TSMC apunta a 110.000 obleas de 2 nm y 210.000 de 3 nm al mes para mediados de 2027

La carrera por los chips para inteligencia artificial no depende solo de diseñar procesadores más potentes: también exige fabricar más obleas avanzadas y encapsularlas con tecnologías capaces de unir enormes chips de cálculo y memoria de alto ancho de banda. En ese contexto, los planes atribuidos a TSMC apuntan a una expansión intensa de sus procesos de 2 y 3 nanómetros hasta mediados de 2027.

La principal cautela es importante: TSMC no ha confirmado públicamente estas metas concretas de capacidad mensual. Las cifras proceden de informaciones basadas en fuentes de la cadena de suministro. 1719

Las cifras que se atribuyen a TSMC para 2027

Según la información recogida por TrendForce, la capacidad de 2 nm pasaría de unas 90.000 obleas al mes al cierre de 2026 a 110.000 obleas mensuales a mediados de 2027. Eso supondría un aumento aproximado del 22%. 17

Para los 3 nm, el objetivo reportado es superar las 180.000 obleas mensuales a finales de 2026 y alcanzar las 210.000 a mediados de 2027, un incremento superior al 16% en ese periodo. 17

Visto en un plazo más largo, el salto en 3 nm sería aún más notable: desde unas 120.000 a 130.000 obleas al mes al final de 2025 hasta 210.000 a mediados de 2027, cerca de un 70% si el plan se cumple. 20

Estas capacidades no equivalen necesariamente a producción efectiva vendida: describen la capacidad mensual prevista de fabricación de obleas. Además, los rendimientos de producción y la disponibilidad de materiales, equipos y empaquetado avanzado siguen siendo determinantes.

Taiwán lidera el aumento; Arizona y Japón amplían la red

Taiwán se mantiene como la base inmediata de la producción más avanzada. La Fab 22 de Kaohsiung figura en los planes de expansión de N2 y A16, mientras que la Fab 20 de Hsinchu también está aumentando capacidad para N2 y A16. 51

En 3 nm, se ha informado de que TSMC está reconvirtiendo parte de equipos ya utilizados para 5 nm en Taiwán. Reaprovechar infraestructura de fabricación cualificada puede añadir volumen más rápido que construir únicamente plantas nuevas desde cero, aunque la empresa no ha detallado públicamente cómo distribuye esos equipos entre instalaciones. 24

La huella exterior también gana peso:

• Arizona, Estados Unidos: la primera fábrica ya ha iniciado producción de 4 nm. Las fases posteriores están previstas para tecnologías de 3 nm, 2 nm y A16. TSMC también anunció 100.000 millones de dólares adicionales de inversión para nuevas fábricas de obleas y capacidad de empaquetado avanzado en Estados Unidos. 4538
• Kumamoto, Japón: la segunda fábrica de la operación japonesa está prevista para admitir tecnologías de hasta 3 nm, según informaciones sobre la hoja de ruta industrial de la compañía. 51
• Más capacidad de 3 nm: otro informe señala ampliaciones de instalaciones de 3 nm en Taiwán, Arizona y Japón, junto con las conversiones de herramientas en Taiwán. 33

La distribución exacta de la capacidad por ubicación y su calendario no están tan claros como los objetivos agregados. Por ahora, la conclusión más sólida es que Taiwán sostiene la aceleración inmediata, mientras Arizona y Japón amplían la base geográfica de TSMC a medio y largo plazo.

La IA explica el nivel de inversión

TSMC elevó su plan de inversión de capital para 2026 a una horquilla de 60.000 a 64.000 millones de dólares, citando una demanda estructural plurianual ligada a la inteligencia artificial y a la computación de alto rendimiento, conocida como HPC por sus siglas en inglés. 38

La compañía también indicó que acelera su implantación global, con planes para fábricas de procesos avanzados y empaquetado en Taiwán, además de expansiones en Arizona, Japón y Alemania. 38

El gasto no se limita a levantar edificios. Aumentar la producción en nodos avanzados requiere equipos de litografía, herramientas de proceso, materiales homologados, mejora de los rendimientos y capacidad de encapsulado que acompañe a chips de IA cada vez más grandes y complejos.

CoWoS: el empaquetado también es un cuello de botella

Un acelerador de IA de última generación necesita más que un chip lógico fabricado en 2 o 3 nm. Debe conectarse con memoria HBM y, en muchos casos, integrar varios componentes en un mismo conjunto. Ahí entra CoWoS, la tecnología de empaquetado avanzado de TSMC cuyo nombre significa Chip on Wafer on Substrate.

TrendForce informó de que la capacidad de CoWoS podría aproximadamente duplicarse para 2028; esta, de nuevo, es una estimación de la cadena de suministro y no una meta confirmada directamente por TSMC. 17 Por su parte, TSMC ha señalado que prevé un crecimiento anual compuesto superior al 80% en capacidad CoWoS entre 2022 y 2027. 45

Arizona debería integrarse en esa red: un directivo de TSMC dijo a Reuters que la empresa planea abrir allí una planta de empaquetado de chips en 2029. 47

Después de 2 nm: A14, A13, A12 y N2U

La expansión de 2 y 3 nm forma parte de una hoja de ruta que llega más allá de esta generación:

• A14: proceso de clase 1,4 nm, previsto para producción en 2028. 11
• A13: proceso de clase 1,3 nm, programado para 2029 y planteado como derivado de A14 para aplicaciones orientadas a clientes. 10
• A12: también con objetivo de producción en 2029; se basa en la trayectoria de A16 para HPC e IA e incorpora alimentación eléctrica por la parte trasera del chip. 10
• N2U: extensión de la familia N2, prevista para 2028. 10

En otras palabras, el aumento de capacidad de 2 y 3 nm no sería solo una respuesta inmediata a los pedidos de IA: serviría como plataforma industrial para las siguientes generaciones por debajo de 2 nm.

La colaboración con ASML y las máscaras de 12 pulgadas

TSMC y ASML han lanzado formalmente una iniciativa para pasar, en la litografía EUV de alta apertura numérica o High-NA EUV, de las máscaras fotográficas actuales de 6 pulgadas a máscaras de 12 pulgadas. El plan apunta a una línea piloto de máscaras de 12 pulgadas en 2031 y a la preparación de los sistemas de litografía para producción de nodos avanzados en 2033. 2

La High-NA EUV podrá entrar primero en producción con las máscaras actuales de 6 pulgadas. El formato mayor busca elevar la productividad de las fábricas, reducir costes y resolver restricciones de stitching, la unión de campos de exposición. 2

Según los informes, TSMC prevé usar High-NA EUV en producción de gran volumen desde 2030. Por tanto, llegaría después de los hitos anunciados para A14, A13 y A12, no como requisito previo para sus primeras etapas de producción. 311

Qué conviene vigilar

La señal general es clara: TSMC está expandiendo simultáneamente la fabricación de obleas y el empaquetado avanzado para atender una demanda de IA y HPC que la empresa describe como estructural y de varios años. El aumento del gasto de capital, la ampliación de Arizona y la hoja de ruta tecnológica hasta 2029 sí han sido comunicados públicamente o reportados con respaldo documental. 384711

En cambio, los titulares más llamativos —110.000 obleas mensuales de 2 nm y 210.000 de 3 nm a mediados de 2027— deben leerse como objetivos reportados por la cadena de suministro, no como previsiones oficiales de TSMC. Hasta que la compañía los valide directamente, sirven para medir la escala esperada de la expansión, no como guía corporativa confirmada. 1719