J.P. Morgan estime que les prix de la DRAM pourraient finir 2026 à plus de 400 % au-dessus de leur niveau du début de 2024. Cette perspective dépasse largement le simple rebond cyclique habituel du marché de la mémoire.
Pour Samsung, SK Hynix et les autres fabricants, la réponse tient d’abord à la rentabilité. La HBM et les mémoires avancées destinées aux accélérateurs d’IA se vendent plus cher que la mémoire standard qui équipe les téléphones, les ordinateurs, les téléviseurs ou les consoles. Les clients de l’IA — hyperscalers, fournisseurs de cloud et grands fabricants de serveurs — passent en outre des commandes importantes et souvent pluriannuelles. Il est donc plus sûr, commercialement, de leur réserver la capacité disponible.
Le problème ne vient pas uniquement d’une demande supplémentaire. Adapter les lignes de production à la HBM et aux mémoires serveur avancées réduit aussi l’offre de DRAM conventionnelle, de LPDRAM — une mémoire basse consommation utilisée notamment dans les appareils mobiles — et de NAND pour les produits grand public.
Il n’existe pas de calendrier consensuel pour un retour à la normale. Selon l’évaluation actuelle de TrendForce, le marché de la DRAM devrait rester tendu jusqu’en 2027. J.P. Morgan estime pour sa part que le déséquilibre pourrait mettre plusieurs années à se résorber.
Les scénarios les plus pessimistes situent un véritable soulagement en 2027-2028, voire plus tard. Deloitte estime même que la pression pourrait ne pas retomber avant 2029. Ces échéances restent toutefois des prévisions, et non des faits établis.
Le choc tarifaire le plus brutal semble avoir eu lieu lors de l’accélération du premier et du deuxième trimestre 2026. Cela ne signifie pas que les prix vont rapidement baisser : lorsque l’offre demeure insuffisante, ils peuvent rester très élevés même si les hausses trimestrielles ralentissent.
Les fabricants d’appareils disposent de plusieurs leviers pour absorber la hausse des composants : augmenter leurs tarifs, réduire la mémoire des configurations, simplifier certaines gammes ou diminuer les volumes produits. Les modèles d’entrée et de milieu de gamme sont particulièrement vulnérables, car la mémoire pèse davantage dans leur coût total et leurs marges sont plus faibles.
Reuters a fait état d’attentes plus faibles pour la demande mondiale de smartphones, d’ordinateurs personnels et de consoles de jeu, alors que des entreprises comme HP et Raspberry Pi relevaient leurs prix ou subissaient l’augmentation de leurs coûts de composants.
Apple a également indiqué que la hausse du prix de la mémoire commençait à peser sur sa rentabilité. Même un acheteur de cette taille n’est donc pas totalement protégé contre la pénurie.
Des informations de Bloomberg suggèrent que la pénurie et la hausse des composants pourraient déterminer l’ampleur du marché des smartphones sur l’exercice. Dans l’ensemble, les éléments disponibles indiquent une pression à la hausse sur les ordinateurs portables, les téléphones, les consoles et les appareils équipés de stockage flash.
Pour les téléviseurs et les consoles portables, le mécanisme — une hausse du coût de la DRAM et de la NAND — est documenté, mais les sources disponibles ne permettent pas d’affirmer une augmentation universelle des prix ou une pénurie touchant chaque modèle. Aucun chiffre mondial précis ne peut être établi pour ces catégories à partir des éléments examinés.
Une nouvelle usine de mémoire ne se construit pas en quelques mois. Il faut mobiliser plusieurs milliards de dollars, installer des équipements spécialisés, construire les bâtiments, qualifier les procédés de fabrication et faire valider les composants par les clients. La HBM ajoute une difficulté : elle repose sur des opérations complexes d’empilement et de packaging avancé.
Le projet annoncé par SK Hynix, évalué à 54 000 milliards de wons — environ 38,1 milliards de dollars — pour deux nouvelles usines, illustre l’ampleur des investissements nécessaires. Mais même un tel programme ne peut pas créer immédiatement de nouvelles quantités disponibles sur le marché.
La plateforme Vera Rubin de Nvidia pourrait ajouter un second foyer de tension, au-delà de la DRAM et de la HBM. Son architecture de stockage de contexte pour l’inférence devrait nécessiter d’importantes capacités de NAND et de SSD d’entreprise. Une estimation citée par Citi évoque environ 1 152 To de NAND supplémentaire par système serveur Vera Rubin.
Si le déploiement de Rubin progresse comme prévu, les opérateurs d’IA pourraient réserver une grande quantité de cellules NAND et de SSD d’entreprise. Cela exercerait une pression supplémentaire sur les prix et réduirait l’offre disponible pour les SSD grand public, les smartphones, les consoles et d’autres produits utilisant du stockage flash. Il s’agit pour l’instant d’une projection, pas encore de la preuve d’une pénurie généralisée de NAND.
Apple doit arbitrer entre deux impératifs : sécuriser davantage de mémoire alors que l’inflation des composants réduit ses marges, et trouver d’éventuels fournisseurs alternatifs sans compromettre la qualité ni les délais de validation. La qualification de nouveaux fournisseurs prend du temps, tandis que sa chaîne d’approvisionnement reste exposée aux restrictions technologiques entre les États-Unis et la Chine. Apple a reconnu publiquement la pression exercée par les prix de la mémoire.
Les fabricants chinois pourraient, en théorie, contribuer à diversifier l’approvisionnement en mémoire conventionnelle. Leur capacité à remplacer les leaders coréens et américains dans les mémoires avancées reste toutefois limitée par les écarts technologiques, la qualification auprès des clients, les contrôles à l’exportation et les restrictions américaines sur les équipements et les savoir-faire de pointe.
Les sources examinées ne permettent pas d’établir qu’Apple a opéré un basculement large et décisif vers des fournisseurs chinois de mémoire. Une telle affirmation nécessiterait des preuves primaires plus solides.
La géopolitique ne joue donc pas seulement sur les prix : elle limite aussi les possibilités de substitution. Les fabricants ne peuvent pas déplacer leurs lignes ni reproduire rapidement une capacité HBM avancée d’un pays à l’autre.