Samsung kääntää tekoälymuistin rakenteen uusiksi – zHBM:n luvataan yltävän kahdeksankertaiseen suorituskykyyn
Samsungin V10 BV NAND on yhtiön mukaan alan ensimmäinen yli 400 kerroksen NAND prototyyppi, jonka muistitiheys on noin 58 prosenttia V9 sukupolvea suurempi [1][3][9]. zHBM konseptissa HBM muisti pinotaan tekoälykiihdyttimen päälle.
JulkaisijaMuokattu mallilla DeepSeek-V4-FlashKuvat luotu mallilla GPT Image 1.5
Samsungin V10 BV NAND on yhtiön mukaan alan ensimmäinen yli 400 kerroksen NAND prototyyppi, jonka muistitiheys on noin 58 prosenttia V9 sukupolvea suurempi [1][3][9].
zHBM konseptissa HBM muisti pinotaan tekoälykiihdyttimen päälle. Samsung arvioi sen voivan tarjota noin kahdeksankertaisen HBM5 suorituskyvyn, mutta kyse ei vielä ole kaupallisesta tuotteesta [5][7][9].
Samsung aikoo sijoittaa 60–70 prosenttia muistituotantokapasiteetistaan pitkäaikaisiin toimitussopimuksiin, kun taas DRAM markkinaosuus nousi vuoden 2026 toisella neljänneksellä 39 prosenttiin [1][4][5].
What major next-generation memory technologies did Samsung unveil at the Future of Memory and Storage conference, and what do they include iSamsung unveiled zHBM (vertical HBM concept) and V10 BV-NAND (400+ layer prototype) at the FMS 2026 conference in Santa Clara, August 2026.
AI Prompt
Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What major next-generation memory technologies did Samsung unveil at the Future of Memory and Storage conference, and what do they include i. Article summary: At the **FMS 2026** conference in Santa Clara (August 4–6, 2026), Samsung unveiled an ambitious next-generation 3D memory roadmap spanning NAND, DRAM, and HBM, alongside major market and business strategy announcements. . Topic tags: general, general web, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts with fa
openai.com
Samsung toi FMS 2026 -tapahtumaan poikkeuksellisen kunnianhimoisen tiekartan tekoälyn muistiteknologioille. Kalifornian Santa Clarassa 4.–6. elokuuta järjestetyssä Future of Memory and Storage -konferenssissa yhtiö esitteli uusia ratkaisuja NAND-muistiin, DRAM-muistiin ja HBM-muistiin sekä uudenlaisen tavan tehdä pitkäaikaisia toimitussopimuksia suurten datakeskusasiakkaiden kanssa.
Kokonaisuus kertoo siitä, mihin muistiteollisuus on menossa: siruja pinotaan entistä korkeammiksi, muistia tuodaan lähemmäs laskentaa ja tekoälyasiakkaiden kapasiteettia varataan vuosiksi etukäteen.
Yli 400 kerrosta: Samsungin V10 BV-NAND
Samsungin näkyvin NAND-julkistus oli V10 BV-NAND eli Bonding V-NAND. Yhtiön mukaan kyseessä on alan ensimmäinen V-NAND-rakenne, jossa on yli 400 kerrosta .
Studio Global AI
Continue your research
This page includes a source-backed answer you can continue inside Studio Global.
What is the short answer to "Samsung kääntää tekoälymuistin rakenteen uusiksi – zHBM:n luvataan yltävän kahdeksankertaiseen suorituskykyyn"?
Samsungin V10 BV NAND on yhtiön mukaan alan ensimmäinen yli 400 kerroksen NAND prototyyppi, jonka muistitiheys on noin 58 prosenttia V9 sukupolvea suurempi [1][3][9].
What are the key points to validate first?
Samsungin V10 BV NAND on yhtiön mukaan alan ensimmäinen yli 400 kerroksen NAND prototyyppi, jonka muistitiheys on noin 58 prosenttia V9 sukupolvea suurempi [1][3][9]. zHBM konseptissa HBM muisti pinotaan tekoälykiihdyttimen päälle. Samsung arvioi sen voivan tarjota noin kahdeksankertaisen HBM5 suorituskyvyn, mutta kyse ei vielä ole kaupallisesta tuotteesta [5][7][9].
What should I do next in practice?
Samsung aikoo sijoittaa 60–70 prosenttia muistituotantokapasiteetistaan pitkäaikaisiin toimitussopimuksiin, kun taas DRAM markkinaosuus nousi vuoden 2026 toisella neljänneksellä 39 prosenttiin [1][4][5].
Perinteiseen NAND-valmistukseen verrattuna V10 BV-NANDissa muistisolut ja niitä ohjaavat oheispiirit valmistetaan erikseen ja yhdistetään sen jälkeen toisiinsa kiekkojen välisellä wafer bonding -liitoksella . Samsung kertoo ratkaisun nostavan muistitiheyttä noin 58 prosenttia edelliseen V9-sukupolveen verrattuna . Samalla tavoitteena on parantaa luku-, kirjoitus- ja I/O-suorituskykyä sekä pienentää energiankulutusta .
Julkistus on symbolisesti merkittävä myös Samsungille: yhtiö esitteli V-NAND-teknologiansa ensimmäisen kerran samassa tapahtumassa 13 vuotta sitten, vuonna 2013 .
zHBM sijoittaa muistin tekoälysirun päälle
Samsungin futuristisin esittely oli zHBM, konseptiarkkitehtuuri, jossa suuren kaistanleveyden HBM-muisti pinotaan pystysuoraan suoraan tekoälykiihdyttimen päälle. Nykyisissä ratkaisuissa HBM sijaitsee yleensä kiihdyttimen vieressä yhteisellä piivälittäjällä eli silicon interposerilla .
Pystysuoran rakenteen tarkoituksena on lyhentää laskennan ja muistin välistä tiedonsiirtomatkaa. Samsung arvioi, että zHBM voisi tarjota:
noin kahdeksankertaisen suorituskyvyn HBM5:een verrattuna
yli kymmenkertaisen muistitiheyden
noin kolminkertaisen energiatehokkuuden
yli puoleen pienemmän lämpövastuksen .
Luvut ovat kuitenkin Samsungin omia arvioita tulevaisuuden arkkitehtuurista. FMS 2026:ssa zHBM esiteltiin fyysisenä konseptimallina, ei myyntiin tulevana tuotteena, eikä yhtiö ilmoittanut kaupallistamisen aikataulua . Jos rakenne joskus toteutuu tuotantokelpoisena, se voisi poistaa nykyisten HBM-sukupolvien keskeisen silicon interposer -rakenteen .
zNAND-O tähtää reunalaskentaan
Toinen 3D-muistikonsepti, zNAND-O, yhdistää V-NAND-teknologian TSV-läpivienteihin eli through-silicon via -rakenteisiin. Näin yhteen pakettiin voidaan pinota neljä tai kahdeksan NAND-sirua .
Samsung suunnittelee rakennetta erityisesti edge AI -kuormille, joissa tekoälyä ajetaan esimerkiksi laitteissa lähellä tiedon syntypaikkaa eikä ainoastaan pilvipalveluiden datakeskuksissa. Yhtiö korostaa parempaa tilankäyttöä, suurempaa I/O-suorituskykyä ja pienempää viivettä . Myös zNAND-O on toistaiseksi konsepti ilman ilmoitettua kaupallistamispäivää .
HBM4E, HBM5 ja muistin sisäinen laskenta
Samsung esitteli osastollaan HBM4E-näytteitä ja HBM5-konseptimalleja osana seuraavan sukupolven tekoälykiihdyttimien muistipolkua . Yhtiö aloitti HBM4:n massatuotannon helmikuussa 2026 käyttäen 1c-DRAMia ja 4 nanometrin siruteknologiaa. Toukokuussa se kertoi toimittaneensa HBM4E-näytteitä maailmanlaajuisille asiakkaille ensimmäisenä yrityksenä .
HBM4E:n massatuotantoa tavoitellaan vuodelle 2027. Tuotannossa on tarkoitus hyödyntää Samsungin neljännen sukupolven Hybrid Bonding -prosessia .
Lisäksi Samsung esitteli LPDDR5X-PIM-muistin. PIM eli Processing-in-Memory tarkoittaa, että osa datan käsittelystä voidaan tehdä muistin sisällä sen sijaan, että dataa siirretään jatkuvasti suorittimen tai grafiikkasuorittimen ja muistin välillä. Tämä voi sopivissa tekoälyn päättelykuormissa parantaa energiatehokkuutta ja vähentää tiedonsiirron kustannuksia .
Tekoälyinfrastruktuurin kokonaisuuteen kuuluivat myös seuraavan sukupolven yritys-SSD-alustat PM1763 ja BM1773.
Samsung palasi DRAM-markkinoiden kärkeen
Tekoälymuistin teknologinen kilpailu näkyy myös markkinaosuuksissa. Counterpoint Researchin mukaan Samsung hallitsi vuoden 2026 toisella neljänneksellä 39 prosenttia maailman DRAM-markkinoista liikevaihdolla mitattuna. SK hynixin osuus oli 26 prosenttia ja Micronin 25 prosenttia .
Samsungin asemaa vahvistivat tavallisen DRAM-muistin kysyntä ja kasvava HBM-tuotanto. SK hynixin markkinaosuutta puolestaan painoi HBM-hinnoittelun pysähtyminen . SK hynixin liikevaihto kasvoi silti 214 prosenttia vuodessa, mutta sen osuus laski vuoden 2025 toisen neljänneksen 39 prosentista 26 prosenttiin vuoden 2026 toisella neljänneksellä .
Tulos nosti Samsungin takaisin DRAM-markkinoiden ykköseksi sen jälkeen, kun SK hynix oli johtanut markkinaa hetkellisesti aiemmilla neljänneksillä .
60–70 prosenttia kapasiteetista pitkäaikaisiin sopimuksiin
Samsungin strateginen ilmoitus ei koskenut vain sirujen rakennetta. Yhtiö kertoi 30. heinäkuuta järjestetyssä vuoden 2026 toisen neljänneksen tulospuhelussa aikovansa sijoittaa 60–70 prosenttia koko muistituotantokapasiteetistaan pitkäaikaisiin toimitussopimuksiin, joita kutsutaan LTA-sopimuksiksi .
Sopimusmallin keskeiset piirteet ovat:
Viiden vuoden rolling-rakenne: sopimuksessa on viiden vuoden peruskausi, jota jatketaan vuosittain neuvottelemalla .
Ennakkomaksut: asiakkaat maksavat etukäteen sopimuksen sitovuuden vahvistamiseksi. Samsung kertoi saaneensa jo noin neljänneksen kaikista ennakkomaksuista .
Hintarajat: neljännesvuosittaiset hinnanalennukset on rajattu enintään 5 prosenttiin, kun taas hintojen nousulle ei vastaavaa käytännön ylärajaa ole .
Useita suuria asiakkaita: Samsungin kerrotaan allekirjoittaneen sopimukset viiden merkittävän maailmanlaajuisen datakeskusasiakkaan kanssa. Raportoidut nimet ovat AWS, Microsoft, Google, Meta ja Oracle, mutta yhtiöt eivät ole Samsungin julkistamissa tiedoissa vahvistaneet kaikkia sopimuksia . Lisäksi neuvottelut viiden muun asiakkaan kanssa ovat loppuvaiheessa.
Bank of America Merrill Lynchin kyselyn perusteella ehdot ovat poikkeuksellisen suotuisat toimittajalle: hintojen lasku on rajattu 5 prosenttiin neljänneksessä, mutta nousuvara on käytännössä avoin . Micron on puolestaan ilmoittanut tavoittelevansa noin 50 prosentin osuutta myynnistään Strategic Customer Agreements -sopimuksilla .
LTA-malli antaa Samsungille paremman näkyvyyden tulevaan kysyntään ja ennakkomaksuja tuotantokapasiteetin rahoittamiseen. Asiakkaan näkökulmasta se voi puolestaan varmistaa muistipiirien saatavuuden aikana, jolloin tekoälypalvelinten kysyntä kasvaa nopeasti.
Muut FMS 2026 -tapahtuman suuret linjat
Samsung ei ollut ainoa yritys, joka pyrki määrittelemään tekoälymuistin seuraavaa vaihetta.
SK hynix ja Sandisk julkistivat ensimmäiset High Bandwidth Flash (HBF) -standardin tekniset määrittelyt. HBF on uusi muistitaso HBM:n ja SSD-tallennuksen välissä. Määrittelyt kattavat jopa 512 gigatavun kapasiteetin, noin 0,4–3,0 teratavun sekuntinopeuden ja UCIe-liitännän, jolla muistiratkaisuja voidaan yhdistää suorittimiin ja kiihdyttimiin . Google ja Tenstorrent osallistuvat HBF-konsortioon .
Kioxia esitteli GPU:n suoraa käyttöä varten optimoituja GP1-sarjan PCIe 6.0 NVMe -SSD-levyjä sekä PCIe 6.0 -yritys-SSD-levyjä CM10-sarjasta. Lisäksi Kioxian NX1-sarja ja CM10-sarja tukevat suoraa nestejäähdytystä .
Micronin 9650 PCIe 6.0 -yritys-SSD on ollut massatuotannossa helmikuusta 2026 lähtien. Yhtiön mukaan se oli ensimmäinen kaupallinen PCIe 6.0 -asema .
SK hynix esitteli myös kymmenennen sukupolven V10 4D NAND -ratkaisun, jossa on 375 kerrosta. Yhtiö ilmoitti sen parantavan energiatehokkuutta 2,5-kertaiseksi .
Mitä Samsungin julkistus kertoo alasta?
FMS 2026:n perusteella muistiteollisuus ei enää kilpaile vain siitä, kuka valmistaa eniten gigatavuja halvimmalla. Kilpailu siirtyy muistirakenteisiin, jotka tuovat datan lähemmäs laskentaa, vähentävät energiankulutusta ja jakavat tekoälyjärjestelmien muistia useisiin suorituskykytasoihin.
Samsungin zHBM ja zNAND-O ovat tästä kunnianhimoisimpia esimerkkejä, vaikka ne ovat vielä konseptiasteella. V10 BV-NAND puolestaan osoittaa, kuinka pitkälle NAND-muistin pystysuora pinoaminen on etenemässä. Samalla LTA-sopimukset sitovat suuren osan tuotantokapasiteetista tekoälyasiakkaiden käyttöön jo vuosiksi eteenpäin.
Kokonaisuutena Samsung yrittää rakentaa asemansa uudelleen sekä teknologian että kaupallisen mallin avulla: DRAM-markkinoiden ykkössija on palautettu, seuraavien muistipolvien prototyypit on nostettu esiin ja suuri osa tulevasta kapasiteetista pyritään lukitsemaan pitkäaikaisilla asiakassopimuksilla.
