CXMT apunta a la memoria NAND con una línea de I+D en Pekín

CXMT, conocida formalmente como ChangXin Memory Technologies, preparaba al 18 de septiembre una línea de investigación, desarrollo y producción de prueba de memoria flash NAND en su nueva planta de Pekín, según personas citadas por Reuters. El movimiento supondría salir de su especialidad histórica —la memoria DRAM— para entrar en el mercado del almacenamiento persistente. No obstante, se trata de un plan inicial: no equivale a anunciar una fábrica comercial de NAND a gran escala. 1

Qué pretende hacer CXMT en Pekín

La compañía planea una línea de I+D para NAND flash en Pekín y ha creado además un instituto de investigación en la capital china cuyos proyectos incluyen el desarrollo de esta tecnología. 1

CXMT también habría conversado sobre sus planes con posibles clientes. Entre ellos figura una empresa emergente no identificada que buscaría NAND para productos de almacenamiento destinados a sistemas de inteligencia artificial y supercomputación. 1

La apuesta tiene lógica como complemento de su cartera actual:

• La DRAM es memoria de trabajo: almacena temporalmente los datos que el procesador necesita utilizar con rapidez.
• La NAND flash conserva datos incluso cuando se apaga el equipo; es la base del almacenamiento en teléfonos, ordenadores, SSD y centros de datos. 1

Por qué CXMT quiere entrar en NAND

La demanda de servidores para IA ha contribuido a una escasez global de memoria que directivos del sector esperaban que se prolongara al menos hasta 2027. Al mismo tiempo, la ampliación de capacidad de NAND se ha visto limitada porque muchos fabricantes han priorizado inversiones en DRAM y HBM, la memoria de alto ancho de banda usada en sistemas de IA. 1

Con NAND, CXMT podría presentarse ante clientes chinos con una oferta más amplia: no solo DRAM, sino también almacenamiento para servidores, centros de datos, sistemas de almacenamiento, ordenadores y dispositivos electrónicos. El contacto reportado con un posible cliente de IA y supercomputación es la señal más concreta de esa estrategia. 1

La escasez también ha fortalecido la capacidad de negociación de fabricantes chinos de memoria con parte de su clientela nacional, aunque CXMT y YMTC siguen más expuestas a segmentos de menor precio que los grandes líderes internacionales. 1

Un nuevo frente frente a YMTC, Samsung, SK hynix y Micron

La entrada de CXMT en NAND la situaría en el principal terreno de YMTC, el gran fabricante chino de memoria NAND. Hasta ahora, ambas firmas habían ocupado ámbitos relativamente diferenciados: CXMT en DRAM y YMTC en NAND. Esa división, sin embargo, ya comenzaba a difuminarse: Reuters informó previamente de que YMTC había enviado muestras de DRAM de bajo consumo a clientes. 1

CXMT también pasaría a ser un competidor potencial para los líderes mundiales de NAND: Samsung, SK hynix y Micron. Samsung registró la mayor cuota de ingresos del mercado NAND en el segundo trimestre de 2026, con un 29,3 %, seguida por SK hynix y Micron. 1

Eso no implica que CXMT vaya a igualar de inmediato su escala o nivel tecnológico. Lo reportado es una línea de I+D y pruebas, mientras que esas compañías ya son fabricantes consolidados de gran volumen. 1

Lo que todavía no se conoce

El reporte de Reuters no precisó varios aspectos decisivos:

• La fecha en que comenzaría a operar la línea de I+D y producción piloto. 1
• Si CXMT transformará esas pruebas en fabricación comercial masiva de NAND. 1
• La tecnología concreta: nodo de proceso, número de capas, arquitectura, capacidad de obleas, rendimiento de fabricación, fecha de envíos comerciales o volumen de ventas previsto. 1

Por ello, no hay evidencia suficiente para concluir que la NAND de CXMT vaya a aliviar a corto plazo la escasez mundial de memoria o a convertirse pronto en una fuente relevante para SSD y almacenamiento de servidores. 1

No confundir este plan con otros proyectos de CXMT

Expansión independiente de DRAM en Pekín. En agosto se informó por separado de que CXMT estudiaba construir una segunda fábrica de memoria con obleas de 12 pulgadas en Yizhuang, Pekín, donde ya opera una fábrica de DRAM. Ese reporte se refería a una expansión de capacidad y a conversaciones de financiación; no confirmaba que el nuevo emplazamiento fuera una fábrica comercial de NAND. 3

Desarrollo de HBM. La producción reportada de HBM3E en pequeñas cantidades corresponde a un esfuerzo de memoria para IA basado en el apilamiento de DRAM, no al desarrollo de NAND flash. 2 Otra información situó el rendimiento de producción piloto de HBM3 de CXMT cerca del 25 %, frente a la referencia aproximada del 80 % citada para la producción masiva. Esa cifra no debe interpretarse como un rendimiento de NAND. 5

Afirmaciones sobre “XStacking”. El artículo de Reuters del 18 de septiembre no mencionó XStacking ni un proceso concreto de unión o apilamiento para NAND. Con la información disponible, no se puede atribuir a esta línea propuesta una tecnología XStacking, un nodo específico ni una hoja de ruta de producción. 1

Salida a bolsa y financiación. CXMT recaudó 57.920 millones de yuanes (8.600 millones de dólares) en una salida a bolsa de julio. Por separado, el proyecto de una fábrica de DRAM en Pekín estaba en conversaciones iniciales de financiación con un polo de fabricación tecnológica respaldado por el Gobierno local. Estos datos reflejan respaldo financiero para su expansión, pero no confirman inversión, gasto de capital ni objetivos de producción específicamente asignados a la línea de I+D de NAND. 1 3