Samsung prioriza el rendimiento sobre la capacidad en la carrera por la HBM4

Samsung no está respondiendo a la escasez de memoria para inteligencia artificial con una carrera sencilla por iniciar más obleas. Según las informaciones disponibles, la compañía está dando prioridad a la transición hacia la DRAM de sexta generación 1c, a la mejora del rendimiento de fabricación y a la productividad.

El objetivo es aumentar la producción efectiva de HBM4 —la memoria de alto ancho de banda utilizada junto a aceleradores de IA— sin ampliar la capacidad nominal al mismo ritmo. Sobre el papel, eso hace que el plan de Samsung parezca prudente. En la práctica, puede ser una apuesta calculada para convertir sus fábricas existentes en instalaciones capaces de producir memoria más densa y rentable antes de comprometerse con una expansión mucho mayor.

El crecimiento de las obleas se frena después de 2026

Las proyecciones basadas en datos de Omdia y difundidas por ChosunBiz sitúan la capacidad anual de DRAM de Samsung en aproximadamente 7,695 millones de obleas en 2025, 8,175 millones en 2026 y 8,28 millones en 2027. Eso equivale a un crecimiento cercano al 6% en 2026, seguido de apenas un 1,3% en 2027. 2

Estas cifras describen capacidad medida en obleas, no el número de paquetes HBM terminados ni la cantidad de bits de memoria que Samsung puede vender. Por eso, una comparación basada solo en obleas no refleja todo el efecto de cambiar de nodo de fabricación. La meta económica es obtener más bits útiles —y más productos premium que superen la certificación— de cada oblea aprovechable.

Samsung tampoco está renunciando por completo a ampliar su capacidad. Distintos informes han señalado conversiones de líneas e instalación de equipos para aumentar la producción de DRAM 1c. Además, se ha informado de que la compañía pretende incrementar de forma significativa su producción de HBM en 2026. 35

Por qué el rendimiento importa más que iniciar más obleas

La fabricación de HBM4 implica varias etapas de rendimiento encadenadas. Primero deben producirse correctamente las matrices de DRAM. Después llegan procesos como las vías a través del silicio —TSV, por sus siglas en inglés—, el apilado y la unión de ocho o doce matrices y, finalmente, las pruebas del bloque de memoria completo. Un problema en cualquiera de esos pasos puede reducir el número de productos vendibles obtenidos de la oblea original. 22

Por eso, aumentar mucho el volumen mientras el proceso todavía es inestable puede salir caro. Introducir más obleas en una línea con bajo rendimiento puede acumular trabajo en proceso y desperdicio sin generar un aumento comparable de HBM terminada.

La transición a la DRAM 1c añade otra dificultad. Samsung está trasladando la producción hacia un nodo más moderno destinado a la HBM4, pero los informes distinguen entre el rendimiento de la propia DRAM 1c y el rendimiento efectivo del producto HBM4 completo. Que las matrices de DRAM alcancen un nivel de fabricación maduro no significa automáticamente que el producto HBM con varias capas esté listo para una producción masiva rentable. 28

La evolución comunicada del rendimiento de HBM4 ayuda a entender por qué la estabilidad del proceso es central para la estrategia. Informaciones del sector situaron el rendimiento por debajo del 60% cuando comenzó la producción masiva en febrero de 2026 y cerca del 80% en agosto. 1721 Son estimaciones difundidas por la industria, no un desglose completo publicado por Samsung, pero muestran por qué mejorar el rendimiento puede ser más valioso que añadir de inmediato capacidad nominal de obleas.

Samsung aún tiene más capacidad, pero SK hynix recorta distancias

Las mismas proyecciones basadas en Omdia sitúan la capacidad anual de DRAM de SK hynix en 6,06 millones de obleas en 2025, 6,66 millones en 2026 y 7,29 millones en 2027. 2

Con esos datos, la ventaja de Samsung sería aproximadamente de:

• 1,635 millones de obleas en 2025
• 1,515 millones de obleas en 2026
• 990.000 obleas en 2027

La diferencia se reduce gradualmente durante el periodo. No cae directamente de 1,64 millones de obleas a 990.000 en 2026. Samsung seguiría siendo mayor si se mide la capacidad total de obleas, mientras que SK hynix crecería a un ritmo proyectado más rápido.

La competencia, sin embargo, no se decide únicamente por la capacidad instalada. El suministro de HBM también depende de la certificación de los productos, la ejecución del empaquetado y la capacidad de entregar volúmenes constantes a los clientes. Los informes han descrito a SK hynix como el principal proveedor de HBM para grandes clientes de IA, mientras Samsung trabaja para reforzar su posición en HBM4. 1324

Eso ofrece a SK hynix una ventaja si los compradores priorizan un suministro cualificado y disponible de inmediato. La respuesta de Samsung es que un mejor rendimiento en la DRAM 1c y en el producto HBM4 podría permitirle fabricar más memoria vendible desde una base fabril relativamente estable.

Las posibles ventajas del enfoque de Samsung

Más producción con las fábricas existentes

Si Samsung mejora el número de matrices 1c buenas por oblea y eleva el rendimiento de la pila HBM4 terminada, la producción efectiva puede crecer más rápido que el número de obleas iniciadas. Esto podría reducir el coste por bit y aprovechar mejor una capacidad que ya está instalada.

Un nodo más denso también puede producir más bits por cada oblea buena. Por tanto, un crecimiento moderado de las obleas no implica necesariamente un crecimiento igualmente moderado de la producción de memoria.

Menor exposición a una futura caída del mercado de materias primas

Una expansión controlada puede reducir el riesgo de añadir demasiada capacidad de DRAM convencional en el punto máximo de un ciclo de memoria. Al convertir líneas de forma selectiva hacia productos de mayor densidad y valor, Samsung conserva margen de maniobra si cambian la demanda o los precios.

Una vía para regresar a la memoria premium de IA

La HBM4 es estratégicamente importante porque se encuentra cerca del centro de las cadenas de suministro de los aceleradores de IA. La mejora comunicada por Samsung, desde un rendimiento inferior al 60% al inicio de la producción de HBM4 hasta cerca del 80% más adelante en 2026, sugiere que el aprendizaje del proceso podría fortalecer su capacidad para competir por contratos de memoria premium. 17

El resultado no sería solo un aumento de capacidad. Sería un cambio desde el liderazgo nominal en obleas hacia una producción HBM fiable, certificada y entregada de forma constante.

El riesgo de esperar a que mejore el proceso

La estrategia deja poco margen para equivocarse. Si el rendimiento de la DRAM 1c, el ensamblaje de HBM o la certificación de clientes avanzan más despacio de lo previsto, Samsung podría perder tiempo mientras SK hynix sigue incorporando capacidad. La compañía también puede enfrentarse a una decisión difícil entre suministrar DRAM convencional y asignar recursos a HBM y memoria para servidores.

Las conversiones de líneas tienen un coste temporal de suministro: los equipos y las áreas de producción deben adaptarse al nuevo proceso. En el corto plazo, eso puede reducir el volumen disponible aunque el objetivo a largo plazo sea obtener más bits por oblea y una productividad superior.

También existe un riesgo de calendario. La demanda de IA puede mantenerse fuerte mientras Samsung todavía estabiliza sus procesos. En ese escenario, SK hynix podría utilizar su crecimiento más rápido y su experiencia consolidada en HBM para ganar contratos difíciles de recuperar después.

Por qué la escasez se extiende más allá de la HBM

El auge de la IA está afectando a la DRAM convencional porque los fabricantes están reasignando capacidad de obleas, equipos, recursos de empaquetado e ingeniería hacia la HBM y los productos para servidores. Los informes del sector han vinculado esa reasignación con fuertes subidas de los precios de la DRAM convencional. 37

TrendForce proyectó que los precios contractuales de la DRAM convencional subirían entre un 58% y un 63% intertrimestral en el segundo trimestre de 2026, después de un aumento proyectado del 90% al 95% en el primero. 46 Son previsiones de mercado, no resultados garantizados, pero muestran cómo una escasez originada en la infraestructura de IA puede alcanzar a ordenadores, servidores y otros sistemas que no utilizan HBM directamente.

Por tanto, el problema no se resuelve simplemente anunciando más capacidad de obleas. Las nuevas líneas deben equiparse, convertirse, certificarse y operar con rendimientos aceptables. Hasta que eso ocurra, trasladar producción hacia la memoria de IA puede dejar menos oferta para los productos convencionales.

Qué significa para los compradores de hardware de IA

La memoria se ha convertido en un factor de coste y disponibilidad para todo el sistema de IA. Tom’s Hardware, citando informaciones de Bloomberg y proyecciones de analistas, señaló que Nvidia había advertido a algunos clientes importantes de que los sistemas Grace Blackwell y Vera Rubin que se envíen a comienzos de 2027 podrían costar más de un 15% adicional, con el encarecimiento de la memoria entre los principales factores. 32

Un mayor coste de memoria puede elevar las necesidades de inversión de los proveedores de servicios en la nube y encarecer el despliegue de sistemas de IA para compradores más pequeños. El efecto exacto sobre el precio final dependerá de la configuración de cada sistema y de los contratos con los proveedores, pero la tendencia es clara: la disponibilidad de memoria forma cada vez más parte de la economía del cómputo de IA, y no es solo una cuestión de componentes.

Veredicto estratégico

El crecimiento contenido de la capacidad DRAM de Samsung se entiende mejor como una estrategia centrada en el rendimiento y la combinación de productos que como una señal de que la demanda se ha debilitado. La compañía apuesta a que una DRAM 1c más densa y un mejor rendimiento de HBM4 generarán más producción valiosa y vendible por cada oblea.

La apuesta es económicamente defendible, especialmente si el rendimiento de HBM4 sigue mejorando. Pero también implica un riesgo elevado. Samsung todavía debe convertir las mejoras del proceso en envíos constantes y certificados mientras SK hynix amplía su capacidad más deprisa y el mercado global continúa falto de memoria.

La métrica clave, por tanto, no es solo el número de obleas de Samsung. Lo importante es la combinación de matrices buenas por oblea, rendimiento de la pila HBM4 terminada, volumen certificado por los clientes y bits entregados. Si esos indicadores mejoran más rápido que la capacidad nominal, la aparente moderación de Samsung podría convertirse en una ventaja competitiva. Si no lo hacen, su ventaja en obleas tendrá menos peso que el ritmo de expansión de SK hynix.