El indicador utilizado por la industria, WPM (wafer starts per month), mide cuántas obleas de silicio comienzan su proceso de fabricación cada mes. No equivale directamente al número de chips terminados, ya que de cada oblea se obtienen múltiples circuitos y el resultado final depende también del rendimiento de fabricación y del empaquetado avanzado.
TSMC ha elevado su meta de producción mensual de 3 nm a 180.000 inicios de oblea, frente al plan original de 150.000. El nuevo objetivo supone un aumento del 20 % y, según las previsiones citadas por la cadena de suministro, podría alcanzarse a comienzos del cuarto trimestre de 2026, entre dos y tres meses antes de lo que esperaba el mercado .
En comparación con 2025, el incremento de capacidad superaría el 40 % . La aceleración responde principalmente a los pedidos de grandes clientes de inteligencia artificial, entre ellos NVIDIA, AMD y Broadcom, además de Apple . La consultora Omdia señala que las capacidades de 3 nm y 2 nm de TSMC están «en gran medida reservadas» por estas compañías .
La presión sobre el nodo también se refleja en los plazos y los precios. Las obleas de las variantes N3 y N3E rondan los 19.500 dólares por unidad a comienzos de 2026, mientras que los tiempos de entrega superan las 50 semanas .
El proceso de 2 nm, denominado N2, entró en producción en masa en el cuarto trimestre de 2025. Supone el paso de los transistores FinFET a una arquitectura de nanosheets o GAAFET, diseñada para mejorar el rendimiento y la eficiencia energética .
Para finales de 2026, TSMC busca alcanzar 100.000 obleas mensuales de 2 nm . La compañía prevé que esta capacidad crezca a una tasa compuesta anual del 70 % entre 2026 y 2028 .
Entre los clientes que preparan la transición figuran AMD, que apunta a comenzar la producción de CPU basadas en 2 nm en 2026, así como Google y AWS, que se perfilan para adoptar el proceso en etapas posteriores. NVIDIA también se encamina a trasladar a 2 nm una parte importante de sus pedidos de aceleradores de inteligencia artificial .
Un factor favorable para el calendario es que la curva de aprendizaje del rendimiento de fabricación de N2 estaría superando la que mostró el nodo de 3 nm en una fase comparable . En términos sencillos, esto significa que la proporción de chips funcionales por oblea estaría evolucionando mejor de lo que ocurrió con la generación anterior.
La base industrial de TSMC en Taiwán concentra el despliegue más ambicioso. Hasta 10 fábricas podrían estar en construcción o iniciar obras en 2026 en parques científicos del norte, centro y sur de la isla .
Durante el año, cinco plantas de 2 nm estarían avanzando simultáneamente: dos en Hsinchu, asociadas al complejo Fab 20, y tres en Kaohsiung, dentro del Fab 22. La escala convierte este proyecto en el despliegue de un único nodo más agresivo de la historia de TSMC .
La empresa también ha duplicado su ritmo histórico de construcción: en 2025 y 2026 estaría construyendo o reconvirtiendo nueve fases de fábricas por año, frente a un promedio histórico de cuatro .
En Estados Unidos, TSMC anunció en julio de 2026 otros 100.000 millones de dólares de inversión en Arizona. Con ello, la inversión total prevista en el estado asciende a 265.000 millones de dólares .
El plan estadounidense también contempla fábricas adicionales de obleas y capacidad de empaquetado avanzado para responder a la demanda de chips de IA . La compañía, no obstante, todavía debe afrontar obstáculos operativos, como la escasez de trabajadores de la construcción en Arizona .
TSMC anunció en febrero de 2026 sus planes para fabricar chips de 3 nm en Kumamoto, en el sur de Japón. La inversión se ha estimado en aproximadamente 17.000 millones de dólares . La planta busca acercar la producción a la creciente demanda regional de semiconductores avanzados, especialmente vinculada a la inteligencia artificial.
Mientras amplía los nodos actuales, TSMC ya prepara su siguiente generación, conocida como A14 o proceso de 1,4 nm, en el Parque Científico de Taiwán Central, en Taichung.
La construcción va por delante del calendario. La primera estructura de la fase inicial podría estar terminada antes de abril de 2027, y la producción piloto podría comenzar tan pronto como el tercer trimestre de ese año, una vez instalados los equipos y validados los procesos .
La producción en masa está prevista para mediados de 2028, en el segundo semestre del año según otras referencias del calendario de desarrollo . La inversión estimada para la planta se sitúa entre 48.500 y 49.000 millones de dólares .
A14 utilizará transistores GAAFET de segunda generación, conocidos como NanoFlex Pro, junto con la litografía EUV actual. TSMC ha comunicado a ASML que no prevé adoptar litografía EUV de alta apertura numérica —High-NA EUV— antes de 2029 .
El interés de clientes como Apple, Qualcomm, NVIDIA y AMD, además de otros compradores de chips para IA y computación de alto rendimiento, sería elevado. La validación interna de A14 se aproxima al 90 % del objetivo establecido . Después de A14, TSMC espera que los procesos A13 y A12 lleguen ambos a producción en masa en 2029 .
La hoja de ruta muestra que la limitación ya no está únicamente en diseñar aceleradores de IA más potentes, sino también en conseguir capacidad de fabricación, empaquetado y suministro con suficiente antelación. TSMC está ampliando la producción de 3 nm para atender la demanda inmediata, aumentando el 2 nm para los próximos diseños y construyendo instalaciones para sostener la transición hacia 1,4 nm.
El resultado es una expansión geográfica y tecnológica excepcionalmente rápida. Sin embargo, alcanzar los objetivos dependerá de que la empresa pueda completar las obras, instalar los equipos, mantener buenos niveles de rendimiento y resolver los cuellos de botella laborales y de empaquetado que acompañan al crecimiento de la IA.