Los tres gigantes de la industria están gastando a niveles nunca vistos para cerrar la brecha de oferta:
Gran parte de esta nueva capacidad se está desviando hacia la HBM (Memoria de Alto Ancho de Banda): Samsung y SK Hynix asignan entre el 80% y el 90% de su capacidad de nodos avanzados a HBM, mientras que Micron redirige aproximadamente el 70% .
La china CXMT (ChangXin Memory Technologies) está emergiendo como una auténtica cuarta fuerza en DRAM:
Según SemiAnalysis, las preocupaciones de que CXMT pudiera desencadenar un exceso de oferta probablemente son exageradas para los próximos dos años, dada la magnitud del crecimiento general de la demanda .
El presidente del Grupo SK, Chey Tae-won, ha sido la voz más prominente en cuanto a los riesgos de precios:
La industria está atrapada entre dos fuerzas opuestas:
El rendimiento de las acciones ha reflejado el auge: las acciones de memoria saltaron aproximadamente un 30% en una sola semana de mayo de 2026 , y las acciones de los tres principales productores alcanzaron máximos históricos a mediados de 2026 . Aunque no se pudieron verificar de forma independiente los porcentajes exactos de rendimiento acumulado en el año para Samsung y SK Hynix con una fuente de datos de mercado primaria dentro de los resultados de búsqueda, el repunte direccional está bien documentado.
Para inversores, compradores de tecnología y analistas del sector, la pregunta clave es si la industria podrá navegar este superciclo sin repetir el patrón de auge y caída que ha definido históricamente los mercados de memoria.