Huawei construye su propia fábrica de DRAM: el plan para sortear la peor escasez de memoria de la historia

Huawei ha unido fuerzas con la empresa Swaysure (Shenzhen Yiweixu), estrechamente vinculada a la compañía, y el Gobierno municipal de Shenzhen para construir una planta de fabricación de obleas de 12 pulgadas (300 mm) dedicada a la producción de memorias DRAM . La planta aspira a una capacidad de 140.000 obleas al mes, empezando por el nodo de 28 nm . Este volumen, aunque relevante, solo cubriría una fracción de las necesidades totales de DRAM de Huawei, que abarcan desde teléfonos hasta servidores de IA.

Swaysure ha reclutado a veteranos de la industria, como un exdirector de fábrica de TSMC, para liderar la planta . La información, difundida inicialmente por filtraciones del sector en julio de 2026 y recogida por medios como Wccftech y Huawei Central, no ha sido confirmada oficialmente por Huawei y aún no se ha fijado una fecha para el inicio de la construcción o la producción .

La crisis global de memorias: la peor de la historia

El plan de la fábrica de DRAM de Huawei llega en un momento en que la industria de las memorias atraviesa la peor crisis de suministro de su historia. El panorama es alarmante:

Disparada de los precios de la DRAM

• Los precios de los contratos de DRAM subieron un 171,8 % interanual en el tercer trimestre de 2025 .
• En el primer trimestre de 2026, los precios se dispararon otro 90–95 % trimestre tras trimestre .
• Los precios de la memoria DDR5 para servidores se han triplicado o cuadruplicado en el último año .
• TrendForce prevé que los precios de la DRAM convencional suban otro 58 % solo en el segundo trimestre de 2026 .
• Los ingresos por DRAM alcanzaron los 165.700 millones de dólares en 2025, un aumento del 73 % interanual .

La IA absorbe el ~70 % de la producción de memorias
Los analistas estiman que los centros de datos de IA consumirán hasta el 70 % de la capacidad de producción de memorias de gama alta en 2026 . Samsung, SK Hynix y Micron han desviado sus líneas de producción de la DRAM para consumo hacia la memoria de alto ancho de banda (HBM) para las GPU de IA, creando un vacío de oferta en la DRAM convencional . La HBM ya consume el 23 % de la capacidad total de obleas de DRAM, frente a cifras de un solo dígito hace dos años .

SK Hynix advierte que 2027 será el 'peor año'
El 10 de julio de 2026, el consejero delegado de SK Hynix, Kwak Noh-jung, advirtió que la industria de las memorias se dirige hacia su 'peor escasez de suministro' en 2027 y que la demanda superará a la oferta incluso después de 2030 —a pesar de una agresiva expansión de la capacidad . Kwak declaró: 'Esperamos que el próximo año sea el año de mayor tensión en la oferta en la historia de la industria' . El responsable de memorias de Samsung, Kim Jaejune, también advirtió en abril de 2026 de 'escaseces significativas' que se prolongarán al menos hasta 2027, con tasas de cumplimiento de la demanda en mínimos históricos .

Cómo encaja la fábrica de Huawei en la escasez

La DRAM es el talón de Aquiles de Huawei. Las sanciones de EE.UU. le impiden comprar DRAM de última generación a SK Hynix, Samsung y Micron . La escasez global encarece el mercado al contado. Una fuente cautiva de DRAM nacional es la única solución duradera.

El momento es clave: aunque la fábrica de Swaysure tarde entre 2 y 3 años en alcanzar la producción en volumen, entraría en funcionamiento durante la peor fase de la crisis de suministro de 2027–2030 que SK Hynix pronostica .

El nodo de 28 nm: es un nodo maduro y ampliamente disponible, capaz de producir DRAM de clase DDR3/DDR4 —no la HBM de vanguardia, pero sí suficiente para los equipos de estaciones base, infraestructura de red, teléfonos más antiguos y productos IoT de Huawei. Esto liberaría la DRAM global de gama más alta para los productos premium de la compañía.

El imperio de fábricas de Huawei y su ambición de ser la 'Samsung china'

La fábrica de DRAM es solo una pieza de una estrategia mucho mayor. Según informes de medios surcoreanos, Huawei opera, directa o indirectamente, al menos siete empresas de fabricación de semiconductores en China, con al menos 11 fábricas ya en funcionamiento . Estas cubren chips lógicos, aceleradores de IA y, ahora, memorias.

Tres fábricas en el distrito de Guanlan, Shenzhen: una para chips de 7 nm para teléfonos inteligentes y procesadores Ascend (propiedad de Huawei), otra gestionada por SiCarrier (un fabricante de equipos respaldado por el Estado, surgido de un laboratorio de Huawei) y la tercera, la fábrica de DRAM de Swaysure . Imágenes de satélite de principios de 2025 muestran un rápido avance en la construcción de estos emplazamientos .

Avance 'LogicFolding': en mayo de 2026, Huawei presentó un nuevo método de fabricación de chips, 'LogicFolding', para acortar distancias con TSMC, con el objetivo de producir chips de 1,4 nm para 2031 con su propio equipo .

Rampa de producción de chips de IA: Huawei está aumentando la producción de sus chips Ascend de IA —aproximadamente 250.000 Ascend 910C en 2025, con el objetivo de alcanzar 1,6 millones de matrices en total en la línea Ascend en 2026 .

Objetivo de integración vertical: Huawei quiere controlar toda la cadena —diseño, fabricación, empaquetado y ahora memoria—, emulando el modelo de fabricante integrado (IDM) de Samsung .

El esfuerzo de China por la autosuficiencia en memorias

La fábrica de DRAM de Swaysure se enmarca en la 'Estrategia de Producción Triple' de IA de China, un mandato estatal para triplicar la producción nacional de procesadores de IA para finales de 2026 . Contexto clave:

• La tasa de autosuficiencia de China en DRAM se sitúa por debajo del 5 %. Longson (CXMT), en Hefei, es el único productor nacional de DRAM de cierta escala.
• El respaldo financiero del Gobierno de Shenzhen a la fábrica de Swaysure indica que el Estado está dispuesto a financiar múltiples proyectos de memorias en paralelo para reducir la dependencia de los proveedores surcoreanos y estadounidenses.
• Los controles de exportación de EE.UU. (restricciones a la litografía de ASML, las herramientas de inspección de KLA y el software EDA) dificultan que cualquier fábrica china de DRAM pueda pasar del nodo de 28 nm, pero incluso la DRAM de 28 nm tiene un valor estratégico en un mercado donde los precios se han cuadruplicado.

Riesgos y advertencias clave

• El plan de la fábrica Huawei–Swaysure se basa en filtraciones de la industria y medios tecnológicos, no en un anuncio oficial de Huawei. Debe considerarse como información creíble pero no confirmada .
• Empezar en 28 nm significa que la fábrica no producirá la HBM3/HBM4 avanzada que impulsa la demanda de las GPU de IA —se centrará en la DRAM convencional, no en el segmento premium de memorias para IA.
• Incluso con 140.000 obleas al mes, la fábrica solo cubriría una fracción de las necesidades de DRAM de la propia Huawei, y menos aún de la demanda total de China.
• Construir una fábrica de DRAM es complejo y requiere un enorme capital. Los precedentes en China (como los esfuerzos de Fujian Jinhua) demuestran que estos proyectos se enfrentan a persistentes desafíos con las sanciones a los equipos, los rendimientos y la retención de talento.

Conclusión: El plan de la fábrica de DRAM de Huawei es una ofensiva defensiva —ataca en la intersección de la peor escasez de memorias de la historia, las sanciones de EE.UU. que cortan a Huawei de los proveedores globales de DRAM y el imperativo estratégico de China de construir capacidad de memoria nacional. Si tiene éxito, transformaría a Huawei de una empresa que diseña chips pero compra memorias en un fabricante integrado, al tiempo que daría a China una segunda base de producción nacional de DRAM en un momento en que los precios mundiales de las memorias se han cuadruplicado y la oferta se mantendrá críticamente ajustada al menos hasta 2030. Sin embargo, el camino está plagado de riesgos técnicos, políticos y de ejecución que hacen que el resultado sea incierto.