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Samsung quiere llevar la memoria de la IA a la tercera dimensión con su estrategia CUBE
La estrategia CUBE busca superar los límites del espacio disponible en la placa mediante una integración más vertical de memoria y lógica. Samsung apunta a que HBM5 duplique el rendimiento de HBM4E, mejore un 20 % el rendimiento por vatio y reduzca un 20 % la resistencia térmica.
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Respuesta de investigación
Conclusiones clave
- La estrategia CUBE busca superar los límites del espacio disponible en la placa mediante una integración más vertical de memoria y lógica.
- Samsung apunta a que HBM5 duplique el rendimiento de HBM4E, mejore un 20 % el rendimiento por vatio y reduzca un 20 % la resistencia térmica.
- zHBM colocaría la memoria directamente sobre el acelerador de IA mediante unión híbrida de cobre, pero sus promesas de rendimiento aún no están respaldadas por especificaciones absolutas.
- El resultado dependerá de la gestión térmica, el rendimiento de fabricación, las pruebas, la fiabilidad y la integración con los encapsulados de los clientes.
Prompt de IA
openai.comCreate a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What did Samsung Electronics announce at the Memory Executive Summit during SEMICON Taiwan 2026 about its “CUBE” memory roadmap for AI, incl. Article summary: Samsung’s CUBE roadmap is a 3D-integration strategy for AI memory: increase capacity, optimize its use, raise bandwidth, and improve power/thermal efficiency by moving beyond the two-dimensional PCB footprint and stackin. Topic tags: general, general web, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts with fa
Samsung quiere abordar uno de los grandes cuellos de botella de la inteligencia artificial: la memoria. Su estrategia CUBE propone dejar de tratarla como un conjunto de chips distribuidos en un encapsulado plano y empezar a diseñarla como un sistema tridimensional, con memoria y lógica colocadas en capas más estrechamente conectadas.
La compañía presentó la hoja de ruta el 1 de septiembre de 2026, durante el Memory Executive Summit celebrado en el marco de SEMICON Taiwan, en Taipéi. CUBE corresponde a Capacity, Utilization, Bandwidth y Efficiency: capacidad, utilización, ancho de banda y eficiencia. 2
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La propuesta combina un producto relativamente cercano, HBM5, con conceptos más ambiciosos como zHBM y zNAND-O. La diferencia es importante: Samsung ha comunicado objetivos y arquitecturas en desarrollo, no un catálogo completo de productos comerciales con especificaciones definitivas.
Qué significa cada prioridad de CUBE
Capacidad: crecer hacia arriba, no hacia fuera
Samsung pretende aumentar la capacidad de memoria mediante el apilamiento vertical, sin ampliar la superficie que ocupa en la placa de circuito impreso. En los sistemas de IA, los aceleradores necesitan acceder a volúmenes de datos cada vez mayores, pero el espacio del encapsulado, la placa y la entrega de energía son limitados. 2
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Utilización: que cada capa aporte valor
El objetivo no es simplemente añadir más matrices de memoria apiladas. Samsung también quiere optimizar la posición y la relación entre memoria y lógica para evitar que los datos recorran rutas innecesarias o queden bloqueados esperando a que se libere un enlace poco eficiente. 4
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Ancho de banda: sustituir trayectos horizontales por conexiones verticales
Acercar físicamente la memoria al procesador reduce la distancia que deben recorrer los datos. En el concepto zHBM, esto se traduciría en conexiones verticales de alta densidad en lugar de la disposición convencional, en la que la HBM se sitúa junto al acelerador. 8
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Eficiencia: gastar menos energía en mover los datos
Mover datos consume energía y los encapsulados de IA más densos generan más calor. Por eso CUBE considera el ancho de banda, el consumo y la resistencia térmica como problemas relacionados, no como cifras independientes. 5
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HBM5: objetivos ambiciosos, pero pocos datos absolutos
HBM5 será la siguiente generación después de HBM4E. Samsung ha fijado estos objetivos:
- Duplicar el rendimiento de HBM4E.
- Mejorar un 20 % el rendimiento por vatio.
- Reducir un 20 % la resistencia térmica.
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Las informaciones disponibles también apuntan al uso de un proceso DRAM de clase 1c, una matriz base fabricada con un proceso propio de 2 nm y un Heat Path Block, diseñado para facilitar la evacuación del calor del apilamiento. 3
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Sin embargo, estas cifras deben interpretarse como metas de desarrollo, no como resultados demostrados de un producto final. Samsung no ha publicado el ancho de banda absoluto de HBM5, su capacidad definitiva, la altura confirmada del apilamiento ni una definición suficientemente precisa de qué significa «el doble de rendimiento». 7
La expresión podría referirse a la velocidad de la interfaz, al rendimiento de cada apilamiento o a una capacidad más amplia del sistema. Con la información divulgada no es posible saberlo. Por ello, tampoco sería responsable convertir el dato de 2× en una cifra fiable de terabytes por segundo.
Una comparación rigurosa con cualquier demostración de HBM4E exigiría utilizar la misma definición de rendimiento, la misma configuración de apilamiento y condiciones de prueba equivalentes. Como referencia, se han mostrado muestras HBM4E de 12 capas y 48 GB, con velocidades de hasta 16 Gb/s y unos 3,6 TB/s por apilamiento, pero ese dato no permite anticipar cuál será el resultado final de HBM5.
zHBM: memoria colocada directamente sobre el acelerador
La parte más rupturista de la hoja de ruta es zHBM. En la HBM convencional, la memoria se coloca junto a la CPU, GPU u otro acelerador de IA y se conecta mediante un encapsulado avanzado o un interposer. zHBM cambiaría esa disposición: situaría la memoria directamente encima del procesador para crear una estructura vertical de memoria y lógica. 8
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La propuesta se apoya en la integración a nivel de oblea y en la unión híbrida de cobre, que conecta directamente superficies de cobre. Al acortar y densificar las rutas de señal, Samsung busca elevar el ancho de banda y reducir la energía necesaria para transferir datos. 17
La compañía ha publicado un objetivo de hasta 8× el rendimiento de un diseño HBM de referencia y de hasta 3× el rendimiento por vatio, además de una reducción considerable de la resistencia térmica. 1
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Por qué aparecen cifras de 4× y 8×
Las cifras asociadas a zHBM no siempre comparan exactamente lo mismo. La formulación pública más clara de Samsung habla de un sistema de interfaz de próxima generación que incorpora zHBM y que podría alcanzar aproximadamente 8× el rendimiento de HBM5. 18
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Otros medios comparan el concepto con HBM4E o hablan de un rango de 4× a 8×. 1
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52 La diferencia puede deberse a distintas generaciones de referencia, a definiciones diferentes de «rendimiento» o a la distinción entre el rendimiento de una interfaz y el de un apilamiento de memoria completo.
Samsung no ha divulgado suficientes métricas absolutas para reconciliar esas comparaciones. La conclusión prudente es que zHBM plantea una interfaz de memoria mucho más densa y con rutas más cortas; no que exista ya una ganancia verificada de 4× u 8× en un sistema de IA comercial.
La comercialización de zHBM aún no tiene fecha firme
Samsung ha presentado zHBM como una arquitectura conceptual y, en la información disponible, no ha fijado un calendario de producción comprometido. Por eso, cualquier afirmación sobre un año concreto de comercialización debe considerarse una expectativa del sector, no una previsión confirmada por Samsung. 13
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El matiz importa porque la arquitectura introduce dificultades de fabricación, encapsulado, refrigeración y validación que no aparecen reflejadas en un multiplicador de rendimiento.
zNAND-O aborda otro problema de memoria para la IA
zNAND-O es una propuesta distinta de la HBM orientada a servidores. Se plantea como una solución NAND integrada verticalmente para IA en el dispositivo y otras aplicaciones que necesitan mucha densidad de almacenamiento, pero también un acceso más rápido que el de la NAND convencional. Las informaciones disponibles describen como objetivo una densidad de bits muy superior a la de la DRAM, junto con más ancho de banda de lectura y mejor eficiencia energética frente a la NAND tradicional. 4
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Algunos informes sitúan el muestreo con clientes en 2028, aunque la cobertura disponible no es completamente coherente sobre el estado de ese calendario. Por tanto, debe entenderse como un plan comunicado por algunos medios, no como una fecha de lanzamiento garantizada. 13
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Ser líder en DRAM no resuelve por sí solo la carrera de la HBM
Samsung llega a esta presentación con una posición sólida en el mercado general de DRAM. Según datos de Counterpoint Research, la compañía obtuvo el 39 % de los ingresos mundiales de DRAM en el segundo trimestre de 2026, por delante de SK hynix, con un 26 %, y Micron, con un 25 %. 33
Pero esa cifra no equivale a liderar todas las generaciones de HBM ni demuestra una ventaja definitiva en el encapsulado de memoria 3D. Los ingresos de DRAM incluyen aplicaciones más allá de los aceleradores avanzados de IA.
La verdadera competencia se decidirá menos por quién vende más DRAM en conjunto y más por quién consigue convertir una arquitectura prometedora en encapsulados fiables, fabricados en grandes volúmenes y fáciles de integrar en los sistemas de IA de los clientes.
Los problemas de ingeniería que decidirán el futuro de CUBE
Gestión térmica
Colocar memoria directamente sobre un acelerador potente acorta la ruta eléctrica, pero también puede situarla en un entorno térmico más exigente. Las pruebas decisivas tendrán que medir temperaturas sostenidas, gradientes térmicos, control de puntos calientes, compatibilidad con los sistemas de refrigeración y fiabilidad bajo cargas reales de IA.
Rendimiento de la unión híbrida
zHBM exige una alineación extremadamente precisa entre obleas y superficies limpias y planas. A medida que aumenta el área unida y la densidad de conexiones, los defectos pueden tener consecuencias mayores. Los fabricantes necesitarán un control de proceso muy estricto, métodos eficaces para identificar matrices funcionales y estrategias para gestionar ensamblajes defectuosos o parcialmente defectuosos.
Pruebas y fiabilidad a largo plazo
Un encapsulado vertical debe probarse después de la unión. Además, los fabricantes tendrán que detectar defectos latentes en las interconexiones y controlar la deformación, el estrés mecánico, la electromigración y los efectos de los ciclos térmicos repetidos. Todo ello puede repercutir tanto en el rendimiento de fabricación como en el coste.
Altura del apilamiento e integración del encapsulado
Añadir capas puede aumentar la capacidad, pero también complicar la refrigeración, la entrega de energía y la fiabilidad mecánica. El diseño óptimo dependerá de la potencia del acelerador, el encapsulado y el sistema de refrigeración del cliente, la capacidad requerida y el ecosistema industrial disponible.
En resumen
CUBE es el intento de Samsung de competir en la memoria para IA mediante la integración vertical, no solo mediante DRAM más rápida. HBM5 representa la dirección de producto más cercana, con objetivos de duplicar el rendimiento de HBM4E, mejorar un 20 % el rendimiento por vatio y reducir un 20 % la resistencia térmica.
zHBM es la apuesta arquitectónica a más largo plazo: colocar la memoria directamente sobre el acelerador y emplear unión híbrida de cobre para acortar el recorrido de los datos. La idea es técnicamente relevante, pero sus cifras más llamativas siguen siendo objetivos con definiciones incompletas.
La posición final de Samsung dependerá menos de que una presentación anuncie 2× u 8× de rendimiento que de que la empresa pueda resolver la refrigeración, el rendimiento de fabricación, las pruebas, la fiabilidad y la integración con los encapsulados que necesitan sus clientes.
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La gente también pregunta
¿Cuál es la respuesta corta a "Samsung quiere llevar la memoria de la IA a la tercera dimensión con su estrategia CUBE"?
La estrategia CUBE busca superar los límites del espacio disponible en la placa mediante una integración más vertical de memoria y lógica.
¿Cuáles son los puntos clave a validar primero?
La estrategia CUBE busca superar los límites del espacio disponible en la placa mediante una integración más vertical de memoria y lógica. Samsung apunta a que HBM5 duplique el rendimiento de HBM4E, mejore un 20 % el rendimiento por vatio y reduzca un 20 % la resistencia térmica.
¿Qué debo hacer a continuación en la práctica?
zHBM colocaría la memoria directamente sobre el acelerador de IA mediante unión híbrida de cobre, pero sus promesas de rendimiento aún no están respaldadas por especificaciones absolutas.
Fuentes
en.sedaily.comSamsung Says Logic-Memory Layout Key to Breaking AI Chip Limits
asiae.co.kr"Building 3D Vertical Highways"... Samsung Electronics Unveils 'CUBE' Strategy to Overcome Memory Limits - The Asia Business Daily
en.edaily.co.krSamsungElectronics Unveils 'CUBE' Strategy at Semicon Taiwan… Highlights Industry-Leading Capacity