ASML prepara máscaras más grandes para llevar High-NA EUV a los chips gigantes de centros de datos

ASML anunció junto con TSMC una iniciativa sectorial para migrar la litografía ultravioleta extrema de alta apertura numérica —High-NA EUV— desde las fotomáscaras actuales de 6 pulgadas hacia máscaras de 12 pulgadas. La colaboración está abierta a otros futuros usuarios de High-NA y a proveedores. Su objetivo es preservar la mayor precisión de la nueva tecnología, pero hacerla viable para los chips de gran superficie que requieren los procesadores de IA y de centros de datos, como los diseñados por Nvidia y otras compañías. 13

El problema: más resolución, pero menos área por exposición

La litografía EUV convencional emplea una apertura numérica de 0,33 y dispone de un campo de exposición completo adecuado para chips grandes. High-NA eleva ese valor a 0,55, lo que permite imprimir estructuras más finas. Sin embargo, su óptica anamórfica reduce a la mitad el campo de exposición respecto de los sistemas NXE anteriores cuando se mantiene el formato actual de máscara de 6 pulgadas. 14

En términos prácticos, High-NA ofrece más detalle, pero limita el tamaño del circuito que puede imprimirse de una sola vez. Para los mayores aceleradores de IA, esto obliga a dividir el diseño en varias exposiciones y unirlas después, un proceso conocido como stitching o cosido de patrones. Esa restricción es precisamente la que ASML busca resolver con máscaras de 12 pulgadas. 14

ASML indica que su plataforma EXE de High-NA puede alcanzar una dimensión crítica de 8 nm y está pensada para futuras generaciones de chips con características aún más pequeñas. 145

Por qué las máscaras de 12 pulgadas son clave

Una máscara de mayor formato permitiría aprovechar mejor el área de exposición de High-NA para circuitos muy grandes. Con ello, los fabricantes necesitarían menos exposiciones unidas para determinados diseños, una mejora relevante para los procesadores de centros de datos, donde el tamaño del chip es una limitación especialmente importante. 13

ASML y TSMC sostienen que la transición debería elevar la productividad de las fábricas, reducir costes de fabricación y permitir que los clientes obtengan una mayor parte de las ventajas de High-NA. 13

La información disponible cifra la mejora potencial de productividad del enfoque de máscaras grandes en torno al 40 %. El anuncio oficial de ASML respalda la expectativa de mayor productividad y menores costes, aunque el extracto disponible no aporta esa cifra concreta. 813

Qué fabricantes ya usan o evalúan High-NA

• Intel es quien lleva más ventaja. Tras iniciar experimentos en 2024, empezó a usar herramientas High-NA en 2026 para parte de la producción de sus procesadores Panther Lake. 6
• Intel y SK Hynix han sido señaladas como futuras adoptantes de High-NA, mientras varios fabricantes ya prueban los equipos. 45
• TSMC, el mayor fabricante de chips por contrato del mundo, codirige formalmente con ASML la iniciativa de máscaras de 12 pulgadas. Su plan contempla adoptar primero High-NA con las máscaras actuales de 6 pulgadas antes de pasar al formato mayor. 13
• Samsung amplió su colaboración con ASML, prevé utilizar High-NA en futuras memorias DRAM y se incorporará a la iniciativa de máscaras de 12 pulgadas. 11

La evidencia aportada no permite fijar fechas firmes y específicas de producción para TSMC, Samsung o SK Hynix más allá de su participación, evaluación o adopción prevista. Las versiones que sitúan a las tres compañías en producción entre 2027 y 2028 no quedan suficientemente respaldadas por las fuentes disponibles. 41135

Calendario: piloto en 2031 y preparación industrial en 2033

ASML y TSMC apuntan a establecer una línea piloto de máscaras de 12 pulgadas en 2031. El objetivo posterior es que el sistema de litografía esté listo para la producción de nodos avanzados en 2033. 13

Conviene no confundir esa posible ganancia de las máscaras grandes con la evolución de los equipos EUV actuales. Por separado, el modelo NXE:3800E de ASML alcanza un rendimiento de 220 obleas por hora, un 37 % más que el NXE:3600D. Esa cifra no equivale a la mejora proyectada para High-NA con máscaras de 12 pulgadas. 1

En resumen: ASML no solo intenta imprimir transistores más pequeños con High-NA; también está rediseñando el formato de máscara para que esa precisión pueda emplearse de forma eficiente en los chips de IA más grandes.