La memoria de alto ancho de banda (HBM, por sus siglas en inglés) podría ocupar casi el 30% de la capacidad total de obleas de los fabricantes de DRAM en 2027, frente a alrededor del 20% actual. La previsión de Samsung Electronics apunta a una tensión entre producir más memoria para los sistemas de inteligencia artificial y reservar capacidad para la DRAM convencional.
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Por qué el crecimiento de la HBM puede afectar a la DRAM convencional
La HBM y la DRAM estándar compiten por la misma capacidad de fabricación de obleas, las láminas de material semiconductor sobre las que se producen los chips. Kim Taewoo, vicepresidente ejecutivo de Samsung, señaló que destinar más capacidad a la HBM podría limitar la disponible para la DRAM convencional.
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La previsión indica un posible cuello de botella, pero no cuantifica cuánto podría reducirse la oferta de DRAM estándar. El efecto dependerá de cómo distribuyan los fabricantes esa capacidad compartida.
Qué hace importante a la HBM para la inteligencia artificial
La HBM se construye apilando chips de memoria en vertical. Este diseño permite que los procesadores accedan a los datos a gran velocidad, una característica que la vuelve un componente importante en la computación de inteligencia artificial.
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Quiénes dominan el mercado
Según el informe citado, el mercado de HBM está dominado por las surcoreanas SK Hynix y Samsung Electronics, junto con la estadounidense Micron Technology.
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La cifra clave será cómo evoluciona la proporción de capacidad destinada a la HBM: casi el 30% en 2027, frente a cerca del 20% actual. Por sí sola, esa participación no determina cuánto cambiará la oferta de DRAM convencional; eso dependerá de las decisiones de producción de cada fabricante.
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