Le pari du FD-SOI : comment la Chine compte contourner l’EUV grâce à un fonds soutenu par YMTC

L'investissement du fonds Changcun Industry Investment Fund dans SOI Micro est un signal fort. Il représente un soutien financier stratégique à la technologie FD-SOI comme pilier du plan chinois visant à construire un écosystème alternatif de fabrication de puces, capable de contourner la dépendance à la lithographie extrême ultraviolet (EUV) et aux nœuds de gravure étrangers avancés.

Pourquoi le FD-SOI est crucial pour la Chine

Le FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator) est une technologie de puce « planar », et non une architecture FinFET. Elle permet de produire des puces logiques à faible consommation et haute performance en utilisant des équipements de fabrication plus anciens et plus facilement accessibles. L'avantage décisif est qu'elle ne nécessite pas les machines EUV d'ASML, dont l'exportation vers la Chine est restreinte. Cela en fait une voie géopolitiquement très attractive pour la production nationale de semi-conducteurs .

Un fondateur aux références d'État

Ye Tianchun, qui dirige SOI Micro, a précédemment dirigé l'Institut de microélectronique de l'Académie des sciences de Chine et a été le chef technologiste du « Projet 02 » national — une initiative majeure de l'État pour développer des outils et des procédés de fabrication de puces domestiques . Sa présence à la tête de l'entreprise indique que SOI Micro est un véhicule pour les objectifs technologiques nationaux, bien plus qu'une simple start-up commerciale.

L'extension du périmètre d'investissement de YMTC

Le fonds Changcun a été créé en 2023 par YMTC en collaboration avec le Fonds d'investissement de l'industrie des circuits intégrés du Hubei, un véhicule soutenu par l'État. Son mandat initial se concentrait sur les acteurs de la chaîne d'approvisionnement des puces mémoire. Ce mouvement vers la fabrication de puces logiques en FD-SOI marque donc un élargissement délibéré de la stratégie d'investissement chinoise dans les semi-conducteurs .