Les spécifications officielles de Samsung, confirmées par des sources indépendantes, montrent un saut technologique significatif :
Débit de données : 11,7 Gbps par broche en fonctionnement standard, avec un pic à 13 Gbps — soit 22 % de plus que le maximum de la HBM3E (9,6 Gbps) et 46 % au-dessus de la baseline JEDEC .
Nombre de broches E/S : Samsung a doublé le nombre de broches, passant de 1 024 à 2 048, permettant cette augmentation massive de bande passante .
Capacité : Les stacks actuels à 12 couches offrent 36 Go chacun ; des stacks à 16 couches de 48 Go sont prévus .
Technologie de gravure : La HBM4 est fabriquée sur la DRAM 1c de sixième génération (classe 10 nm) de Samsung, avec un die de base logique gravé en 4 nm .
Conformité JEDEC : Samsung affirme que sa HBM4 dépasse à la fois la norme JEDEC et les exigences de Nvidia .
Le paysage concurrentiel a radicalement changé avec l'arrivée de la HBM4.
L'ère pré-HBM4 (HBM3/HBM3E) :
L'ère HBM4 : les rôles s'inversent :
Nuance : Malgré l'avantage de premier entrant de Samsung, SK Hynix conserve une avance en parts de marché globales héritées des générations précédentes et entretient des relations historiques solides avec Nvidia . Counterpoint Research estime que SK Hynix capturera environ 54 % du marché total de la HBM4 en 2026, contre 28 % pour Samsung et 18 % pour Micron — des projections qui pourraient évoluer avec la montée en puissance de Samsung
. La bataille de la HBM4 ne fait que commencer.
Augmentation de 50 % de la capacité en 2026 : Samsung prévoit d'augmenter sa production totale de HBM d'environ 50 %, visant ~250 000 wafers par mois d'ici fin 2026, contre environ 170 000 actuellement .
Campus de Pyeongtaek (P4) : Samsung convertit sa ligne P4 en une base de production dédiée à la HBM4, avec une installation d'équipements par phases à partir de 2026 pour la production de DRAM 1c. La première phase pourrait sécuriser environ 60 000 wafers par mois de nouvelle capacité au premier semestre 2026 .
Méga-fab P5 accélérée : Samsung a avancé le début des travaux de la P5 Fab 2 à juillet 2026 (six mois plus tôt que prévu), avec une mise en service commerciale visée pour 2029. La fin de la salle blanche a été avancée au T3 2026 .
Lignes de Cheonan : Le président Lee Jae-yong a inspecté les lignes HBM de Cheonan en juin 2026, signe de la priorité de la direction sur la montée en puissance de la HBM .
Allocation de la fonderie : Plus de 50 % de la capacité de la fonderie de Pyeongtaek serait allouée à la production interne de dies de base HBM4, au détriment des clients externes — une priorisation interne unique au modèle intégré verticalement de Samsung .
La demande en HBM4 est tirée par les plateformes d'accélération IA Blackwell et Rubin de Nvidia, ainsi que par les fournisseurs de services cloud qui développent leurs propres puces IA . Les signaux clés :
La course s'étend déjà au-delà de la HBM4 :
HBM4E (septième génération) :
HBM personnalisées :
Samsung a pris une longueur d'avance dans la course à la HBM4 grâce à une première mondiale en production de série, le premier cap du milliard de dollars de ventes (en seulement quatre mois) et les premiers échantillons de HBM4E — un retournement spectaculaire après avoir été distancé par SK Hynix sur les générations HBM3 et HBM3E. SK Hynix reste néanmoins le leader en parts de marché globales, fort de ses relations solides avec Nvidia, et contre-attaque avec ses propres échantillons HBM4E. La génération HBM4 se dessine comme un duel à deux (Micron étant mis sur la touche), et la prochaine frontière est la HBM4E et les puces sur mesure, où l'intégration de la fonderie de Samsung pourrait faire la différence.