Tres nuevos fondos cotizados (ETFs) de chips de memoria, con apalancamiento 2X y versión inversa, comienzan a operar en EE. UU. aprovechando la turbulencia del sector tras el histórico debut de la china CXMT en Shanghái

Nuevos ETFs apalancados e inversos de memoria lanzados

RAM: El ETF 2X largo de DRAM que batió récords

Lanzado por Roundhill Investments y T-REX el 24 de junio de 2026, RAM ofrece una exposición apalancada diaria del 200% al Roundhill Memory ETF (DRAM). Debutó con el mayor volumen de negociación en su primer día de cualquier ETF apalancado o inverso que cotice en EE. UU. — aproximadamente 385 millones de dólares en valor nocional, superando el récord anterior de unos 282 millones de dólares . En su segundo día, el volumen alcanzó los 742 millones de dólares . RAM no apalanca una acción individual, sino que apalanca otro ETF, lo que lo convierte en un «fondo sobre un fondo» .

SKHL: El ETF 2X largo de SK Hynix

Direxion lanzó SKHL el 15 de julio de 2026, ofreciendo a los inversores estadounidenses una exposición apalancada diaria del 200% a SK Hynix, el principal proveedor mundial de chips de memoria de alto ancho de banda (HBM) utilizados junto a los aceleradores de IA de Nvidia y AMD . El ETF busca replicar el 200% del rendimiento diario del recibo de depósito americano (ADR) de SK Hynix (SKHY), que comenzó a cotizar en el Nasdaq el 10 de julio de 2026 . SKHL se unió a otros productos apalancados lanzados recientemente vinculados a SK Hynix, incluidos fondos de Corgi, T-REX, GraniteShares y Leverage Shares . Su ratio de gastos neto es del 0,97% .

RAMZ: El primer ETF 2X inverso de DRAM en EE. UU.

Anunciado el 23 de julio y con inicio de cotización el 28 de julio de 2026, RAMZ es el primer ETF 2X inverso de DRAM en Estados Unidos . El emisor T-REX citó explícitamente la «creciente demanda de herramientas de negociación tácticas en medio de una volatilidad elevada» provocada por la venta masiva de CXMT como justificación . El fondo está diseñado para ofrecer un -200% del rendimiento diario del Roundhill Memory ETF (DRAM), brindando a los operadores una forma de beneficiarse o protegerse de las caídas del sector de semiconductores de memoria .

Impacto en las acciones de memoria de EE. UU. y del mundo

Desplome de los gigantes. El día del debut de CXMT, las acciones surcoreanas de memoria sufrieron su peor caída en años . Micron cayó aproximadamente un 8% solo con el anuncio de la OPI de CXMT y bajó aún más el día del debut . SanDisk y SK Hynix también registraron fuertes descensos .

Los ETFs inversos existentes se dispararon. El Direxion Daily Semiconductor Bear 3X ETF (SOXS) subió cerca de un 11% mientras Micron se desplomaba, reflejando un fuerte posicionamiento bajista en el sector de los chips .

Entradas en nuevos ETFs. El ETF de memoria de gestión activa de Tema (DISK) convirtió a CXMT en una de sus principales participaciones el día del debut, con un peso del 10,56% en la cartera, ofreciendo a los inversores estadounidenses su mayor exposición directa al fabricante chino de DRAM entre los ETFs que cotizan en EE. UU. . RAMZ se estructuró específicamente para operadores que apuestan por una mayor caída de la DRAM a medida que aumenta la presión competitiva de CXMT .

Advertencias sobre los ETFs apalancados e inversos

Estos fondos están diseñados para la negociación intradía y reajustan su exposición diariamente. Debido al efecto compuesto de los reajustes diarios, mantenerlos durante más de un día puede generar rendimientos que difieran significativamente del múltiplo objetivo del rendimiento acumulado del índice subyacente . Los inversores deben comprender los riesgos antes de operar.

En resumen, la OPI de CXMT reformó el panorama de los ETFs de chips de memoria, brindando a los operadores nuevas herramientas para expresar opiniones tanto alcistas como bajistas en un sector que de repente se enfrenta a su desafío competitivo más serio en años.