Samsung prevé que la HBM alcance casi el 30 % de la capacidad de obleas de la industria DRAM en 2027, frente a cerca del 20 % actual. La HBM apila chips de memoria en vertical para que los procesadores accedan a los datos a gran velocidad, algo clave para la computación de IA.
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Respuesta de investigación

Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: How much of the DRAM industry’s total wafer capacity does Samsung Electronics expect high-bandwidth memory (HBM) to use next year compared w. Article summary: Samsung Electronics expects HBM to use nearly 30% of the DRAM industry’s total wafer capacity in 2027, up from about 20% in 2026. [1] - **Why standard DRAM could tighten:** HBM and conventional DRAM compete for wafer cap. Topic tags: general, general web, user generated, news. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts w
La memoria de alto ancho de banda (HBM, por sus siglas en inglés) podría ocupar una proporción cada vez mayor de la capacidad de fabricación de DRAM. Samsung Electronics prevé que en 2027 represente casi el 30 % de la capacidad de obleas de la industria, frente a alrededor del 20 % actual. 17
La cifra apunta a una tensión en el mercado: cuanto más espacio de producción se destine a la memoria especializada que usan los sistemas de inteligencia artificial, menos capacidad podría quedar disponible para la DRAM convencional.
El porcentaje se refiere a la parte de la capacidad de obleas asignada a producir HBM; no significa que esta memoria vaya a representar el 30 % de todos los chips DRAM fabricados ni de la producción total de memoria. El vicepresidente ejecutivo de Samsung, Kim Taewoo, señaló que la proporción podría subir de aproximadamente una quinta parte en la actualidad a casi tres décimas en 2027. 17
Se trata de una previsión de la industria, no de una garantía de que se alcanzará esa asignación. Aun así, muestra la dimensión de los recursos de producción que los fabricantes podrían dedicar a la HBM ante el crecimiento de la demanda de computación para IA.
La HBM y la DRAM estándar compiten por la misma capacidad de obleas, según Samsung. Si los fabricantes destinan una parte mayor de esa capacidad a producir HBM, podría quedar menos disponible para la memoria convencional y su suministro podría verse limitado. 17
Esto no significa que cada aumento en la producción de HBM se traduzca automáticamente en una reducción equivalente de DRAM estándar. La previsión describe un posible cambio en la asignación de capacidad y sus efectos potenciales, no una cantidad concreta de memoria que dejaría de producirse. 17
La HBM se fabrica apilando chips de memoria en vertical. Esta configuración permite que los procesadores accedan a los datos a gran velocidad y la convierte en un componente importante de la computación de inteligencia artificial. 4
Entre los principales productores de HBM figuran las surcoreanas SK hynix y Samsung Electronics, además de la estadounidense Micron Technology. 10
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Samsung prevé que la HBM alcance casi el 30 % de la capacidad de obleas de la industria DRAM en 2027, frente a cerca del 20 % actual.
Samsung prevé que la HBM alcance casi el 30 % de la capacidad de obleas de la industria DRAM en 2027, frente a cerca del 20 % actual. La HBM apila chips de memoria en vertical para que los procesadores accedan a los datos a gran velocidad, algo clave para la computación de IA.
Samsung, SK hynix y Micron figuran entre los principales productores de HBM. [10]