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Un acuerdo puntual con TSMC pondría a prueba el modelo integrado de Samsung
Nvidia habría pedido a Samsung, SK hynix y Micron que usen el proceso de 3 nm de TSMC para los dados base de NVHBM y DRAM 1c de sexta generación para las capas de memoria. Samsung habría aceptado la solicitud tras una revisión interna, pero los informes describen una decisión específica para NVHBM, no un abandono ge...
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Respuesta de investigación
Conclusiones clave
- Nvidia habría pedido a Samsung, SK hynix y Micron que usen el proceso de 3 nm de TSMC para los dados base de NVHBM y DRAM 1c de sexta generación para las capas de memoria.
- Samsung habría aceptado la solicitud tras una revisión interna, pero los informes describen una decisión específica para NVHBM, no un abandono general de su producción integrada de HBM.
- Las empresas no han confirmado públicamente el acuerdo. Nvidia afirma que NVHBM puede ofrecer hasta un 30 % más de ancho de banda y un 15 % menos de consumo de energía HBM que HBM4E estándar.
Prompt de IA
openai.comCreate a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What does Samsung’s reported first collaboration with foundry rival TSMC at the HBM manufacturing stage—using TSMC’s 3nm process for the bas. Article summary: Samsung’s reported move is best understood as a customer-specific exception to its in-house turnkey model: for Nvidia’s NVHBM, Samsung would use its foundry rival’s process for the logic base die rather than manufacture . Topic tags: general, general web, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts with fa
La posible decisión de Samsung de recurrir al proceso de 3 nm de TSMC para fabricar el dado base de la memoria NVHBM de Nvidia supondría un cambio llamativo para la compañía: en vez de producir por sí misma todos los componentes de esa memoria, encargaría a su rival la fabricación de una de las piezas. Pero, según los informes, sería una excepción para un producto concreto, no una renuncia a su modelo integrado en todo el negocio de HBM. Las empresas no han confirmado públicamente el acuerdo. 32
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La plataforma común que Nvidia habría pedido
Según informes basados en fuentes del sector, Nvidia pidió a Samsung, SK hynix y Micron que fabriquen los dados base de NVHBM con el proceso de 3 nm de TSMC y que utilicen DRAM 1c de sexta generación para los dados de memoria apilados. Samsung habría aceptado la solicitud tras una revisión interna. 1
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Son dos partes distintas de la memoria: el dado base es el componente lógico situado en la parte inferior de la pila; encima se colocan los dados centrales, que contienen las capas de memoria. Nvidia buscaría así una plataforma de fabricación más uniforme entre proveedores, lo que podría simplificar la integración y validación de NVHBM. Eso no significa que los productos terminados de las tres empresas sean idénticos ni que todas las condiciones del supuesto acuerdo estén confirmadas de forma independiente. 5
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Una excepción al modelo integrado de Samsung
El enfoque integrado —o turnkey— de Samsung consiste en fabricar tanto los dados de memoria como el dado base lógico. En el arreglo descrito por los informes, TSMC aportaría el proceso de fabricación del dado base de NVHBM, mientras Samsung seguiría participando como proveedor de memoria. La concesión se limitaría, por tanto, a la fabricación de un componente para este producto. 32
La información publicada señala que Samsung mantendría la fabricación interna de dados base para su línea HBM estándar. Eso apunta a una respuesta selectiva a las especificaciones de Nvidia, no a un cambio general de estrategia. 11
Por qué el dado base es importante en NVHBM
Según lo informado, el diseño personalizado de Nvidia traslada el controlador de memoria desde el dado del procesador al dado base de HBM. Así, este último no es solo el soporte de la pila: también incorpora lógica relevante. 40
Nvidia presentó NVHBM en agosto y afirmó que puede ofrecer hasta un 30 % más de ancho de banda y reducir un 15 % el consumo de energía de HBM frente a HBM4E estándar. Son cifras atribuidas a la compañía, no una garantía de que cada sistema vaya a obtener esos resultados. 43
Ese papel más activo del dado base ayuda a entender por qué su proceso de fabricación estaría en el centro de la petición de Nvidia. Aun así, lo publicado describe una solicitud y una aceptación reportadas; no equivale a un documento técnico público que detalle los resultados de rendimiento o producción.
Qué se sabe y qué sigue sin confirmarse
Si se concreta, el acuerdo mostraría la capacidad de Nvidia para influir en cómo sus distintos proveedores fabrican una memoria personalizada. Para Samsung, el intercambio sería ceder el control interno de la fabricación del dado base de NVHBM para ajustarse a la plataforma que habría solicitado Nvidia. 1
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Hay límites importantes: Reuters informó sobre lo publicado por Seoul Economic Daily, y otro reporte señala que las compañías no han confirmado los detalles específicos de fabricación. 32
35 Por eso, no conviene dar por demostradas afirmaciones sobre comparaciones de rendimiento entre procesos, una posible alternativa con tecnología de Samsung o la disponibilidad de capacidad de producción de TSMC.
La conclusión más prudente es que el modelo integrado de Samsung podría volverse más flexible, no quedar obsoleto: para NVHBM, las especificaciones de Nvidia podrían pesar más que la fabricación interna de cada componente, mientras Samsung mantiene su producción propia para otros productos HBM.
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La gente también pregunta
¿Cuál es la respuesta corta a "Un acuerdo puntual con TSMC pondría a prueba el modelo integrado de Samsung"?
Nvidia habría pedido a Samsung, SK hynix y Micron que usen el proceso de 3 nm de TSMC para los dados base de NVHBM y DRAM 1c de sexta generación para las capas de memoria.
¿Cuáles son los puntos clave a validar primero?
Nvidia habría pedido a Samsung, SK hynix y Micron que usen el proceso de 3 nm de TSMC para los dados base de NVHBM y DRAM 1c de sexta generación para las capas de memoria. Samsung habría aceptado la solicitud tras una revisión interna, pero los informes describen una decisión específica para NVHBM, no un abandono general de su producción integrada de HBM.
¿Qué debo hacer a continuación en la práctica?
Las empresas no han confirmado públicamente el acuerdo. Nvidia afirma que NVHBM puede ofrecer hasta un 30 % más de ancho de banda y un 15 % menos de consumo de energía HBM que HBM4E estándar.
Fuentes
fidelity.comSamsung to use TSMC technology for Nvidia's next-generation memory chips, Seoul newspaper reports
tradingkey.comSamsung Reportedly Adopts TSMC 3nm Solution for Nvidia HBM: Will SK Hynix and Micron Follow?
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en.sedaily.comSamsung to Tap TSMC for Nvidia's Custom HBM Base Die