Intel contraataca en la carrera por los 1.4nm: su plan para la variante 14A2 con doble alimentación y el duelo con TSMC y Samsung

La carrera por fabricar los chips más avanzados del mundo está a punto de dar un giro inesperado. Intel, que busca recuperar el trono tecnológico, estaría considerando un cambio de arquitectura significativo para su futura variante de proceso 14A2. Según reportes de la industria, la compañía planea pasar de un sistema de entrega de energía por la parte trasera (backside power delivery) a una arquitectura de doble alimentación que suministraría energía simultáneamente desde el frente y la parte trasera del chip ^M.

Este movimiento no es casual: responde a la feroz competencia de TSMC con su nodo A14 y de Samsung con su SF1.4, ambos en la clase de los 1.4nm. Con esta innovación, Intel busca una ventaja decisiva en densidad de transistores para no quedarse atrás ^M.

A continuación, desglosamos todos los detalles técnicos, las fechas clave del roadmap y cómo se compara con sus rivales.

El cambio técnico: una arquitectura de doble cara

El nodo base Intel 14A ya utiliza la tecnología "PowerDirect" de Intel, una red de entrega de energía por la parte trasera (BSPDN, por sus siglas en inglés) donde el enrutamiento de la energía se maneja desde la parte posterior de la oblea ^ME. La variante 14A2 reportada iría un paso más allá: suministraría energía desde ambos lados del chip (frontal y trasero) de manera simultánea ^M.

Este diseño de doble cara está pensado para permitir pasos metálicos más finos y una mayor densidad de transistores que la implementación base de 14A ^M. En concreto:

• Paso metálico M0 del 14A base: 28nm ^M.
• Paso metálico M0 objetivo del 14A2: ~21nm, posible gracias a mejoras en el doble patrón (double-patterning) habilitadas por el enfoque de doble alimentación ^M.

Dado que el 14A base ya promete una mejora de densidad de chip de hasta un ~30% respecto al Intel 18A, la variante 14A2 podría ofrecer una ganancia de densidad aún mayor. No obstante, Intel no ha publicado una cifra exacta para el 14A2 en las fuentes disponibles ^ME.

¿Qué está impulsando este cambio?

El cambio se enmarca como una respuesta directa a la presión competitiva de TSMC (con su nodo A14) y Samsung (con su SF1.4) ^M. A medida que la carrera por los 1.4nm se intensifica, Intel necesita un diferenciador en densidad más allá de lo que ofrece el nodo 14A base. La arquitectura de doble alimentación es, según los reportes, la vía para lograrlo, aunque introduce desafíos técnicos importantes, como un aumento de la resistencia eléctrica y la necesidad de nuevas estructuras compuestas de entrega de energía ^M.

Hitos clave del roadmap (Intel 14A / 14A2)

El CEO de Intel, Lip-Bu Tan, ha proporcionado una guía de plazos actualizada. La siguiente tabla resume los hitos principales basados en reportes recientes y en las propias declaraciones de Intel:

Hito	Fecha / Momento	Fuentes
Lanzamiento externo del PDK 0.5	Principios de 2026 (ya distribuido)	EWD
Distribución externa del PDK 0.9	Octubre de 2026	EWD
Ventana de compromiso con clientes	Segunda mitad de 2026 – Primera mitad de 2027	B
Producción de riesgo (risk production)	2028	EGBWS
Fabricación en alto volumen (HVM)	2029	EGBWS

Tan se ha referido al PDK 0.9 como el "Santo Grial" del proceso 14A, señalando que es un punto de control crítico para la captación de clientes ^W. Este calendario supone un retraso de aproximadamente un año respecto a la guía anterior, que apuntaba a una producción de riesgo en 2027 ^S.

Comparativa de plazos con TSMC y Samsung

Compañía	Nombre del nodo de 1.4nm	Producción de riesgo	HVM / Producción en masa
Intel	14A / variante 14A2 reportada	2028	2029
TSMC	A14	No especificado en las fuentes	2028 BBT
Samsung	SF1.4	No confirmado en las fuentes	No confirmado en las fuentes

TSMC planea comenzar la producción de su proceso de fabricación A14 en 2028, según un reporte de Bloomberg ^B. Múltiples fuentes corroboran un objetivo de HVM en 2028 para el A14 de TSMC ^BT. Es importante destacar que la primera versión del A14 de TSMC no incluirá entrega de energía por la parte trasera; una variante con rieles de alimentación traseros (A14P) está prevista para 2029 ^T.

En cuanto a Samsung, su nodo SF1.4 se menciona como parte del panorama competitivo general de los 1.4nm, pero las fuentes proporcionadas no establecen un calendario confirmado de producción de riesgo o producción en masa para este nodo ^M.

Conclusión clave: El objetivo de producción en volumen de Intel para 2029 está aproximadamente un año por detrás del cronograma reportado de TSMC, que apunta a 2028. Sin embargo, Tan ha declarado que Intel ve el cronograma de 14A como muy cercano al del A14 de TSMC, ya que ambos se posicionan en la clase de los 1.4nm ^W. El calendario de Samsung sigue siendo incierto ^M.

Ambiciones más allá del 14A

El CEO Lip-Bu Tan ha confirmado que Intel ya ha iniciado el desarrollo de dos nodos de proceso más allá del 14A ^G:

• 10A (clase de 1nm) — actualmente en desarrollo inicial ^G.
• 7A (sub-1nm) — también en desarrollo inicial ^G.

Tan reveló esta información mientras discutía la hoja de ruta de procesos de Intel en la 54ª conferencia anual de Tecnología, Medios y Comunicaciones de J.P. Morgan en Boston ^G. Esto indica que Intel está trazando una hoja de ruta multigeneracional para la era del angstrom, que se extiende mucho más allá del 14A.

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Resumen

El nodo base Intel 14A utiliza transistores RibbonFET 2 de puerta envolvente (gate-all-around) y la entrega de energía por la parte trasera PowerDirect, ofreciendo hasta un 30% de mejora en la densidad del chip respecto al Intel 18A ^E. La variante 14A2 reportada está siendo considerada con una arquitectura de doble alimentación y un paso metálico M0 más ajustado de 21nm para competir en densidad ^M. Los hitos clave son: PDK 0.9 en octubre de 2026, producción de riesgo en 2028 y HVM en 2029 ^EGBWS. Ese cronograma sitúa a Intel aproximadamente un año por detrás del objetivo de producción de TSMC para su A14, que es 2028 ^BB. Más allá del 14A, Intel ya está desarrollando los nodos de proceso 10A y 7A para el largo plazo ^G.