Micron acelera la HBM4 para duplicar su capacidad de HBM en 2026

Micron no necesita esperar a que entre en servicio una fábrica completamente nueva para elevar con fuerza su oferta de memoria de alto ancho de banda (HBM, por sus siglas en inglés). Su palanca inmediata es reasignar equipos y capacidad de fabricación hacia HBM —en particular, HBM4 de 12 capas—, mientras las inversiones en Taiwán, Singapur y Japón crean una base más amplia de obleas y empaquetado avanzado para los años posteriores.

Según información del sector, Micron pretende llegar a unas 100.000 obleas mensuales de entrada para HBM a finales de 2026, después de incorporar hasta 60.000 obleas mensuales de capacidad. Esto supondría más que duplicar su nivel estimado de 2025, de unas 40.000 a 50.000 obleas mensuales de entrada. La métrica no equivale a módulos HBM terminados: las entregas reales dependerán también del rendimiento de fabricación, del apilado de los chips y de la capacidad de empaquetado. 7

La palanca inmediata: escalar la HBM4 de 12 capas

El producto estratégico es la HBM4 de 36 GB y 12 capas de Micron. La empresa indicó que inició los envíos en volumen durante el primer trimestre de 2026 y que el componente está diseñado para la plataforma Vera Rubin de Nvidia. Declara un ancho de banda superior a 2,8 TB/s y una eficiencia energética más de un 20 % mejor que la de su HBM3E. 9

La relevancia va más allá de fabricar más DRAM. La HBM requiere chips de DRAM de última generación, interconexiones mediante vías a través del silicio, apilado vertical, empaquetado avanzado y validación dentro de una plataforma de aceleración. Por eso, elevar el número de obleas procesadas solo aporta capacidad comercial si el resto de la cadena puede crecer con rendimientos adecuados.

Micron también ha enviado muestras de una HBM4 de 48 GB y 16 capas, una señal de que puede aumentar la capacidad por cada módulo HBM. Pero las muestras no implican disponibilidad masiva: el producto anunciado en envíos de volumen es el modelo de 36 GB y 12 capas. 9

Qué significa —y qué no— el objetivo de 100.000 obleas

La meta comunicada apunta a una reasignación agresiva de capacidad y a inversiones en equipos; no significa que cada oblea adicional se convierta de inmediato en memoria disponible para los clientes. La ejecución dependerá de tres factores:

• Rendimiento de fabricación de HBM4: más obleas de entrada no se traducen necesariamente, una por una, en módulos certificados.
• Capacidad de empaquetado avanzado: la HBM exige ensamblar y probar a gran escala varios chips apilados verticalmente.
• Validación y asignación por cliente: el proveedor debe validar su memoria para una plataforma concreta de aceleradores antes de que la capacidad tenga valor comercial.

Se ha informado de que la producción de HBM de Micron para el año natural 2026 está agotada y de que parte de la capacidad de 2027 ya está contratada. La evidencia pública es menos concluyente respecto a que todo 2027 esté reservado o a que existan compromisos firmes para 2028; esas afirmaciones de más largo alcance deben tratarse, por tanto, con mayor cautela que el agotamiento de 2026. 611

Taiwán, Singapur y Japón: la base para la siguiente fase

El aumento de HBM en 2026 es la historia de corto plazo. Los proyectos físicos de expansión responden a otra necesidad: construir una oferta mayor y más resiliente cuando el actual cuello de botella empiece a desplazarse.

Taiwán: una vía más rápida para sumar capacidad de DRAM

Micron completó en marzo de 2026 la adquisición de la planta Tongluo P5 de PSMC, en el condado de Miaoli. El activo añade una ubicación de fabricación en Taiwán, y la empresa ha señalado que espera iniciar producción de obleas en 2027. 5419

Para la HBM, disponer de más capacidad de DRAM es importante porque estos productos apilados consumen grandes volúmenes de chips DRAM avanzados. Tongluo debe entenderse así como un habilitador futuro de suministro, no como la explicación principal de la meta de finales de 2026.

Singapur: el empaquetado importa tanto como las obleas

La instalación de empaquetado avanzado de HBM de Micron en Singapur supone una inversión aproximada de 7.000 millones de dólares. El inicio de operaciones estaba previsto para 2026, y la expansión significativa de la capacidad total de empaquetado avanzado de Micron se espera para 2027. 57

El calendario es decisivo: el empaquetado es una etapa limitante para la HBM. La instalación puede ayudar a transformar la producción de DRAM en productos de memoria apilada y validados.

Micron también construye en Singapur una fábrica avanzada de obleas distinta, con una inversión prevista de 24.000 millones de dólares a lo largo de 10 años y hasta 700.000 pies cuadrados de sala blanca. La planta se ubica en su complejo actual de NAND y la producción de obleas está programada para el segundo semestre de 2028. Refuerza la huella industrial de largo plazo, pero no debe contabilizarse como capacidad de HBM a corto plazo. 51

Japón: capacidad de memoria avanzada para un horizonte posterior

Micron inició la expansión de su instalación de Hiroshima, un proyecto de 1,5 billones de yenes —unos 9.300 millones de dólares— destinado a fabricar memoria avanzada, incluidos productos relevantes para HBM. La entrega e instalación de equipos está prevista a partir del segundo semestre de 2028. 25

Al igual que la nueva fábrica de obleas de Singapur, Hiroshima es una inversión de capacidad para más adelante, no una aportación al incremento de HBM4 de 2026.

Frente a SK hynix y Samsung

Micron está pasando de ser un participante menor en HBM a un tercer proveedor con más peso, especialmente en la siguiente generación de aceleradores de IA. Sin embargo, la ambición de capacidad no la convierte por sí sola en líder del mercado.

TrendForce describió a SK hynix como líder a comienzos de 2026, con Samsung recuperándose gracias a HBM3E y HBM4 y Micron expandiéndose de forma agresiva. 40 Datos de cuota de ingresos del segundo trimestre situaron posteriormente a SK hynix en el 50 % y a Samsung en el 33 %, reflejando el fuerte repunte de Samsung. 35

Las cuotas exactas varían según la fuente, el trimestre y la métrica utilizada: ingresos, bits y obleas de entrada no son medidas intercambiables. La conclusión más sólida es que SK hynix mantiene la ventaja de escala y de proveedor consolidado; Samsung recupera impulso con rapidez en HBM4; y Micron intenta asegurarse un papel mayor mediante una validación de producto creíble y una fuerte aceleración de capacidad.

En síntesis

El objetivo reportado de Micron de 100.000 obleas mensuales de HBM se apoya en acelerar la fabricación y el empaquetado ya existentes alrededor de la HBM4 de 12 capas, no en la apertura de proyectos nuevos en 2026. Sus envíos de HBM4 en volumen para Nvidia Vera Rubin proporcionan la base de producto y plataforma; Taiwán, Singapur y Japón buscan hacer más sostenible ese crecimiento desde 2027. 7951

Si Micron mantiene los rendimientos de fabricación y el ritmo de empaquetado avanzado, el plan reducirá su desventaja de escala y reforzará su importancia como proveedor alternativo de memoria para IA. Por sí solo, no resolverá la escasez de HBM ni desbancará el liderazgo de SK hynix, sobre todo mientras Samsung también amplía su presencia en HBM4.