Samsung presentó su chip de memoria HBM5 en Computex 2026, con una base de 2nm y su nueva tecnología de refrigeración Heat Path Block (HPB) para combatir el sobrecalentamiento en pilas de memoria cada vez más altas, c... La hoja de ruta contempla configuraciones de 12, 16 y 20 capas.

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Samsung Electronics presentó por primera vez una maqueta física de su chip de memoria de próxima generación HBM5 en la feria Computex 2026, celebrada en Taipéi. El anuncio reveló un salto tecnológico significativo: un dado base de 2 nanómetros (nm), una tecnología patentada de gestión térmica denominada Heat Path Block (HPB), y una hoja de ruta que apunta a la producción masiva en torno a 2028 . Con este movimiento, Samsung se sitúa en una carrera de alto riesgo contra SK Hynix por el control de la cadena de suministro de memoria para inteligencia artificial (IA) de Nvidia, donde la disipación del calor rivaliza ahora con el ancho de banda como límite crítico de rendimiento
.
El director de tecnología (CTO) de Samsung, Song Jai-hyuk, fue el encargado de destapar la maqueta de la HBM5 en el stand de la compañía, definiéndola como la primera puesta de largo de su memoria de alto ancho de banda de octava generación . Las tres características principales presentadas son:
En cuanto a los plazos, Samsung ya ha enviado muestras de HBM4E de 12 capas en mayo de 2026, y se espera que la producción en masa de la HBM5 llegue alrededor de 2028 . Song añadió que el momento exacto del despliegue definitivo de la HPB podría adelantarse en función de la demanda de los clientes y las condiciones del mercado
.
El Computex 2026 dejó al descubierto las estrategias contrastadas de los dos proveedores de HBM dominantes en el mundo:
El salto a pilas de memoria HBM de 16 y 20 capas ha convertido la disipación del calor en el principal cuello de botella para el rendimiento de los aceleradores de IA . Los dados HBM se apilan verticalmente y se integran estrechamente con los chips lógicos, lo que significa que el calor atrapado entre las capas degrada la integridad de la señal, aumenta el consumo de energía y acorta la vida útil del componente.
La tecnología HPB de Samsung ataca este problema desde la arquitectura del chip. En lugar de depender únicamente de soluciones de refrigeración externas, la HPB crea vías de transferencia de calor a través de la capa física (PHY) del propio chip, extrayendo la energía térmica de la pila de manera más eficiente . Samsung aseguró que el diseño fue validado en la HBM4E en aspectos como integridad estructural, estabilidad del empaquetado y rendimiento térmico
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SK Hynix también compite por asegurar tecnologías de refrigeración de última generación para HBM, pero la apuesta pública de Samsung por la HPB indica su convicción de que la innovación térmica —y no solo la altura del apilado— puede superar la ventaja en la cadena de suministro de su rival . Con el mercado de HBM proyectado para seguir agotado durante todo 2026 y con las hojas de ruta de los aceleradores de IA exigiendo memorias cada vez más rápidas, quien gane la carrera térmica podría ganar el zócalo de los futuros chips de Nvidia y más allá.
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Samsung presentó su chip de memoria HBM5 en Computex 2026, con una base de 2nm y su nueva tecnología de refrigeración Heat Path Block (HPB) para combatir el sobrecalentamiento en pilas de memoria cada vez más altas, c...
Samsung presentó su chip de memoria HBM5 en Computex 2026, con una base de 2nm y su nueva tecnología de refrigeración Heat Path Block (HPB) para combatir el sobrecalentamiento en pilas de memoria cada vez más altas, c... La hoja de ruta contempla configuraciones de 12, 16 y 20 capas. Su rival SK Hynix, que domina con el 58% del mercado frente al 21% de Samsung, respondió duplicando su apuesta por la expansión de capacidad de producció...
La gestión del calor se ha convertido en el campo de batalla central de la memoria HBM.