FMS 2026: Samsung apuesta por zHBM, NAND de más de 400 capas y una nueva memoria para la IA

Según las proyecciones de Samsung, un sistema de interfaz basado en zHBM podría ofrecer:

• Rendimiento: hasta 8 veces el rendimiento de HBM5 . Algunos informes también mencionan una mejora de cuatro veces en la velocidad de transferencia frente a HBM4, con una cuarta parte del consumo .
• Densidad: más de 10 veces la densidad de memoria de una HBM convencional mediante tecnologías futuras de unión de obleas .
• Eficiencia energética: alrededor de tres veces más eficiencia, equivalente a un consumo aproximadamente un 66% menor frente a HBM5 .
• Estado del desarrollo: zHBM sigue siendo un modelo conceptual; no es un producto fabricado en serie .

La diferencia entre una demostración y un producto comercial es importante. Las cifras anunciadas describen el potencial de la arquitectura, no el rendimiento de un componente disponible actualmente en el mercado.

Samsung también mostró zNAND-O, otra arquitectura conceptual orientada a la inferencia de IA en dispositivos periféricos o edge AI .

V10 BV-NAND: más de 400 capas y producción masiva

El anuncio más tangible de Samsung fue V10 BV-NAND, siglas de Bonding V-NAND. Se trata de una memoria flash NAND que separa la matriz de memoria de la lógica periférica y después une ambas obleas mediante tecnología de wafer bonding .

Sus principales características son:

• Más de 400 capas activas, el mayor número que Samsung ha revelado hasta ahora en su familia V-NAND .
• Aproximadamente un 58% más de densidad que la generación V9 anterior .
• Mejoras de eficiencia y temperatura: Samsung afirma que el enfoque de unión de obleas puede multiplicar por tres la eficiencia energética y reducir la resistencia térmica .
• Producción masiva: V10 BV-NAND ya se fabrica a escala comercial, lo que la convierte en la primera NAND que supera las 400 capas en producción masiva .

Este punto separa a V10 BV-NAND de zHBM: mientras la segunda es una visión de futuro, la primera representa una tecnología de almacenamiento que Samsung afirma tener ya en fabricación.

HBF: una nueva capa entre la HBM y los SSD NVMe

SK hynix y SanDisk publicaron en FMS 2026 la primera especificación técnica abierta para High Bandwidth Flash (HBF) a través del Open Compute Project (OCP) . El objetivo es crear un nivel de memoria con más capacidad que la HBM y más ancho de banda que el almacenamiento flash convencional.

La especificación inicial contempla:

• Capacidades de hasta 512 GB mediante pilas NAND de 8 y 16 componentes .
• Hasta 3,0 TB/s de ancho de banda utilizando una interfaz UCIe .
• El respaldo de Google DeepMind y Tenstorrent, que se incorporaron a la alianza HBF .

En una arquitectura de IA, HBF funcionaría como una capa intermedia entre la DRAM de alto ancho de banda —incluida la HBM— y los SSD NVMe tradicionales. Esa posición podría ayudar a resolver los problemas de capacidad y movimiento de datos que aparecen durante la inferencia de modelos de gran tamaño .

La conclusión del evento: la HBM por sí sola no basta

El mensaje común de las ponencias y los paneles fue que la HBM, aunque esencial, no puede cubrir por sí sola las necesidades de la IA. La tendencia apunta a una memoria jerárquica en la que cada tipo de tecnología cumpla una función diferente:

• HBM: máxima velocidad y ancho de banda junto al acelerador.
• HBF: una capa de mayor capacidad y acceso rápido para cargas de inferencia.
• Memoria conectada mediante CXL: expansión, agrupación y uso compartido de memoria.
• Almacenamiento NVMe: capacidad masiva y persistencia a un coste inferior.

Varias presentaciones defendieron precisamente esta combinación de HBM, memoria HBF, CXL y almacenamiento NVMe . Marvell, por ejemplo, centró parte de su propuesta en la infraestructura necesaria para la inferencia de IA agéntica, con una cartera diversificada de memoria y almacenamiento que va más allá de la HBM .

La lógica es sencilla: no todos los datos necesitan viajar a la máxima velocidad ni permanecer en la memoria más cara. Una arquitectura por niveles permite reservar la HBM para los datos más críticos y trasladar el resto a capas con mayor capacidad.

Dos afirmaciones que no pudieron verificarse

Dos afirmaciones incluidas en la pregunta original no pudieron confirmarse con las fuentes publicadas disponibles sobre FMS 2026.

La primera sostiene que Nvidia predijo que los agentes de IA acabarán superando a la población mundial y que el precio de la memoria pasará de medirse por gigabyte a calcularse por operación de entrada/salida (I/O). La segunda afirma que Samsung, SK hynix y Micron ya han vendido toda su capacidad de producción de DRAM y HBM para 2027, con clientes recibiendo solo entre el 60% y el 70% de los volúmenes solicitados.

Ambas declaraciones podrían proceder de una ponencia o un panel aún no recogido en los informes indexados, pero no están verificadas por las fuentes disponibles. Por tanto, no deben presentarse como hechos confirmados de FMS 2026.

Qué quedó confirmado

La fotografía que deja FMS 2026 es, por tanto, más matizada que una simple carrera por fabricar HBM más rápida. Samsung mostró una vía futura para integrar la memoria en vertical, presentó una NAND de más de 400 capas ya comercializada y, junto con el estándar HBF de SK hynix y SanDisk, apuntó hacia una infraestructura de IA compuesta por varias capas de memoria y almacenamiento.