Samsung julkisti tulevaisuuden HBM5-tekoälymuistin – näin se taistelee Nvidian huomiosta SK Hynixiä vastaan

• 2 nm:n oma pohjapiiri: Samsung aikoo valmistaa HBM5-sirun pohjapiirin omalla 2 nm:n puolijohdetekniikallaan. Tämä on erittäin aggressiivinen valmistusteknologian harppaus muistituotteelle ja ensimmäinen kerta yhtiön HBM-tuoteperheessä.
• Heat Path Block (HPB): Patentoitu lämpösuunnittelu, joka luo uusia lämmönsiirtoreittejä fyysisten piikerrosten välille. Näin sirun lämpövastus pienenee, mikä parantaa oleellisesti sen toimintavakautta. Samsung vahvisti, että HPB-rakenne on jo validoitu HBM4E-muistilla.
• Pinokokoonpanot: HBM5 valmistellaan 12, 16 ja 20 DRAM-kerroksen pinoilla, mikä vastaa tekoälykiihdyttimien kasvavaa muistikapasiteetin tarvetta.

Aikataulullisesti Samsung ilmoitti toimittaneensa 12-kerroksisia HBM4E-näytteitä jo toukokuussa 2026, ja HBM5:n massatuotannon odotetaan alkavan noin vuonna 2028. CTO Song lisäsi, että HPB:n lopullinen käyttöönottoaika voi aikaistua asiakaskysynnästä ja markkinatilanteesta riippuen.

Samsungin "teknologiakuilu" vastaan SK Hynixin markkinaherruus

Computex 2026 paljasti maailman kahden johtavan HBM-toimittajan täysin vastakkaiset strategiat:

Samsungin siirto: Niin kutsuttu "teknologian superkuilun" strategia. Yhtiö loikkaa seuraavan sukupolven valmistusprosessiin ja esittelee HPB:n asettuakseen edistyneimmäksi toimittajaksi. Aiemmin Samsung ehti jo ensimmäisenä massatuottamaan edellisen sukupolven HBM4-muistia.

SK Hynixin vastaus: Panostaminen nykyiseen markkinajohtajuuteen ja tuotantomittakaavaan. Counterpoint Researchin mukaan SK Hynixin markkinaosuus maailmanlaajuisesta HBM-myynnistä oli vuoden 2026 ensimmäisellä neljänneksellä 58 %, kun Samsungin osuus oli 21 %. SK-konsernin puheenjohtaja Chey Tae-won käytti samaa tapahtumaa luvatakseen kiekkojen tuotantokapasiteetin kaksinkertaistamisen viidessä vuodessa, vedoten odotettavissa olevaan muistipulaan aina vuoteen 2030 asti.

Nvidian pelikirja: Toimitusjohtaja Jensen Huang kehui julkisesti SK Hynixin menestystä Computexissa mainitsematta Samsungia sanallakaan. Tämä alleviivasi SK Hynixin vahvaa asemaa Nvidian tekoälygrafiikkasuoritinten ensisijaisena HBM-toimittajana. Nvidian tiedetään kuitenkin harjoittavan kaksoishankintastrategiaa, jolla se pitää molemmat toimittajat otteessaan ja säilyttää neuvotteluvoimansa. Tämä pitää Samsungin edelleen pelissä mukana tulevia kiihdytinsukupolvia ajatellen.

Miksi jäähdytyksestä tuli ratkaiseva taistelukenttä?

Kun HBM-pinot siirtyvät 16 ja 20 kerrokseen, sirujen lämmöntuotto on muodostunut yhdeksi tekoälykiihdyttimien suurimmista kompastuskivistä. HBM-piirit pinotaan pystysuunnassa ja integroidaan tiiviisti logiikkasirujen kanssa. Tämä rakenne tarkoittaa, että kerrosten väliin jäävä lämpö heikentää signaalin laatua, kasvattaa virrankulutusta ja lyhentää komponenttien elinikää.

Samsungin HPB tarttuu tähän ongelmaan arkkitehtuuritasolla. Ulkoisten jäähdytysratkaisujen sijaan HPB luo sirun fysikaaliseen kerrokseen (engl. Physical Layer, PHY) erityisiä lämmönsiirtokanavia, jotka ohjaavat lämpöenergiaa tehokkaammin ulos koko pinosta. Samsungin mukaan rakenne on validoitu HBM4E:llä rakenteellisen eheyden, pakkausvakauden ja lämpösuorituskyvyn osalta.

Myös SK Hynix kilpailee kuumeisesti seuraavan sukupolven HBM-jäähdytysteknologioiden saralla. Samsungin julkinen panostus HPB:hen on kuitenkin selvä signaali siitä, että yhtiö uskoo nimenomaan lämpöinnovaation – ei vain pinokerrosten määrän – olevan keino murtaa kilpailijansa tarjontaketjuetu. HBM-markkinoiden ennustetaan olevan loppuunmyyty koko vuoden 2026 ajan, ja tekoälykiihdyttimien tiekartat vaativat yhä nopeampaa muistia. Lämpökilpailun voittaja saattaa hyvinkin voittaa paikan Nvidian seuraavan sukupolven Rubin-järjestelmissä.