Tamaño del nodo: 0,7 nm (7 angstroms / 7A) — Es la primera tecnología de semiconductores sub-1 nm divulgada públicamente .
Densidad de transistores: casi 100 mil millones de transistores en un chip de aproximadamente el tamaño de una uña. Esa densidad duplica aproximadamente la del nodo de 2 nm que IBM presentó en 2021 .
Proyecciones de rendimiento y eficiencia: IBM afirma que el nuevo diseño puede ofrecer hasta un 50 % más de rendimiento o hasta un 70 % más de eficiencia energética en comparación con su arquitectura de 2 nm. Se trata de proyecciones de investigación, no de mediciones de productos comerciales .
Escalado de SRAM: mejora del 40 % en la densidad de memoria en el chip. IBM describe esta como la mayor ganancia de memoria de este tipo que la industria ha visto en más de una década. Los resultados se publicaron en el Simposio de Tecnología VLSI de 2026 .
NanoStack es una arquitectura de transistores verticales en 3D. En lugar de seguir reduciendo los transistores en un plano (el enfoque utilizado en los diseños FinFET y de nanohojas tradicionales), IBM apila transistores de nanohojas verticalmente en tres dimensiones mediante la unión de obleas (wafer bonding) .
La arquitectura funciona como un tipo de transistor de efecto de campo complementario (CFET, por sus siglas en inglés). En concreto, apila transistores de tipo n y tipo p uno encima del otro en lugar de colocarlos uno al lado del otro, lo que ahorra una cantidad significativa de área del chip y acorta las distancias que las señales eléctricas deben recorrer entre ellos . IBM ha descrito NanoStack como un 'marco universal' para organizar transistores . La compañía ha demostrado un prototipo funcional en el nodo de 0,7 nm —la primera demostración pública de lógica CMOS funcional por debajo de 1 nm .
IBM es explícita al afirmar que la tecnología se encuentra en fase de investigación. La empresa espera que sus socios inicien la producción comercial en aproximadamente cinco años . IBM no opera sus propias plantas de fabricación de chips. Licenciará el diseño NanoStack a socios y fundiciones de fabricación, un modelo coherente con su enfoque histórico para comercializar avances en semiconductores . La compañía también ha trazado una hoja de ruta a más largo plazo hacia nodos de 0,1 nm (1 angstrom) .
IBM posiciona el nodo de 0,7 nm como la primera tecnología sub-1 nm divulgada públicamente, dando inicio a lo que la industria llama la 'era del angstrom' en la fabricación de chips . La compañía estima que los aceleradores de IA construidos con chips de 7A podrían alcanzar teóricamente unos 7.000 TOPS (billones de operaciones por segundo), en comparación con aproximadamente 1.500 TOPS en los nodos líderes actuales, una mejora de aproximadamente 4,7 veces . El anuncio de IBM se considera ampliamente como un movimiento para posicionar a la compañía frente a los líderes en fundición como TSMC, Samsung e Intel en la carrera hacia los nodos de escala angstrom .
Todas las cifras de rendimiento y eficiencia son proyecciones propias de IBM derivadas de un proceso en fase de investigación, no de productos en venta. El plazo de comercialización de cinco años y la dependencia de socios licenciatarios son limitaciones críticas. Como declaró Huiming Bu, vicepresidente de I+D global de semiconductores de IBM, durante el anuncio: 'NanoStack no es una sola innovación. Es una plataforma de dispositivos que puede permitir la futura reducción de escala durante otra década. La estamos preparando para la fabricación' .