La demande liée à l’IA réoriente les capacités vers la HBM, la DRAM haute densité pour serveurs et le stockage NAND d’entreprise, ce qui réduit la marge de manœuvre pour l’électronique grand public. IDC prévoit pour 2026 une croissance de l’offre inférieure aux niveaux historiques : 16 % pour la DRAM et 17 % pour la...
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Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: How is AI-driven demand from hyperscale data centers reshaping global DRAM and NAND flash supply, why do Phison CEO Khein-Seng Pua, SK Hynix. Article summary: AI infrastructure is turning memory from a cyclical, broadly shared commodity into a capacity-constrained strategic input. Hyperscalers are buying vast amounts of HBM for AI accelerators, server DRAM, and enterprise NAND. Topic tags: general, news, general web, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts w
L’essor des infrastructures d’intelligence artificielle change la nature du marché de la mémoire. Il ne s’agit plus seulement d’un cycle classique alternant surproduction et pénurie : les grands opérateurs de cloud réservent des volumes considérables de mémoire pour leurs grappes de calcul IA, tandis que les fabricants privilégient les produits les plus rentables. Résultat : l’offre disponible se resserre aussi pour les PC, les smartphones, les SSD et d’autres appareils électroniques. 2
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Le point de tension le plus visible est la HBM (High Bandwidth Memory, ou mémoire à très large bande passante). Cette DRAM spécialisée est placée au plus près des processeurs IA avancés. Sa fabrication mobilise à la fois des capacités de production de pointe et des étapes de packaging avancé, elles-mêmes limitées.
Selon IDC, la demande d’infrastructures IA — notamment en HBM et en DRAM haute densité dans les serveurs équipés de GPU — est le principal moteur du déséquilibre actuel. La demande des serveurs progresse plus vite que l’offre ne peut s’ajuster. 8
La pression dépasse toutefois la HBM. Les systèmes d’IA ont aussi besoin de vastes capacités de stockage rapide, ce qui soutient la demande de NAND destinée aux entreprises. En consacrant davantage de production et d’investissement à ces mémoires orientées IA, à plus forte marge, les fabricants laissent moins de capacité aux acheteurs de DRAM et de NAND conventionnelles. IDC estime que cette réallocation contribue aux pénuries ressenties dans l’électronique grand public. 4
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Augmenter la production de mémoire prend du temps. Il faut construire et équiper de nouvelles capacités, qualifier les procédés, puis monter en rendement. Pour la HBM, le packaging spécialisé ajoute une contrainte supplémentaire.
Sassine Ghazi, directeur général de Synopsys, a estimé que la pénurie se prolongerait en 2026 et 2027, en soulignant le délai nécessaire pour mettre de nouvelles capacités en service. 12 Micron avance une analyse similaire : la demande tirée par l’IA évolue plus vite que l’industrie ne peut ajouter de l’offre, et les tensions devraient se maintenir largement en 2027, voire au-delà.
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Les prévisions d’IDC illustrent cette lenteur relative : pour 2026, le cabinet anticipe une hausse de l’offre de DRAM de 16 % sur un an et de NAND de 17 %, des rythmes inférieurs aux normes historiques. 14
Cela ne signifie pas que tous les produits mémoire connaîtront la même pénurie. Les contrats d’approvisionnement, les générations de produits, les arbitrages des fournisseurs et la demande propre à chaque marché peuvent créer des situations très différentes entre HBM, DRAM serveur, DRAM pour PC et NAND. Le fil conducteur reste néanmoins le même : les nouvelles capacités arrivent moins vite que la demande stimulée par l’IA.
La mémoire représente une part importante du coût de fabrication d’un appareil. IDC constate que les fabricants de smartphones et de PC doivent composer avec la hausse du coût des composants, qui modifie l’économie de leurs produits. 8
Plusieurs réponses sont possibles : absorber une partie du surcoût au détriment des marges, augmenter les prix de vente, revoir les configurations de mémoire ou de stockage, ou modifier les plans de lancement. Dans ses scénarios pour 2026, IDC estime que le prix moyen des smartphones pourrait progresser de 3 % à 5 % dans un scénario modéré, et de 6 % à 8 % dans un scénario pessimiste. Il s’agit de scénarios de marché, non d’une certitude pour chaque modèle. 14
Pour les fournisseurs de composants en aval, l’exposition est surtout indirecte : des PC, téléphones ou périphériques plus chers peuvent modifier les volumes expédiés par leurs clients, le mix de produits et les besoins en stocks. Les éléments disponibles ne permettent pas de chiffrer un impact financier précis pour Sonix Technology, ni d’établir une prévision propre à l’entreprise.
Khein-Seng Pua, directeur général de Phison, a averti que la mémoire flash NAND pourrait connaître sa pire pénurie en 2027. 17 Selon des informations rapportant ses propos, il faudrait environ quatre ans pour que de nouvelles capacités NAND rattrapent la demande — ce qui renverrait potentiellement à 2030 ou après, si cette estimation se vérifie.
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Cette projection doit être comprise comme un scénario de risque, et non comme une prévision définitivement établie. La conclusion la mieux étayée à court terme reste celle d’une offre de mémoire tendue et de prix élevés pouvant durer jusqu’en 2027. Un horizon vers 2030 dépendra du rythme de mise en service des capacités, de l’amélioration des rendements, de la part de production réservée aux mémoires pour l’IA et de la poursuite de la demande en infrastructures IA. 7
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Le projet de plus de 4 milliards de dollars de SK hynix dans l’Indiana montre l’ampleur des investissements nécessaires — et leurs délais. L’entreprise prévoit d’achever la salle blanche d’ici octobre 2028, puis de lancer la production de masse de HBM4E au troisième trimestre 2029. Son directeur général, Kwak Noh-jung, estime que la pénurie de mémoire pourrait perdurer jusqu’à la fin de 2030.
Cette installation devrait apporter une capacité importante de packaging HBM aux États-Unis à partir de la fin de la décennie. Mais elle ne constitue pas un remède immédiat à l’ensemble du marché : une usine dédiée au packaging de HBM de nouvelle génération n’ajoute pas, à elle seule, assez de capacité de wafers et ne résout pas les contraintes touchant la DRAM conventionnelle et la NAND.
La tension sur la mémoire n’est plus une affaire réservée au secteur des semi-conducteurs. Elle devient un enjeu de planification des produits pour les fabricants d’appareils et d’approvisionnement pour leurs fournisseurs. Les centres de données IA captent des capacités qui auraient autrement servi un éventail beaucoup plus large de produits électroniques, tandis que les capacités de remplacement demandent des années à être opérationnelles.
La pression devrait rester la plus forte sur la mémoire dédiée à l’IA et les serveurs, avec des effets de diffusion sur les prix de la DRAM et de la NAND grand public au moins jusqu’en 2027. Le soulagement, lorsqu’il viendra, sera probablement progressif et inégal. Les annonces d’un retour complet à la normale à une date donnée doivent donc être considérées avec prudence, en particulier lorsque les nouvelles capacités visent avant tout la HBM plutôt que l’ensemble de la chaîne d’approvisionnement mémoire.
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La demande liée à l’IA réoriente les capacités vers la HBM, la DRAM haute densité pour serveurs et le stockage NAND d’entreprise, ce qui réduit la marge de manœuvre pour l’électronique grand public.
La demande liée à l’IA réoriente les capacités vers la HBM, la DRAM haute densité pour serveurs et le stockage NAND d’entreprise, ce qui réduit la marge de manœuvre pour l’électronique grand public. IDC prévoit pour 2026 une croissance de l’offre inférieure aux niveaux historiques : 16 % pour la DRAM et 17 % pour la NAND.
L’usine de packaging avancé de SK hynix dans l’Indiana apportera de nouvelles capacités HBM, mais la production de masse de HBM4E n’est prévue qu’au troisième trimestre 2029.