Micron planteó que la memoria ya puede limitar el rendimiento, la capacidad y el costo por token de los sistemas de IA. La compañía espera iniciar en el segundo semestre de 2027 las rampas de DRAM 1 delta y NAND G11.
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Respuesta de investigación

Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What did Micron Technology reveal at its October 21, 2026 AI memory technology webinar, announced October 19 and led by President and Chief. Article summary: Micron’s central message was that AI is turning memory from a supporting component into a constraint on system performance, capacity and cost per token, requiring a multigeneration DRAM, HBM and NAND roadmap. The availab. Topic tags: general, general web, user generated, government. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, cha
La memoria suele quedar en segundo plano frente a los procesadores, pero Micron sostiene que está pasando a ser uno de los límites clave de los sistemas de inteligencia artificial. En un seminario web celebrado el 21 de octubre de 2026, la empresa presentó una hoja de ruta que abarca DRAM, memoria de alto ancho de banda (HBM) y NAND. 12
26
El plan incluye dos hitos previstos para el segundo semestre de 2027. Son fechas esperadas para iniciar las rampas de producción, no una señal de que esos productos ya estén fabricándose en grandes volúmenes. 1
Scott DeBoer, presidente y director de Tecnología y Productos de Micron, encabezó el seminario, anunciado por la empresa el 19 de octubre. La presentación abordó innovaciones en DRAM, HBM y NAND, y la necesidad de aumentar el ancho de banda, la capacidad y la eficiencia para mover, almacenar y consultar datos en futuras infraestructuras de IA. 12
2
La tesis de fondo es que la memoria puede condicionar el rendimiento y la capacidad de los sistemas, además del costo por token, una medida del gasto asociado a procesar texto con modelos de IA. Por eso, la hoja de ruta considera tanto memorias rápidas cercanas a los procesadores como tecnologías de almacenamiento para cargas de trabajo de IA. 26
Micron espera comenzar a incrementar la producción de su nodo DRAM 1-delta y de la NAND de generación 11 (G11) en el segundo semestre de 2027. Se trata de previsiones de la hoja de ruta, no de productos que ya estén en producción de alto volumen. 1
Según la cobertura del anuncio, G11 saltaría la generación 10 y apuntaría a más de 400 capas. También se le atribuyen una densidad de bits superior al doble de la generación 9 y una velocidad de entrada y salida 1,5 veces mayor. Micron la orientaría a almacenamiento de alto rendimiento de entrada/salida y gran ancho de banda para cargas de IA. Son especificaciones divulgadas como parte de la hoja de ruta, no mediciones de un producto verificadas de forma independiente. 1
3
La presentación también introdujo la HBM vertical como parte de la dirección futura de Micron. La cobertura técnica describe el concepto como una memoria HBM apilada sobre el procesador, y otros reportes señalan que la compañía trabaja en HBM personalizada. La información disponible no confirma un calendario detallado de producción ni todos los métodos de empaquetado y unión que podrían utilizarse. 1
8
En cuanto a la DRAM, DeBoer cuestionó que un diseño 4F² ofrezca automáticamente una ventaja de densidad frente a uno 6F². Micron incluye DRAM 3D en su hoja de ruta, pero el momento de su posible implementación dependería del costo, la complejidad y el rendimiento del dispositivo. 26
MarketBeat informó que Micron prevé que la oferta de memoria siga ajustada durante al menos dos años. Es una perspectiva de mercado, no una fecha garantizada para que la oferta y la demanda vuelvan a equilibrarse. La información disponible no respalda una fecha concreta para ese reequilibrio ni todas las afirmaciones sobre cómo los productos futuros afectarían la demanda de obleas. 3
Los reportes disponibles no verifican adecuadamente varias afirmaciones más específicas asociadas al seminario. Entre ellas están el supuesto ancho de banda de 2,8 TB/s por pila de HBM4, un aumento de densidad de alrededor del 20 % para la DRAM 1-delta y ciertos planes para priorizar la producción en Boise o destinarla a HBM5 y a la inferencia en el borde.
Tampoco quedan establecidos todos los detalles sobre la lógica personalizada en las bases de HBM, la futura producción de esas bases en fundiciones ni los procesos exactos para unir la HBM vertical.
La conclusión más clara es estratégica: Micron considera que la IA exige más de la memoria y el almacenamiento, y plantea responder con avances sucesivos en DRAM, HBM y NAND. La dirección general del plan está mejor respaldada que muchas de sus especificaciones y detalles de implementación.
Studio Global AI
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Micron planteó que la memoria ya puede limitar el rendimiento, la capacidad y el costo por token de los sistemas de IA.
Micron planteó que la memoria ya puede limitar el rendimiento, la capacidad y el costo por token de los sistemas de IA. La compañía espera iniciar en el segundo semestre de 2027 las rampas de DRAM 1 delta y NAND G11.
Los detalles sobre HBM vertical y algunas especificaciones de rendimiento siguen sin estar confirmados en la información disponible.
Micron planteó que la memoria ya puede limitar el rendimiento, la capacidad y el costo por token de los sistemas de IA. La compañía espera iniciar en el segundo semestre de 2027 las rampas de DRAM 1 delta y NAND G11.
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La memoria suele quedar en segundo plano frente a los procesadores, pero Micron sostiene que está pasando a ser uno de los límites clave de los sistemas de inteligencia artificial. En un seminario web celebrado el 21 de octubre de 2026, la empresa presentó una hoja de ruta que abarca DRAM, memoria de alto ancho de banda (HBM) y NAND. 12
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El plan incluye dos hitos previstos para el segundo semestre de 2027. Son fechas esperadas para iniciar las rampas de producción, no una señal de que esos productos ya estén fabricándose en grandes volúmenes. 1
Scott DeBoer, presidente y director de Tecnología y Productos de Micron, encabezó el seminario, anunciado por la empresa el 19 de octubre. La presentación abordó innovaciones en DRAM, HBM y NAND, y la necesidad de aumentar el ancho de banda, la capacidad y la eficiencia para mover, almacenar y consultar datos en futuras infraestructuras de IA. 12
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La tesis de fondo es que la memoria puede condicionar el rendimiento y la capacidad de los sistemas, además del costo por token, una medida del gasto asociado a procesar texto con modelos de IA. Por eso, la hoja de ruta considera tanto memorias rápidas cercanas a los procesadores como tecnologías de almacenamiento para cargas de trabajo de IA. 26
Micron espera comenzar a incrementar la producción de su nodo DRAM 1-delta y de la NAND de generación 11 (G11) en el segundo semestre de 2027. Se trata de previsiones de la hoja de ruta, no de productos que ya estén en producción de alto volumen. 1
Según la cobertura del anuncio, G11 saltaría la generación 10 y apuntaría a más de 400 capas. También se le atribuyen una densidad de bits superior al doble de la generación 9 y una velocidad de entrada y salida 1,5 veces mayor. Micron la orientaría a almacenamiento de alto rendimiento de entrada/salida y gran ancho de banda para cargas de IA. Son especificaciones divulgadas como parte de la hoja de ruta, no mediciones de un producto verificadas de forma independiente. 1
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La presentación también introdujo la HBM vertical como parte de la dirección futura de Micron. La cobertura técnica describe el concepto como una memoria HBM apilada sobre el procesador, y otros reportes señalan que la compañía trabaja en HBM personalizada. La información disponible no confirma un calendario detallado de producción ni todos los métodos de empaquetado y unión que podrían utilizarse. 1
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En cuanto a la DRAM, DeBoer cuestionó que un diseño 4F² ofrezca automáticamente una ventaja de densidad frente a uno 6F². Micron incluye DRAM 3D en su hoja de ruta, pero el momento de su posible implementación dependería del costo, la complejidad y el rendimiento del dispositivo. 26
MarketBeat informó que Micron prevé que la oferta de memoria siga ajustada durante al menos dos años. Es una perspectiva de mercado, no una fecha garantizada para que la oferta y la demanda vuelvan a equilibrarse. La información disponible no respalda una fecha concreta para ese reequilibrio ni todas las afirmaciones sobre cómo los productos futuros afectarían la demanda de obleas. 3
Los reportes disponibles no verifican adecuadamente varias afirmaciones más específicas asociadas al seminario. Entre ellas están el supuesto ancho de banda de 2,8 TB/s por pila de HBM4, un aumento de densidad de alrededor del 20 % para la DRAM 1-delta y ciertos planes para priorizar la producción en Boise o destinarla a HBM5 y a la inferencia en el borde.
Tampoco quedan establecidos todos los detalles sobre la lógica personalizada en las bases de HBM, la futura producción de esas bases en fundiciones ni los procesos exactos para unir la HBM vertical.
La conclusión más clara es estratégica: Micron considera que la IA exige más de la memoria y el almacenamiento, y plantea responder con avances sucesivos en DRAM, HBM y NAND. La dirección general del plan está mejor respaldada que muchas de sus especificaciones y detalles de implementación.
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Micron planteó que la memoria ya puede limitar el rendimiento, la capacidad y el costo por token de los sistemas de IA.
Micron planteó que la memoria ya puede limitar el rendimiento, la capacidad y el costo por token de los sistemas de IA. La compañía espera iniciar en el segundo semestre de 2027 las rampas de DRAM 1 delta y NAND G11.
Los detalles sobre HBM vertical y algunas especificaciones de rendimiento siguen sin estar confirmados en la información disponible.