: מרוץ ה-HBM עובר מהזיכרון לאריזה"?
סמסונג החלה בסוף מאי לשלוח ללקוחות מרכזיים דוגמאות של HBM4E בעל 12 שכבות, במהירות יציבה של 14Gbps לפין, רוחב פס של 3.6TB/s וקיבולת של 48GB לכל מארז; יעד של 16Gbps עשוי להעלות את רוחב הפס לכ 4TB/s, אך מדובר ביעד מפרטי...
What are the key points to validate first?
סמסונג החלה בסוף מאי לשלוח ללקוחות מרכזיים דוגמאות של HBM4E בעל 12 שכבות, במהירות יציבה של 14Gbps לפין, רוחב פס של 3.6TB/s וקיבולת של 48GB לכל מארז; יעד של 16Gbps עשוי להעלות את רוחב הפס לכ 4TB/s, אך מדובר ביעד מפרטי... הכיוון ארוך הטווח של סמסונג הוא מעבר ל cHBM מותאם לקוח ול zHBM, שבו לוגיקת המעבד והזיכרון נערמים יחד; SK hynix מתמקדת יותר בקירור, עיוות המארז, חיבורי הגומלין וגובה הערימה.
What should I do next in practice?
SK hynix חוקרת hybrid bonding כדי לעבור לערימות של יותר מ 16 שכבות, אך אינה צופה שהטכנולוגיה תהיה מוכנה ל HBM4E; HBM5 הוא היעד המוקדם ביותר שהוזכר.