CoWoS-L mantiene la ventaja; proveedores coreanos se preparan para otras arquitecturas

En un chip de inteligencia artificial, no basta con fabricar componentes de cálculo más potentes: también hay que conectarlos con la memoria dentro de un mismo encapsulado. A medida que crece la demanda de memoria de alto ancho de banda —HBM, por sus siglas en inglés—, ese espacio y sus conexiones se vuelven decisivos. TrendForce señala que ampliar el tamaño del encapsulado es una prioridad para el empaquetado avanzado 2.5D y que las soluciones convencionales basadas en una gran capa intermedia de silicio encuentran límites físicos. 76

Por qué CoWoS-L conserva la ventaja

CoWoS-L, la solución de TSMC, combina una capa intermedia con líneas de redistribución y pequeños puentes locales de silicio. Estos permiten conexiones densas allí donde deben comunicarse los componentes de cálculo y la HBM, sin depender exclusivamente de una única gran capa intermedia de silicio. 9

TrendForce prevé que CoWoS-L seguirá siendo la solución predominante para chips de IA hasta 2028, pese a la competencia de EMIB-T, de Intel. La consultora destaca su madurez tecnológica y el rendimiento de fabricación, es decir, la proporción de unidades que cumplen los requisitos de producción. El análisis de la periodista Jie Ye-eun en The Korea Herald también señala la experiencia industrial de TSMC, su cartera de clientes y la expansión de su capacidad productiva. Es una previsión sobre la opción principal del mercado: no significa que todos los chips vayan a utilizar CoWoS-L ni que su ventaja termine necesariamente en 2028. 71

El coste y la capacidad abren espacio a Intel

Esa ventaja tiene contrapartidas. Según TrendForce, la capa intermedia de mayor tamaño que requiere CoWoS-L encarece el empaquetado; las limitaciones de capacidad de TSMC también aumentan el interés por otras soluciones. La prensa especializada describe a diseñadores de chips y grandes empresas tecnológicas que estudian alternativas de Intel ante la acumulación de pedidos. 72

EMIB conecta componentes mediante puentes de silicio y reduce la dependencia de una gran capa intermedia, lo que podría abaratar costes. TrendForce advierte, sin embargo, que su rendimiento depende en parte de la densidad del cableado del sustrato. La variante EMIB-T incorpora conexiones verticales a través del silicio, conocidas como TSV, para acortar el recorrido de las señales. Son posibles ventajas técnicas, no pruebas de que EMIB-T haya superado a CoWoS-L en adopción o rendimiento de fabricación. 67

Qué preparan los proveedores coreanos

El artículo de Ye-eun presenta a Samsung Electro-Mechanics y LG Innotek como proveedores que se posicionan para distintas arquitecturas futuras, no como sustitutos ya consolidados de la plataforma de TSMC. 1 Por separado, información sobre Samsung Electro-Mechanics documenta muestras de sustratos 2.1D y 2.5D con conexiones de alta densidad, además de tecnología de sustratos de vidrio. La compañía ha trabajado para reducir la deformación de sustratos de mayor superficie mientras incorpora circuitos finos y pequeñas conexiones verticales y puntos de contacto. Su diseño 2.1D conecta chips sin una capa intermedia de silicio. 17

Las fuentes disponibles no permiten trazar una hoja de ruta por cliente para ninguna de las dos empresas ni confirmar un programa concreto de sustratos FC-BGA de LG Innotek o un compromiso de suministro vinculado a EMIB. La conclusión es más acotada: los proveedores exploran distintas vías mientras CoWoS-L conserva, según TrendForce, la posición principal. 1717

Ye-eun ha firmado en The Korea Herald artículos sobre liderazgo empresarial y estrategia de semiconductores de Samsung, y el medio mantiene una página de periodista a su nombre. Esas referencias no bastan para confirmar una trayectoria profesional completa desde 2018 ni todas las áreas de cobertura que se le atribuyen. 51566144