CXMT produit sa DRAM G5 et envisage la NAND : ce que montrent les chiffres

La distinction est essentielle : CXMT fabrique désormais en série sur sa plateforme DRAM G5, mais son éventuelle entrée dans la mémoire flash NAND n’est, à ce stade, qu’un projet de recherche rapporté par Reuters.845 Pour mesurer la portée de ces annonces, il faut séparer les progrès de fabrication revendiqués des résultats commerciaux qu’ils pourraient — ou non — produire.

G5 : davantage de puces potentielles par plaquette

La DRAM est la mémoire de travail rapide dans laquelle les processeurs puisent les données qu’ils utilisent à l’instant donné. Présente notamment dans les téléphones, les PC, les serveurs et les systèmes d’IA, elle perd ces données lorsqu’elle n’est plus alimentée. CXMT a annoncé la production en série de sa plateforme de fabrication G5, de cinquième génération, et présenté deux produits LPDDR5X de 24 gigabits destinés à la mémoire mobile à faible consommation.848

Le chiffre mis en avant par l’entreprise est un gain d’au moins 50 % de puces brutes par plaquette par rapport à G4, calculé en équivalent 8 gigabits.37 Cette unité commune permet de comparer la production potentielle de deux procédés. Elle ne signifie pas que les nouveaux produits LPDDR5X ont une capacité de 8 gigabits. Surtout, le nombre de puces brutes ne tient pas compte de celles qui seront écartées en raison de défauts, lors des tests ou au conditionnement.37

Il ne faut donc pas confondre ce gain avec une réduction de 50 % du coût unitaire. À coût de traitement et rendement identiques, produire 1,5 fois plus de puces équivalentes ferait baisser le coût de traitement par puce équivalente d’environ un tiers. Dans la pratique, le résultat dépend aussi du rendement et des dépenses liées au nouveau procédé. Une analyse antérieure citée par The Korea Herald estimait que le coût par bit de la DDR5 de CXMT dépassait encore de plus de 30 % celui des trois principaux fournisseurs ; l’annonce de G5 ne permet pas de conclure que cet écart a disparu.19

CXMT indique par ailleurs que G5 atteint un demi-pas de 11,95 nanomètres dans la zone active de la matrice mémoire, grâce à une technique de quadruple patterning auto-aligné.49 Cette mesure décrit l’espacement d’un motif répété précis. Elle ne donne ni la taille de toutes les structures de la puce, ni, à elle seule, sa performance globale ou son coût de fabrication.

Une quatrième place mondiale, mais un écart technologique

Selon les chiffres de TrendForce relayés en septembre, CXMT occupait la quatrième place du marché mondial de la DRAM en chiffre d’affaires au deuxième trimestre 2026, avec 9,5 %. Samsung était à 39,4 %, SK hynix à 24,9 % et Micron à 23,3 %.6 Une estimation distincte de Counterpoint plaçait CXMT à 10 % : les parts de marché varient selon le cabinet qui les calcule.4

Cette progression ne signifie pas que CXMT a rejoint les leaders sur toutes les technologies. La Korea Semiconductor Industry Association estimait l’écart entre la Chine et la Corée du Sud à environ deux ans pour la DRAM et trois ans pour la mémoire à large bande passante, ou HBM, utilisée notamment avec les processeurs d’IA. Il s’agit d’estimations générales sur les filières, pas d’une mesure propre à G5.30 Des articles font état d’une production à petite échelle de HBM3E chez CXMT et de tests avec des concepteurs chinois de puces, sans établir une production compétitive en grands volumes ni un calendrier ferme pour les générations suivantes.3430

CXMT peut aussi trouver une ouverture dans la DRAM classique. Samsung, SK hynix et Micron accordent la priorité à la HBM liée à l’IA et à la mémoire pour serveurs, ce qui limite la croissance de l’offre de certains produits conventionnels.22 Les éléments disponibles ne permettent toutefois pas de déterminer quelle part de la progression de CXMT s’explique par ce déplacement des investissements.

NAND à Pékin : une piste de recherche, pas encore une usine commerciale

La mémoire flash NAND remplit une autre fonction que la DRAM : elle conserve les données sans alimentation électrique et sert au stockage durable, notamment dans les SSD et les téléphones. Pour s’y lancer, CXMT devrait développer et faire qualifier une technologie de fabrication distincte ; il ne suffirait pas de vendre sa DRAM G5 sur un autre marché.

Le 18 septembre, Reuters a rapporté, en citant des personnes au fait du projet, que CXMT comptait installer une ligne de production consacrée à la recherche et au développement NAND dans sa nouvelle usine de Pékin.45 En cas de réussite, l’entreprise arriverait sur un marché où opèrent déjà des fournisseurs établis ainsi que le spécialiste chinois de la NAND, Yangtze Memory Technologies (YMTC).3545 Mais une ligne de recherche n’est pas une usine produisant à l’échelle commerciale. Les informations citées ne fixent ni date de lancement, ni capacité de production, ni engagements fermes de clients.

Pour situer les acteurs en place, TrendForce attribuait au deuxième trimestre 2026 29,3 % du marché de la NAND à Samsung et 18,2 % à SK hynix.6 Ces parts décrivent le marché que CXMT envisage de rejoindre, et non des ventes NAND qu’elle aurait déjà réalisées.

Le véritable test pour CXMT

La concurrence immédiate avec les fabricants coréens se joue surtout dans la DRAM conventionnelle : CXMT y dispose d’une part de chiffre d’affaires notable et annonce un procédé conçu pour accroître la production potentielle par plaquette.63 Une offre tendue et des prix durablement élevés pourraient aider un concurrent dont les coûts restent supérieurs à vendre davantage et à améliorer sa production. Ils ne prouveraient pas, à eux seuls, que ses rendements ou ses coûts égalent ceux de Samsung ou de SK hynix.1922

Les deux dossiers appellent donc des preuves différentes. Pour G5, il faudra voir si le gain de densité se traduit par davantage de puces commercialisables à un coût compétitif. Pour la NAND, la première question est de savoir si le projet de recherche rapporté à Pékin débouchera sur un produit qualifié pour la vente.345