Esiamorfisoinnissa piin pintakerros muutetaan ensin amorfiseksi ennen esimerkiksi boorin ioninistutusta.[11][12] Tavoitteena on estää ionien kanavoitumista kiteen suunnissa ja vähentää dopanttiprofiilin syvää häntää.[7][11][12] Amorfinen kerros kiteytetään myöhemmin takaisin hehkutuksella, joka myös auttaa aktivoima...
JulkaisijaKuvat luotu mallilla GPT Image 2
Research answer

Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: 什么叫预非晶化. Article summary: 预非晶化就是:在正式注入硼等掺杂元素之前,先用离子轰击硅表面,把浅层硅原本有序的晶格打乱,形成一层非晶硅。主要目的是抑制后续注入的“晶向沟道效应”,避免部分掺杂离子跑得过深。[11][12] 1.. Topic tags: general web, workflow, code, manufacturing, education. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts with fake numbers, clickbait thumbnails, icons, and tiny thumbnail layouts. Make it useful as an illustrative visual, not as factual evidence.
Esiamorfisointi, englanniksi preamorphization implantation eli PAI, tarkoittaa puolijohdevalmistuksen esikäsittelyä: ennen varsinaista seosaineen, kuten boorin, ioninistutusta piin pintaan ammutaan ioneja. Ne rikkovat pinnan lähellä olevan kiteisen järjestyksen ja muodostavat amorfisen piikerroksen. Tarkoitus on ennen kaikkea vähentää myöhemmän ioninistutuksen kanavoitumista ja estää osaa seosaineioneista kulkeutumasta liian syvälle.11
12
Yksikiteisessä piissä atomit ovat pitkän matkan mittakaavassa säännöllisessä kiderakenteessa. Amorfisessa piissä tämä säännöllinen järjestys on hävinnyt, vaikka materiaali on edelleen kiinteää piitä – sitä ei siis sulateta.12
Sanan alkuosa esi- kertoo järjestyksestä: amorfisointi tehdään ennen tavoiteltua dopantti-ioninistutusta. Tyypillinen esimerkki on germaniumin (Ge) esiamorfisointi, jonka jälkeen istutetaan booria (B).11
Yksikiteisessä piissä tietyt kidesuunnat muodostavat atomeiden väliin suhteellisen avoimia reittejä. Jos saapuva ioni osuu tällaiseen suuntaan, se törmää vähemmän atomeihin ja voi edetä tavallista syvemmälle piihin. Ilmiötä kutsutaan kanavoitumiseksi (channeling). Se voi synnyttää ioninistutusprofiiliin pitkän, syvälle ulottuvan hännän.12
Tässä yhteydessä kanavoituminen ei tarkoita MOSFET-transistorin johtavaa kanavaa, vaan ionien kulkureittiä kiteen atomirakenteessa.
Kun pintakerroksen säännöllinen kiderakenne amorfisoidaan, nämä suorat reitit häviävät. Seuraava ioninistutus tuottaa siksi helpommin matalan ja tarkemmin hallittavan dopanttiprofiilin. Menetelmä on hyödyllinen erityisesti erittäin matalien liitosten valmistuksessa.7
11
Yksinkertainen vertaus: siististi riveihin istutetussa metsässä voi olla pitkiä suoria kulkureittejä. Kun rivit rikotaan, suoraan pitkälle eteneminen vaikeutuu.
Esiamorfisointi on siis välivaihe, ei lopullinen materiaalitila. Valmiissa transistorirakenteessa kanavan ei yleensä haluta jäävän amorfiseksi.
pai tarkoittaa SProcess-komennossa?Jos komennossa on esimerkiksi:
implant Boron energy=230 dose=1.0e13 tilt=0 rot=135 pai
pai on SProcess-ohjelmiston esiamorfisointiin liittyvä ioninistutusmallin valinta.15
Tässä on tärkeä ero:
pai-avainsana kertoo, että kyseisessä istutuksessa käytetään asiaan liittyvää mallia. Pelkkä avainsana ei kuitenkaan osoita, että skripti suorittaisi automaattisesti ylimääräisen Ge-istutuksen.Esimerkkirivillä nimenomaisesti määritelty istutettava alkuaine on edelleen vain Boron. Se, onko rakenteessa jo amorfinen kerros, kuinka syvä se on ja miten pai tarkalleen toimii käytössä olevassa ohjelmistoversiossa, on pääteltävä myös aiemmista istutusvaiheista ja malliasetuksista – ei vain yhdestä komennosta.
Studio Global AI
This page includes a source-backed answer you can continue inside Studio Global.
Esiamorfisoinnissa piin pintakerros muutetaan ensin amorfiseksi ennen esimerkiksi boorin ioninistutusta.[11][12]
Esiamorfisoinnissa piin pintakerros muutetaan ensin amorfiseksi ennen esimerkiksi boorin ioninistutusta.[11][12] Tavoitteena on estää ionien kanavoitumista kiteen suunnissa ja vähentää dopanttiprofiilin syvää häntää.[7][11][12]
Amorfinen kerros kiteytetään myöhemmin takaisin hehkutuksella, joka myös auttaa aktivoimaan seosaineita.[1][6]