La expansión de centros de datos para IA está concentrando la capacidad en HBM, DRAM de alta densidad para servidores y almacenamiento NAND empresarial, dejando menos margen para otros usos. IDC prevé que la oferta de DRAM crezca un 16% y la de NAND un 17% en 2026, ritmos inferiores a los históricos, mientras aument...
Respuesta de investigación

Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: How is AI-driven demand from hyperscale data centers reshaping global DRAM and NAND flash supply, why do Phison CEO Khein-Seng Pua, SK Hynix. Article summary: AI infrastructure is turning memory from a cyclical, broadly shared commodity into a capacity-constrained strategic input. Hyperscalers are buying vast amounts of HBM for AI accelerators, server DRAM, and enterprise NAND. Topic tags: general, news, general web, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts w
La infraestructura de inteligencia artificial está cambiando el mercado de la memoria. Más que un ciclo tradicional de subidas y bajadas, el sector afronta un problema de asignación de capacidad: los grandes operadores de nube y centros de datos necesitan memoria de alto ancho de banda (HBM) junto a aceleradores de IA, DRAM de alta densidad para servidores y grandes volúmenes de almacenamiento NAND.
Los fabricantes priorizan esos productos de mayor valor, mientras la demanda de ordenadores, teléfonos y otros dispositivos sigue presente. El resultado es menos holgura para la memoria convencional. 2
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El cuello de botella más visible es la HBM, una DRAM especializada que se utiliza muy cerca de los procesadores avanzados de IA. Su fabricación requiere capacidad avanzada y procesos de empaquetado especializados, ambos limitados. IDC identifica la demanda de infraestructura de IA —en especial HBM y DRAM de alta densidad en servidores con GPU— como el principal factor del actual desequilibrio: la demanda de servidores crece más rápido de lo que la oferta puede responder. 8
Pero el efecto no se limita a la HBM. Los sistemas de IA necesitan también grandes reservas de almacenamiento rápido, lo que sostiene la demanda empresarial de NAND. A medida que los fabricantes destinan producción e inversión a memorias orientadas a IA, los compradores de DRAM y NAND convencionales deben competir por la capacidad disponible o aceptar precios más altos. IDC señala que esta reasignación hacia memorias de mayor margen ha contribuido a la escasez en la electrónica de consumo. 4
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Aumentar la producción de memoria no es inmediato. Hay que construir y equipar nueva capacidad, homologarla y elevar los rendimientos de fabricación hasta niveles aceptables. En HBM, además, se necesita empaquetado avanzado. Sassine Ghazi, consejero delegado de Synopsys, afirmó que la escasez continuaría durante 2026 y 2027 por el tiempo que requiere poner nueva capacidad en funcionamiento. 12
Micron también ha advertido de que la IA está transformando la demanda más deprisa de lo que el sector puede añadir oferta, y espera condiciones ajustadas bien entrado 2027 e incluso después. 7 La previsión de IDC ilustra esa limitación: estimó que la oferta de DRAM crecería un 16% interanual en 2026 y la de NAND un 17%, ambos ritmos por debajo de las referencias históricas.
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Eso no implica que todos los productos de memoria vayan a sufrir la misma escasez. Los contratos, la generación tecnológica, la asignación de cada proveedor y la demanda de cada mercado final pueden generar situaciones muy distintas entre HBM, DRAM para servidores, DRAM para equipos cliente y NAND. El patrón común, sin embargo, es que la nueva oferta llega más lentamente que el crecimiento de la demanda impulsada por la IA.
La memoria representa una parte relevante del coste de materiales de un dispositivo. Según IDC, los fabricantes de smartphones y PC se enfrentan a mayores costes de componentes que están cambiando la economía de sus productos. 8
Las marcas pueden absorber parte del coste reduciendo sus márgenes, subir precios, modificar las configuraciones de memoria o almacenamiento, o revisar sus planes de producto. En sus escenarios para 2026, IDC calculó que el precio medio de venta de los smartphones podría aumentar entre un 3% y un 5% en un escenario moderado, y entre un 6% y un 8% en uno pesimista. Son escenarios, no una garantía de que cada móvil suba en esa proporción. 14
Para los proveedores de componentes situados más abajo en la cadena de suministro, la exposición es principalmente indirecta: un mercado de PC, teléfonos o periféricos más caro puede modificar los volúmenes de envíos de sus clientes, la combinación de productos y sus necesidades de inventario. La información disponible no permite establecer un impacto financiero concreto, previsión o guía para Sonix Technology; por tanto, no es posible cuantificar un efecto específico para la empresa con estas evidencias.
Khein-Seng Pua, consejero delegado de Phison, ha advertido de que la memoria flash NAND podría sufrir su peor escasez en 2027. 17 Por separado, informaciones sobre sus comentarios indican que le trasladaron que la nueva capacidad de NAND tardaría alrededor de cuatro años en alcanzar la demanda; si esa estimación se cumple, el horizonte apuntaría a 2030 o más adelante.
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Conviene leerlo como una advertencia de riesgo, no como una previsión cerrada. La conclusión más respaldada para el corto plazo es que la oferta ajustada y los precios elevados de la memoria pueden persistir hasta 2027. Un escenario que se extienda a 2030 dependería de la velocidad a la que aumente la capacidad, de la mejora de los rendimientos, de qué parte de la producción siga comprometida con memoria para IA y de si la demanda de infraestructura de IA mantiene su ritmo actual. 7
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El proyecto de más de 4.000 millones de dólares de SK hynix en Indiana muestra tanto la magnitud de la respuesta como los largos plazos del sector. La empresa prevé completar la sala blanca en octubre de 2028 e iniciar la producción en volumen de HBM4E en el tercer trimestre de 2029. Kwak Noh-jung, consejero delegado de SK hynix, espera que la escasez de memoria persista hasta finales de 2030.
La instalación debería añadir una capacidad relevante de empaquetado de HBM en Estados Unidos a partir de finales de 2029. Sin embargo, no es una solución inmediata para todas las categorías de memoria: una planta de empaquetado enfocada en HBM de nueva generación no crea por sí sola suficiente capacidad adicional de obleas ni elimina las restricciones de la DRAM convencional o la NAND.
La presión sobre la memoria ya no es solo una historia del mercado de semiconductores. Se está convirtiendo en un asunto de planificación de producto para los fabricantes de dispositivos y de aprovisionamiento para las empresas que los abastecen. Los centros de datos de IA consumen capacidad de memoria que, de otro modo, atendería a un conjunto más amplio de mercados electrónicos, mientras que la capacidad de sustitución tarda años en llegar.
La presión más clara seguirá concentrada en la memoria para IA y en los servidores, con posibles efectos indirectos sobre los precios de la DRAM y NAND de consumo al menos hasta 2027. El alivio podría aparecer de forma desigual a medida que se ponga en marcha nueva capacidad, pero conviene tomar con cautela cualquier afirmación sobre una normalización total del mercado en una fecha concreta, especialmente si la capacidad adicional está dirigida a HBM y no a toda la cadena de suministro de memoria.
Studio Global AI
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La expansión de centros de datos para IA está concentrando la capacidad en HBM, DRAM de alta densidad para servidores y almacenamiento NAND empresarial, dejando menos margen para otros usos.
La expansión de centros de datos para IA está concentrando la capacidad en HBM, DRAM de alta densidad para servidores y almacenamiento NAND empresarial, dejando menos margen para otros usos. IDC prevé que la oferta de DRAM crezca un 16% y la de NAND un 17% en 2026, ritmos inferiores a los históricos, mientras aumentan los costes de componentes de móviles y PC.
La nueva planta de empaquetado avanzado de SK hynix en Indiana aportará capacidad de HBM, pero la producción en volumen de HBM4E no está prevista hasta el tercer trimestre de 2029.