הסטארט-אפ השווייצרי Minysa גייס 163,000 אירו כדי לפתור את החלק הקשה ביותר באלקטרוניקת GaN

אלקטרוניקת הכוח מבוססת הסיליקון הגיעה לקיר. בקרים קיימים מבוססי סיליקון מתחממים יתר על המידה, גדולים מדי ויקרים מדי עבור יישומים תובעניים כמו רכב חשמלי, רחפנים, לוויינים ומרכזי נתונים . גליום ניטריד (GaN) יכול לפתור זאת — אבל רק אם יודעים להניע אותו בצורה נכונה.

הכירו את Minysa, סטארט-אפ שווייצרי בתחום המוליכים למחצה (דיפ-טק) שהוקם על ידי Salem Abid. ביוני 2026 גייסה Minysa 150,000 פרנק שווייצרי (כ-163,000 אירו) משלב III של תוכנית Venture Kick, כדי להאיץ את פיתוח שבבי ה-GaN gate-driver (בקרי שער) ומודולי הכוח שלה . החברה בונה את החלק החסר שהופך את טכנולוגיית GaN לנגישה ליצרני אלקטרוניקת כוח בקנה מידה רחב.

GaN לעומת סיליקון: מה הופך את GaN לכל כך טוב יותר

GaN הוא מוליך למחצה בעל פער אנרגיה רחב (WBG). תכונות החומר שלו מעניקות לו יתרונות מהותיים על פני סיליקון קונבנציונלי:

• מהירות מיתוג גבוהה יותר — טרנזיסטורי GaN יכולים לעבור בערך פי 10 מהר יותר מטרנזיסטורי סיליקון (MOSFETs) .
• טמפרטורת עבודה גבוהה יותר — פער האנרגיה הרחב מאפשר פעולה אמינה בטמפרטורות גבוהות בהרבה .
• התנגדות נמוכה יותר בשטח קובייה — מפחיתה את אובדני ההולכה .
• גודל פיזי קטן יותר — התקני GaN קטנים בערך פי 10 ממקבילי הסיליקון, מזערים את טביעת הרגל של המערכת כולה .
• יעילות גבוהה יותר — השילוב של אובדני מיתוג והולכה נמוכים מאפשר יעילות של מעל %99 בממירים מסוימים .
• צפיפות הספק גבוהה יותר — מיתוג מהיר יותר ורכיבים פסיביים קטנים יותר מאפשרים לדחוס יותר הספק בנפח קטן יותר .

ספרות טכנית מקצועית מתעדת באופן עקבי יתרונות אלה. השוואה אחת בענף מתארת טרנזיסטורי GaN כ"קטנים פי 10 ומהירים פי 10" ממקבילי הסיליקון . מקור אחר מציין שלטרנזיסטורי GaN (FETs) יש אפס מטען התאוששות הפוכה (reverse recovery charge), מה שגורם לאובדני מיתוג נמוכים פי 4-5 מסיליקון .

שלושת החסמים ש-Minysa פותרת

למרות יתרונותיו הברורים של GaN, אימוץ נרחב נתקל בשלושה מכשולים :

1. מורכבות תכנון — הנעת טרנזיסטור GaN דורשת מעגלי בקר שער (gate driver) מיוחדים. זה לא תחליף פשוט לסיליקון.
2. עלות מערכת גבוהה — היעדר פתרונות משולבים ומוכנים ליישום שומר על עלויות גבוהות ברמת המערכת.
3. חוסר במודולים מוכנים לשימוש — מהנדסים זקוקים לאבני בניין מאומתות מראש וקלות לשימוש.

הגישה של Minysa היא לספק שבבי ASIC (מעגלים משולבים ייעודיים) לניהול שערי GaN, כמו גם מודולי כוח מוכנים (כולל פתרונות System-in-Package) המטפלים באינטגרציה המורכבת של מנהל ההתקן ובפונקציות ההגנה על גבי השבב. כפי שמצוין בתיאור של Venture Kick עצמו, מטרת Minysa היא להפוך את GaN ל"נגיש ליצרני אלקטרוניקת כוח בקנה מידה נרחב" .

שווקי יעד: מתחילים בחלל, מתקדמים לשווקים של מעל 5 מיליארד דולר

המיקוד ההתחלתי של Minysa הוא תעשיית החלל האירופית, בה עמידות לקרינה, יעילות ומזעור הם קריטיים . החברה הצטרפה רשמית לחממת סוכנות החלל האירופית בשווייץ (ESA BIC Switzerland), מה שנותן לה גישה לאקו-סיסטם החלל ולשותפים אסטרטגיים .

השווקים הנוספים (שווי מצטבר של מעל 5 מיליארד דולר) אליהם היא מכוונת כוללים :

• רכב חשמלי (EVs)
• רחפנים
• תעופה וחלל
• האינטרנט התעשייתי של הדברים (IoT)
• רובוטיקה
• מרכזי נתונים

התקדמות מול לקוחות והקשר של ESA

מקורות פומביים מאשרים ש-Minysa עובדת על מעגלים משולבים (ICs) עמידים לקרינה מבוססי GaN עבור יישומי חלל, וכי היא כבר עוסקת בלקוחות מהתעשייה והחלל . השאיפה של החברה, כפי שהיא מצוינת בחומריה הרשמיים, היא "לבנות, משווייץ, טכנולוגיות מוליכים למחצה ריבוניות עבור תעשיית החלל האירופית" .

חשוב לציין, השמות של ארבעה לקוחות ספציפיים מתעשיית החלל ושני תוכניות ESA ממומנות המוזכרים בחלק מהפניות אינם מופיעים במפורש בדיווחים הפומביים הזמינים כרגע (Tech.eu, Venture Kick, punkt4, Moneycab) . עבודות פיתוח קודמות של ESA בנושא אינטגרציה מונוליטית של GaN — כמו תוכנית GANIC4S עם שותפים כמו Thales Alenia Space ו-IMEC — קיימות באקו-סיסטם האירופי הרחב של GaN, אך תוכניות אלו קודמות לפעילות המסחרית הנוכחית של Minysa ונבדלות ממפת הדרכים של המוצר שלה .

השורה התחתונה

Minysa תוקפת את הבעיה ההנדסית הקשה ביותר באלקטרוניקת GaN: בקר השער (gate driver). על ידי שילוב של הגנה, חישה וניטור בשבב יחיד, היא מסירה את חסמי התכנון שמנעו מ-GaN להפוך למיינסטרים. עם מימון של 163,000 אירו מ-Venture Kick ועם נתיב ברור מחלל ליישומים יבשתיים כמו רכבים חשמליים, Minysa ממקמת את עצמה כגורם מפתח המאפשר הדור הבא של מערכות חשמל — קטנות יותר, קרות יותר, ויעילות באופן קיצוני.